整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程技術(shù)來達(dá)成以上目標(biāo)。
上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現(xiàn)在該公司有另一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法，采用標(biāo)準(zhǔn)塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。
IBMResearch先進(jìn)功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyrine表示：“我們以塊狀矽而非SOI晶圓片著手，首先放上氧化層，然后做一個(gè)溝槽通過下面的矽晶圓;接著以其為根源長出砷化銦鎵──這是可制造性非常高的程序。”
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