下個(gè)月，搭載驍龍 820 處理器的手機(jī)就要集體出動(dòng)了，比如三星 Galaxy S7 手機(jī)，HTC M10 等等。然而，在這些驍龍 820 手機(jī)閃耀登場(chǎng)之前，就已經(jīng)有驍龍 830 的消息傳出來(lái)了。我們一起來(lái)看看。

　　根據(jù)最新爆料，下一代高通移動(dòng)處理器驍龍 830（MSM8998）將采用改進(jìn)的 Kryo 架構(gòu)，最大支持 8GB 內(nèi)存，使用三星 10nm 工藝制造，該處理器預(yù)計(jì)會(huì)在今年下半年發(fā)布，然后被搭載在 2017 年的智能手機(jī)上。

　　高通驍龍 830 支持 8GB 內(nèi)存，這意味著明年將會(huì)有 8GB 內(nèi)存的手機(jī)誕生，這恐怕是要上天的節(jié)奏。今年安卓高端智能手機(jī)的內(nèi)存預(yù)計(jì)普遍為 4GB，比如 Galaxy S7 手機(jī)。事實(shí)上，上一年，Galaxy Note 5 就已經(jīng)搭載 4GB RAM。

　　在制造工藝上，驍龍 830 采用的 10nm 工藝也是一大亮點(diǎn)，作為對(duì)比，驍龍 820 采用的是三星 14nm 工藝制造，具體說(shuō)來(lái)是第二代的 14nm 工藝。14nm LPP 可以讓芯片在變得更小的同時(shí)，進(jìn)一步提升性能并降低能源消耗。

　　據(jù)三星自己的說(shuō)法，通過(guò)改善晶體管結(jié)構(gòu)和進(jìn)程優(yōu)化，第二代的 14nm LPP 工藝相比第一代 14nm LPE 工藝能實(shí)現(xiàn) 15% 的速度提升，和降低 15% 的功耗。三星未來(lái)會(huì)逐步放棄 14nm LPE。

　　今年，高通將驍龍 820 的代工交給三星負(fù)責(zé)。對(duì)于此次與三星的合作，高通表示，三星電子將成為該公司最新旗艦移動(dòng)處理器的唯一制造商，這對(duì)于和規(guī)模更大的對(duì)手臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的三星而言，將是一個(gè)重大促進(jìn)。

　　如果今年的合作順利，明年，高通將繼續(xù)和三星合作，采用三星的 10nm 工藝制程。10nm 工藝與現(xiàn)在 14nm 工藝相比具有很多優(yōu)勢(shì)，包括空間占用減少了 40%，并且在保持相同性能的情況下，能耗也會(huì)大幅降低。

　　此外，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部總裁 Kim Ki-nam 曾經(jīng)表示，采用 10 nm FinFET 制程技術(shù)的芯片不但更加省電、體積也更小。

　　去年7月份，三星電子旗下的制造部門 Samsung Foundry 的 Kelvin Low 曾經(jīng)在網(wǎng)絡(luò)發(fā)布了一段視頻，確認(rèn)三星已經(jīng)將 10nm FinFET 工藝正式加入路線圖。

　　緊跟在三星之后，臺(tái)積電將會(huì)在今年第一季度完成 10nm 制造工藝的流片，并在第四季度進(jìn)入全面量產(chǎn)階段，以此來(lái)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星進(jìn)行反擊。

　　此外，臺(tái)積電 7nm 研發(fā)一如預(yù)期，預(yù)計(jì)將在 2018 年上半年量產(chǎn)，而更為恐怖的 5nm 制程工藝也有可能于 2020 年正式誕生。

　　雖然三星和臺(tái)積電都在發(fā)力 10nm 工藝，但英特爾的腳步卻放慢了些。2016 年第二季度，英特爾還將發(fā)布 14nm 處理器，這將是第三代 14nm 英特爾處理器，也就是 Kaby Lake，它會(huì)在 Skylake 的基礎(chǔ)上做關(guān)鍵的性能增強(qiáng)，并為轉(zhuǎn)換到 10nm 工藝做好充分的鋪墊。英特爾的 10nm 處理器將要等到 2017 年才會(huì)到來(lái)，代號(hào)為 Cannon Lake。