Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能
新款100V MOSFET問世，Fairchild極具開創性的 PowerTrench® MOSFET產品組合又添新成員
2016-03-22
美國加州圣何塞 – 2016 年 3月22日 —全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅動和其他應用極大地提升效率、降低電壓振鈴并減弱電磁干擾（EMI）。
近25年前，Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench產品將會讓我們繼續處于MOSFET技術研發的最前沿，領先于競爭對手，并滿足客戶嚴苛的要求。
Fairchild副總裁兼iFET業務部門總經理Suman Narayan表示：“相對于此前產品，我們的新型100V N溝道FET已取得巨大進步。從能效到可靠性，新一代PowerTrench MOSFET系列產品在各個性能類別的表現幾乎都優于競爭對手，堪稱行業領先。”
新型FDMS86181的主要優點分別為：Rdson減少了40%，從而降低了導通損耗；最大程度降低柵極電荷（Qg），從而減少了開關損耗。FDMS86181極低的反向恢復電荷（Qrr）幾乎消除了產生振鈴的電壓過沖隱患，這就允許在產品設計時少用或者不用緩沖器并降低電磁干擾（EMI）。 利用FDMS86181的這一獨特優勢，設計人員不但減小了產品的尺寸，同時還降低了物料（BOM）成本。
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