文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.2016.04.011
中文引用格式： 林倩，劉洋，陳超. 基于自動(dòng)建模的射頻功率放大器的互連可靠性研究[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2016，42(4)：39-42，48.
英文引用格式： Lin Qian，Liu Yang，Chen Chao. Research on the interconnect reliability of radio frequency power amplifier using automatic modeling[J].Application of Electronic Technique，2016，42(4)：39-42，48.
0 引言
功率放大器（Power Amplifier，PA）是通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵模塊，在PA的優(yōu)化設(shè)計(jì)中，由于電路參數(shù)較多，模型結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，電路仿真需要耗費(fèi)大量的時(shí)間和資源，在復(fù)雜工藝和高頻MMIC PA設(shè)計(jì)中更為突出。隨著集成電路工藝的發(fā)展，金屬連線寬度和厚度變小，新工藝和新材料不斷被應(yīng)用到通信系統(tǒng)中，使得功率放大器的互連可靠性問題越來越突出[1]。毫米波MMIC功率放大器金屬連接線上流過的電流密度超過105 A/cm2[2]，在如此高電流密度的作用下，電遷移導(dǎo)致金屬連線中出現(xiàn)原子堆積或者空洞，引起金屬連接線的短路或開路[3]，進(jìn)而使得電路發(fā)生功能失效。因此，電遷移已經(jīng)成為通信系統(tǒng)中電路失效的主要原因，是系統(tǒng)可靠性的最大威脅。
關(guān)于電遷移的研究，最早是在1959年由Fiks[4]等人提出。1961年，Huntington[5]研究了由電流引起的金屬連線原子運(yùn)動(dòng)的電遷移失效。60年代末期，人們開始對(duì)金、銀、銅、鋁及其他金屬合金材料進(jìn)行電遷移研究。Black提出了著名的Black公式半經(jīng)驗(yàn)公式[6]。1976年，Blech在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了“Blech效應(yīng)”[7](又稱“短尺寸效應(yīng)”)，即當(dāng)金屬導(dǎo)體的長度小到一定距離時(shí)，電遷移原子移動(dòng)將會(huì)停止。1997年IBM和Motorola將Cu互連線引入CMOS制造工藝中，成為互連線可靠性領(lǐng)域的一大變革。
隨著互連線的寬度縮小至深亞微米級(jí)，溫度梯度遷移、熱機(jī)械應(yīng)力梯度遷移和表面遷移等效應(yīng)也成為影響電遷移的重要因素[8]。1999年Rzepka首次將導(dǎo)致電遷移的這些因素整合到有限元分析方法中[9]。2000年，Duan等用實(shí)驗(yàn)證明了原子通量散度（AFD）最大的位置最易發(fā)生原子空位的積累，進(jìn)而引發(fā)電遷移[10]。2001年，Dalleau[11]對(duì)電遷移的有限元模型進(jìn)行改進(jìn)，提出的有限元模型中AFD計(jì)算公式以及空穴形成的算法一直得到研究者們的青睞。
在此基礎(chǔ)上，在電路級(jí)的互連線可靠性研究方面，南洋理工大學(xué)的F. He[12]首次采用了3D模型，利用ANSYS對(duì)一個(gè)COMS反相器進(jìn)行了建模和仿真。之后天津大學(xué)的田毅貞[13]等在此基礎(chǔ)上結(jié)合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行了進(jìn)一步的研究，但這些僅僅是電路級(jí)互連可靠性研究的初步嘗試，有關(guān)復(fù)雜電路的互連可靠性分析還沒有涉及。
本文主要完成了一個(gè)典型的射頻功率放大器的3D自動(dòng)建模和仿真，主要采用了參數(shù)化自動(dòng)建模的方法，大大縮減了建模的時(shí)間，提高了仿真的效率。通過分析得出了溫度、電流、晶體管尺寸等因素對(duì)電路可靠性的影響，為電路的設(shè)計(jì)提供了參考。
1 電遷移概述
隨著集成度的不斷提高，金屬互連線的截面積越來越小，電流密度顯著增大，電遷移[14]是電路發(fā)生失效的主要原因。它引起金屬原子擴(kuò)散和遷移，進(jìn)而導(dǎo)致原子和空位不斷積累，而空位的積累會(huì)引起互連線開路，金屬線電阻增大，造成電路的功能性失效。同時(shí)，金屬原子積累導(dǎo)致互連線局部短路，造成電路另一種功能性失效。這兩種互連線的失效，對(duì)電路來說是致命的，大大地降低了互連線的可靠性。
電遷移導(dǎo)致的互連失效時(shí)間(tf)可用式(1)來表示[15]，其中B為常數(shù)，T為溫度，j為電流密度，kB為玻爾茲曼常數(shù)，Ea為金屬原子遷移時(shí)的勢(shì)壘高度。從式(1)可以得出，溫度升高、電流密度增大會(huì)縮短互連線的失效時(shí)間，進(jìn)而提高互連線的壽命。
組成AFD的主要因素包括電、熱和熱機(jī)械應(yīng)力，分別對(duì)應(yīng)了AFD的3種主要驅(qū)動(dòng)力，即電子風(fēng)、溫度梯度遷移和熱機(jī)械應(yīng)力梯度遷移。電子風(fēng)是導(dǎo)體中的金屬離子引起的直接力與電子風(fēng)力的合力，它與電流密度成反比?；ミB線的焦耳熱，結(jié)構(gòu)和材料不均勻?qū)е聹囟确植疾痪鶆颍M(jìn)而產(chǎn)生了溫度梯度?；ミB線中的溫度梯度使得原子從溫度高的區(qū)域流向溫度低的區(qū)域，這就是溫度產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力。熱機(jī)械應(yīng)力是由金屬材料與周圍材料之間的熱量失配引起的。
由這3種驅(qū)動(dòng)力引起的原子流梯度的公式分別為式(3)～式(5)[17]：其中，E是楊氏模量，α1是熱膨脹系數(shù)，ν是金屬薄膜的泊松系數(shù)。
互連線中總的AFD是這3種不同驅(qū)動(dòng)因素產(chǎn)生AFD的和，即Total_AFD=AFD_EWF+AFD_TM+AFD_SM，AFD_EWF指由電子風(fēng)產(chǎn)生的AFD，AFD_TM指因溫度及溫度梯度產(chǎn)生的AFD，AFD_SM指因熱機(jī)械應(yīng)力以及熱機(jī)械應(yīng)力梯度產(chǎn)生的AFD。
鑒于以上所述，本文通過計(jì)算AFD來衡量互連線的可靠性。在可靠性仿真中，互連線上AFD的最大值就用來計(jì)算金屬互連線的失效時(shí)間，同時(shí)對(duì)應(yīng)的位置也是整個(gè)互連線系統(tǒng)中最易失效最不可靠的地方。
2 基于自動(dòng)建模方法的3D建模
在電遷移研究的早期，一般采用實(shí)驗(yàn)和數(shù)值計(jì)算法，但誤差比較大。之后又出現(xiàn)了一些2D的仿真器和建模工具，如BERT[18]和RELIANT[19]是計(jì)算由電流密度引起的電路失效。后來，Teng等采用的基于溫度的仿真器iTEM[20]考慮了溫度效應(yīng)、電流密度等因素，將電路中的互連線分割成獨(dú)立的小段，沒有考慮連線間的耦合關(guān)系，存在很大的局限性。隨著集成電路的發(fā)展，影響互連線可靠性的因素還與溫度梯度與應(yīng)力梯度以及材料等因素有關(guān)，因此這種基于電流密度的2D建模已不能滿足要求。
近年來產(chǎn)生的三維（3D）電路建模技術(shù)可以將溫度、熱應(yīng)力以及材料屬性都進(jìn)行耦合分析。1999年，Rzepka等率先采用有限元分析方法進(jìn)行了電遷移分析[21]，之后這種方法被廣泛使用于再可靠性分析中。在此也采用有限元數(shù)值分析方法對(duì)射頻功率放大器進(jìn)行建模及可靠性分析。
傳統(tǒng)的3D建模是在ANSYS軟件中通過操作菜單來手動(dòng)繪制模型，這種方法比較繁瑣，特別是當(dāng)尺寸需要修改時(shí)，模型就必須重畫，需要耗費(fèi)大量的時(shí)間和資源。為了解決這個(gè)問題，本文在建模的過程中采用ANSYS Parametric Design Language建模的方法，即通過軟件編程在命令中嵌入幾何尺寸的參數(shù)，通過修改這些參數(shù)就能達(dá)到修改幾何尺寸的目的，可以節(jié)省大量的時(shí)間和資源。這種方法極大地提高了建模的效率，方便實(shí)現(xiàn)模型的自動(dòng)化創(chuàng)建，為分析互連線的可靠性提供了方便。
圖1為所建的射頻功率放大器模型結(jié)構(gòu)圖,采用參數(shù)化命令建模的方法，一個(gè)完整的電路模型就在程序執(zhí)行的幾十秒內(nèi)構(gòu)建完成。這里互連線的可靠性分析主要包含熱-電和結(jié)構(gòu)-熱分析和AFD的計(jì)算，設(shè)置環(huán)境溫度為100℃。仿真分析時(shí)，先對(duì)該功率放大器進(jìn)行穩(wěn)態(tài)分析，并將穩(wěn)態(tài)分析得到的溫度場(chǎng)結(jié)果導(dǎo)入進(jìn)行結(jié)構(gòu)-熱分析，利用AFD的計(jì)算公式對(duì)ANSYS得到的各個(gè)網(wǎng)格單元的結(jié)果進(jìn)行計(jì)算，得到該功率放大器金屬連線AFD分布如圖2所示，可以看到，AFD最大值出現(xiàn)在晶體管附近。
3 結(jié)果分析
3.1 溫度、電流對(duì)互連可靠性的影響
隨著電路的集成度越來越高，芯片產(chǎn)生的熱量無法及時(shí)散出去，會(huì)造成芯片升溫，影響芯片內(nèi)部的互連可靠性。本文在ANSYS中模擬出了不同溫度和電流下的AFD值，如圖3、圖4所示。
從圖3可以看出，隨著溫度的增大，互連線中的溫度梯度也隨之增大，互連線的AFD成指數(shù)規(guī)律增長，而金屬互連線的可靠性逐漸減低。尤其是當(dāng)金屬互連線的溫度上升到80℃以上時(shí)，溫度每上升10℃，互連線的AFD值就增大很多，意味著互連線的壽命在快速減小。另外，在溫度較小的情況下，增大電流對(duì)互連線AFD的值并沒有太大影響。因此，當(dāng)電路長時(shí)間工作在高溫高電流條件下，金屬互連線的壽命會(huì)大大縮減。
綜上所示，隨著溫度的增加，電路中AFD的值逐漸變大，AFD與溫度趨于指數(shù)關(guān)系，但在電流較低的時(shí)候，AFD隨電流的增加呈現(xiàn)相對(duì)緩慢的增加（同AFD計(jì)算公式），當(dāng)流過晶體管的電流越大，AFD值增大越明顯。
3.2 晶體管尺寸對(duì)互連可靠性的影響
在該射頻功率放大器的設(shè)計(jì)中，采用的晶體管為典型的4指，常用的柵寬是75 μm到125 μm。
如圖4所示，給出了特定電流下不同尺寸晶體管的AFD_MAX與溫度的變化關(guān)系。從圖中可以看出，晶體管的尺寸越小，AFD_MAX的增加越快，互連線的失效時(shí)間越短，電路的可靠性越差。
如圖5所示，給出了特定溫度下不同尺寸晶體管的AFD_MAX與電流的變化關(guān)系。從圖中可以看出，晶體管的尺寸越小，AFD_MAX增加越快，互連線的失效時(shí)間越短，電路的可靠性越差。綜合分析可得，對(duì)于功率放大器而言，當(dāng)流過晶體管的電流相同時(shí)，晶體管的尺寸越大，AFD越小，主要是因?yàn)楫?dāng)電流相同時(shí)，大尺寸的晶體管電流密度會(huì)降低，進(jìn)而由電流密度引起的AFD值會(huì)減小。但是當(dāng)晶體管尺寸越大，中心處的溫度擴(kuò)散效果越差，會(huì)減弱AFD的減小趨勢(shì)，即當(dāng)晶體管尺寸變大時(shí)，這樣的效應(yīng)會(huì)減弱。所以，在一定的環(huán)境溫度下，可以通過選擇相應(yīng)尺寸和工作狀態(tài)的晶體管，以降低AFD值來提高電路可靠性。
總之，為了保證射頻功率放大器的可靠性，在設(shè)計(jì)過程中，應(yīng)該選擇柵寬較大的晶體管，這樣晶體管的偏置范圍和流過晶體管的電流范圍的選擇余地就較大。但同時(shí)較大尺寸的晶體管其寄生電容和寄生電阻會(huì)變大，雖然輸出功率得到增加，其效率可能會(huì)降低。因此，在功率放大器的設(shè)計(jì)中，應(yīng)該綜合考慮輸出功率、增益、效率和可靠性，權(quán)衡功率放大器各方面指標(biāo)，選擇合適尺寸和工作狀態(tài)的晶體管。同時(shí)，功率放大器的工作環(huán)境溫度對(duì)功率放大器的可靠性影響較大，應(yīng)該盡量使得功率放大器工作在較低的環(huán)境溫度，以提高其可靠性。
4 結(jié)論
本文根據(jù)AFD的計(jì)算原理，綜合了電流密度、溫度梯度、熱機(jī)械應(yīng)力梯度對(duì)AFD的貢獻(xiàn)，采用ANSYS軟件對(duì)一個(gè)典型的射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)建模，著重分析了其不同環(huán)境溫度、不同電流和不同晶體管尺寸對(duì)互連線的可靠性的影響，可以幫助設(shè)計(jì)者選擇最優(yōu)的晶體管尺寸和工作狀態(tài)來進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。
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