隨著CROSSBAR近日在上海設(shè)立辦事處，開(kāi)始進(jìn)軍中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)，也把RRAM（阻變式存儲(chǔ)器技術(shù)）這一新型存儲(chǔ)技術(shù)帶到了產(chǎn)業(yè)視線(xiàn)。RRAM提供用于MCU、SoC和FPGA的低遲滯、高性能、低功耗嵌入式存儲(chǔ)器，面向低功耗和安全的物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴和平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)和汽車(chē)電子市場(chǎng)。
Crossbar RRAM技術(shù)被廣泛視為極有可能取代當(dāng)前非易失性?xún)?nèi)存技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)者，從而贏得這一價(jià)值600億美元的全球市場(chǎng)。Crossbar技術(shù)可在一個(gè)200平方毫米的芯片上存儲(chǔ)數(shù)個(gè)TB的數(shù)據(jù)，能夠?qū)⒑Ａ啃畔ⅲ?50小時(shí)的高清電影，存儲(chǔ)在比郵票還小的集成電路上，并進(jìn)行回放。憑借簡(jiǎn)單的三層結(jié)構(gòu)，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)下將邏輯和存儲(chǔ)集成到單芯片上，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)或其他非易失性?xún)?nèi)存技術(shù)無(wú)可比擬的存儲(chǔ)容量。
Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢(shì)，極有可能成為下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)的理想選擇。Crossbar技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)極高密度的存儲(chǔ)解決方案，包括：
在單芯片上實(shí)現(xiàn)太字節(jié)（terabyte）存儲(chǔ)
比DRAM高40倍的密度，并具備最高的性能和可靠性
100倍更快的讀取速度
比NAND快1,000倍的寫(xiě)入速度
比NAND高1,000倍的耐久性
支持高溫環(huán)境，可用于數(shù)據(jù)中心和移動(dòng)設(shè)備
Crossbar技術(shù)應(yīng)用如下：
消費(fèi)電子、手機(jī)、平板電腦—將你所有個(gè)人娛樂(lè)、數(shù)據(jù)、照片和信息存儲(chǔ)到口袋大小的設(shè)備中。提供快速存儲(chǔ)，回放，備份和歸檔。
企業(yè)存儲(chǔ)、SSD和云計(jì)算—拓展SSD的可靠性和容量。提升企業(yè)、數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能。
物聯(lián)網(wǎng)；工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)—為工業(yè)和連接應(yīng)用程序，諸如智能電表和恒溫器提供長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的電池壽命。擁有較大溫度范圍，使其能在極端炎熱的夏天和寒冷的冬天保持穩(wěn)定。支持全新、高集成的SoC，可由紐扣電池供電或通過(guò)太陽(yáng)能、熱能以及簡(jiǎn)單震動(dòng)獲取電能。
可穿戴計(jì)算 — 支持新一代可穿戴計(jì)算，能在非常緊湊的尺寸和低功耗情況下，實(shí)現(xiàn)高容量存儲(chǔ)。
安全支付 —能夠永久存儲(chǔ)安全應(yīng)用所需的密碼和加密密鑰，覆蓋從大容量智能卡，到用于非接觸支付的高端移動(dòng)處理器。
Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國(guó)是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場(chǎng)，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借我們?cè)谥袊?guó)深厚的風(fēng)投實(shí)力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，我們相信將在中國(guó)消費(fèi)電子、企業(yè)、移動(dòng)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，我們近期與中芯國(guó)際已達(dá)成合作，將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國(guó)際40nm甚至更高工藝，有望使新的應(yīng)用開(kāi)發(fā)受益。”
通過(guò)集成更大的片上非易失性阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）到智能卡、機(jī)頂盒、IP相機(jī)和監(jiān)視器等一系列應(yīng)用，Crossbar的客戶(hù)現(xiàn)正設(shè)計(jì)并推出低功耗、高安全性的解決方案。
Minassian博士表示：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備市場(chǎng)需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式內(nèi)存模塊，也可單獨(dú)作為EEPROM內(nèi)存，將是滿(mǎn)足這些需求的理想解決方案。”
Crossbar技術(shù)首先由中國(guó)出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國(guó)清華大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位，以及德克薩斯州萊斯大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位。盧博士在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗(yàn)，他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究。他是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專(zhuān)家，包括基于雙端電阻開(kāi)關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導(dǎo)體納米線(xiàn)設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn)。