一般來講，尋求更大生活空間的居民會(huì)放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈螅鹤痈鼘挸āＭ瑯樱?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí)，他們一般會(huì)放棄高密度轉(zhuǎn)換器（帶集成MOSFET）的便利，取而代之使用一個(gè)更復(fù)雜的涉及控制器（帶外部MOSFET）解決方案。控制器，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對(duì)的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會(huì)占據(jù)更多不動(dòng)產(chǎn)，更多的電路板空間。  

　　直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會(huì)依賴帶外部MOSFET的控制器。設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易，布局簡(jiǎn)單，物料清單(BOM)中部件更少的轉(zhuǎn)換器解決方案雖然具有高可靠性高密度，但通常只能提供有限的電量。

　　諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、開關(guān)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來越高，它們的POL設(shè)計(jì)需要20A、30A、40A甚至更多電量。然而，這些應(yīng)用對(duì)空間要求極為嚴(yán)格，很難兼容采用控制器和外部MOSFET的解決方案。問題在于，在一個(gè)需要大電流的應(yīng)用中，您如何使用轉(zhuǎn)換器而非控制器呢？

　　答案很大程度上在于最近在MOSFET和封裝技術(shù)方面取得的進(jìn)展。在一個(gè)特定硅面積內(nèi)，新一代MOSFET（諸如德州儀器的NexFET? 電源MOSFET）具有較低的電阻率（Rdson），還可提高電流能力。PowerStack?封裝技術(shù)可堆疊集成電路和MOSFET，多層疊加，類似于市區(qū)建筑，可在特定的空間內(nèi)放入更多東西。

　　圖1：控制器集成電路和MOSFET垂直堆疊在PowerStack封裝中

　　PowerStack封裝中芯片堆疊和封裝黏著的獨(dú)特組合與其它傳統(tǒng)并列安放 MOSFET 的解決方案相比，可實(shí)現(xiàn)尺寸更小、熱力性能更佳、電流能力更強(qiáng)、集成度更高的四方扁平無引線封裝解決方案。

　　隨著MOSFET和封裝技術(shù)的最新發(fā)展，德州儀器現(xiàn)在可提供集成FET轉(zhuǎn)換器的產(chǎn)品，用于高功率、高密度POL應(yīng)用。TPS548D22屬于德州儀器高電流同步SWIFT? DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器系列，可提供高達(dá)40A的連續(xù)電流，并采用40管腳、5mm×7mm×1.5mm stack-clipped的QFN PowerStack封裝。訪問DC/DC端口可了解更多德州儀器產(chǎn)品。那些不得不搬到郊區(qū)的人現(xiàn)在可考慮搬回市區(qū)了！