2016年9月19日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出800 V CoolMOS? P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產品家族非常適于低功率SMPS應用，可完全滿足性能、易于設計和性價比等市場需求。它主要側重于反激式拓撲，這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應用。
800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產品，這相當于將MOSFET溫度降低2到8 °C。這個新基準源于一系列優(yōu)化器件參數(shù)，包括Eoss和Qg降低50%以上，以及降低Ciss和Coss。這些出色的性能優(yōu)化可以降低開關損耗,改善DPAK封裝能實現(xiàn)的最低 RDS(on)值，從而實現(xiàn)更高功率密度的設計?？偠灾@有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。
易用性是這個產品家族從設計上就實現(xiàn)的固有特性。其集成式齊納二極管可大幅提升靜電防護能力，從而減少與靜電放電有關的產量損失。這個MOSFET擁有行業(yè)領先的高達3 V的V(GS)th和僅±0.5 V的最小VGS(th)波動范圍。這個組合不僅可以降低驅動電壓和開關損耗,還它有助于避免線性區(qū)內發(fā)生意外操作。
供貨情況
800 V CoolMOS P7 MOSFET家族將提供12個RDS(on)級別和6種封裝，以全面滿足目標應用的需求。RDS(on)為280 mΩ、450 mΩ、1400 mΩ和4500 mΩ的產品現(xiàn)已可訂購。如欲了解更多信息，請訪問www.Infineon.com/p7。