存儲器供貨吃緊，價(jià)格噴發(fā)，先前韓媒預(yù)估，廠商制程轉(zhuǎn)換將使產(chǎn)能減少，明年下半可能還有一波新行情。對此外資警告，DRAM榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。

　　巴倫(Barronˋs)、報(bào)道，六月以來PC DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲30%，光是過去兩周就飆升9%；NAND Flash也供不應(yīng)求，價(jià)格挺升，存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股價(jià)都因此一飛沖天。存儲器市場還能熱多久？Bernstein Research的Mark Newman說，一切要看三星。

　　Bernstein報(bào)告稱，要是DRAM獲利提高到誘人地步，三星可能會增產(chǎn)，一如該公司在2014、2015年所做。他們估計(jì)，三星DRAM毛利將拉高至58~59%的高點(diǎn)，類似2014/15年，屆時(shí)三星應(yīng)會在17號產(chǎn)線或新落成的平澤廠等閑置廠房增加產(chǎn)能，如此一來，市場將從供不應(yīng)求，轉(zhuǎn)為平衡，甚至在2017年中或年末時(shí)，演變?yōu)楣┙o過剩。

　　報(bào)告指出，未來幾個月，DRAM類股仍會有好表現(xiàn)。不過供給緊俏、三星有巨大成本優(yōu)勢，又有閑置廠房可提升產(chǎn)能，預(yù)期三星可能會增加3D NAND和DRAM產(chǎn)出。

　　與此同時(shí)，SK海力士股價(jià)從五月中低點(diǎn)大漲逾50%，JP Morgan的JJ Park建議應(yīng)該獲利了結(jié)。他說就算DRAM價(jià)格維持高檔，SK海力士需要砸錢蓋廠房，生產(chǎn)3D NAND，毛利會受沖擊，不看好未來股價(jià)表現(xiàn)。

　　SK海力士22日下跌0.13%收在39,350韓元。今年迄今飆漲27.97%。

　　明年下半DRAM供給可能會供不應(yīng)求，存儲器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱新行情。

　　韓媒、報(bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組，從當(dāng)前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。

　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRAM可能會略為供給過剩。不過隨著美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)轉(zhuǎn)進(jìn)20納米，產(chǎn)出減少；下半年傳統(tǒng)旺季到來時(shí)，業(yè)者又未增加投資，DRAM將由供給過多變?yōu)楣┙o不足。