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臺積電將于2017年率先發布7nm FinFET技術

2016-11-16
關鍵詞: 臺積電 FinFET SRAM DRAM

       臺積電、三星、格羅方德等半導體大廠開啟在 7 納米制程爭戰,而現在臺積電有望領先群雄在 2017 年國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)率先發布 7 納米 FinFET 技術!

  全球 IC 設計領域論文發布最高指標國際固態電路研討會(ISSCC)下屆確定于 2017 年 2 月 5~9 日在美國加州登場,臺積電設計暨技術平臺組織副總侯永清將擔任特邀報告(Plenary Talks)講者。

  這次臺積電 5 篇論文獲選(美國臺積電 1 篇),2 篇論文為類比電路領域,內存電路設計則有 3 篇。

  值得關注的是,此次臺積電將領先業界在大會上發布 7 納米 FinFET 技術。揭示迄今最小位數 SRAM 在 7 納米 FinFET 的應用,驗證 0.027μm2 256 Mbit SRAM 測試芯片在 7 納米制程下,能大幅提升手機、平板電腦中央處理芯片運算速度,同時滿足低功率需求。

  臺積電、三星通常以 SRAM、DRAM 來練兵,先從內存下手,當良率提升到一定程度再導入邏輯產品。臺積電先前預估 10 納米年底量產、7 納米最快 2018 年第一季生產,然在英特爾宣布放緩 10 納米以下制程投入進度后,臺積電與三星在 10 納米、7 納米先進制程展開激烈纏斗。

  三星在 10 月初搶先臺積電宣布 10 納米量產,市場近期傳出臺積電 7 納米最快在明年 2017 就可試產、4 月接單,拉升 7 納米制程戰火。三星在 7 納米就引進極紫外光(EUV)微影設備,力拼 2017 年年底 7 納米量產。

  而格羅方德則宣布跳過 10 納米,直接轉進 7 納米,預估 2017 年下半可進行產品設計定案(tape out),2018 年初開始風險生產(risk production)。

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