高通官方宣布將使用三星的10nm FinFET打造自家的新一代旗艦處理器驍龍835。作為驍龍820/821的繼任者，它讓我們對明年旗艦機的性能有了新的期待，除了新的10nm制程，以及繼續跑個高分，還有什么更讓人興奮的新殺手锏嗎？
先進的制程比核心數更重要
去年驍龍820的發布時間也是在11月，跟驍龍835相隔剛好差不多一年，不過驍龍835的處境可比去年的820好多了，后者肩負著為高通“退燒”的重任。因此，高通在公布驍龍820時就將其架構、主頻、GPU等各項詳細參數都一股腦地倒了出來，而此次對于驍龍835其并沒有透露過多的信息。主要就告訴我們一件事——它將使用三星10nm制程工藝制造。
有意思的是，剛好就在高通公布該消息的一個月前，三星宣布其10nm制程芯片工藝實現量產，前后腳的發布消息，這兩家公司就像商量好似的。受此打擊最大的大概就是另一家芯片代工廠臺積電了，不僅再次把“首家實現量產10nm制程工藝芯片廠家”的頭銜拱手讓給三星，更失掉了傳聞中高通驍龍835的大單子。
臺積電在半導體制造工藝方面與三星一直都相互競爭，在14/16nm FinFET工藝量產進度被三星擊敗后，臺積電卯足勁希望在10nm甚至7nm工藝上要領先三星。可惜正如此前的16nm FinFET工藝一樣，在正式量產前不斷放消息，結果實際時間卻延遲了近半年。如今曾信心滿滿要趕在三星前面的臺積電不僅又落后了，更未確定年底能否量產10nm，但愿不要太遲才好。
因為這不僅關系到臺積電自己，其他廠商也因此受到影響。華為海思規劃了兩款高端芯片麒麟960、麒麟970，前者采用臺積電成熟的16nm FinFET工藝，而后者則計劃采用臺積電的10nm工藝，如果無法如期量產，恐怕華為明年的旗艦新機也會有變數。
一直希望通過采用領先的工藝而在高端芯片市場有所作為的聯發科，如今大概也正在為臺積電的10nm工藝量產時間頭疼。由于聯發科所有芯片都不支持中國移動要求的LTE Cat7而開始被國產手機廠商棄用，它急需推出采用10nm工藝的Helio X30，該芯片支持LTE Cat10技術，這也造成了聯發科如今青黃不接的囧況。
不難看出，高通和三星共同宣布采用10nm工藝制造驍龍835這一消息，無異于聯手告訴各自的競爭對手：“來追我呀”，宣示領先地位。或許正因如此，這次驍龍835也有了跳數字的命名方式（此前傳聞型號應為驍龍830）。
搭載千兆級LTE芯片驍龍X16
今年2月份的時候，高通就正式公布了其最新一代的LTE基帶芯片驍龍X16 ，這是全球首款移動平臺商用千兆級LTE基帶芯片。而在日前的媒體會上，高通也宣布即將推出的下一代驍龍800系列處理器就將會集成驍龍X16 LTE基帶芯片。
驍龍X16 LTE調制解調器基于先進的14nm工藝，作為移動行業首款商用千兆級LTE芯片，驍龍X16通過支持跨FDD和TDD頻譜最高達4×20 MHz的下行鏈路載波聚合（CA）和256-QAM，可以帶來“像光纖一樣”（fiber-like）的最高達1Gbps的LTE Category 16下載速度；同時通過支持最高達2x20 MHz的上行鏈路載波聚合以及64-QAM，可以帶來高達150 Mbps的上行速度。驍龍X16 LTE調制解調器可利用與Cat.9 LTE終端相同數量的頻譜實現千兆級LTE速率。
驍龍X16 LTE調制解調器還搭配了全新的WTR5975射頻收發器，這是全球首個單芯片射頻集成電路（RF IC），能夠支持千兆級LTE、LTE-U以及5 GHz非授權頻段LAA。此外驍龍X16還搭配了高通RF360 QET4100包絡追蹤器，通過全球首個發布的LTE FDD和LTE TDD 40MHz包絡跟蹤解決方案大幅改善了LTE功耗。
全新調制解調器和收發器不僅包含先進的連接特性組合，還支持驍龍全網通，包括全部主要蜂窩技術（LTE FDD、LTE TDD、WCDMA、TD-SCDMA、EV-DO、CDMA 1x和GSM/EDGE）、頻段、載波聚合頻段組合、LTE雙卡、LTE廣播且支持高清和超高清LTE語音（VoLTE）利用SRVCC（單一無線語音呼叫連續性）到3G和2G語音的切換
高通表示，得益于驍龍X16 LTE調制解調器千兆級的LTE速度，用戶將能夠享受到其突破性功能帶來的優勢，如360度虛擬現實內容的實時傳送、全新的影音娛樂體驗（快速緩存超高保真音樂和電影）、即時APP應用（無需下載安裝即可享用）、更快更無縫的云端應用與服務的訪問。同時也將使得云存儲或將擁有媲美本地閃存的讀取速度。
這次快充不怕谷歌的白眼了
和驍龍835一起到來的還有Quick Chrage 4快速充電技術，實際上，就在公布前不久，高通的Quick Chrage快充技術正經受著考驗。谷歌在最新的Android兼容性定義文檔中強烈建議OEM廠商不要在Type-C設備上使用具有收費專利的充電技術，而應該使用標準的USB PD供電協議，將矛頭直指高通Quick Charge為代表的一眾第三方快充技術。
根據USB Type-C 3.1接口的規范，充電電壓應保持在4.45－5.25伏之間，而高通QC 3.1所需要的電壓便遠超USB Type-C線的標準，由于這項技術是基于非標準信號及非標準USB連接，的確導致了各種兼容性問題。而且因為各手機內部配置不同、充電速率不同，如果用戶混用設備，可能會造成安全隱患。USB-PD充電協議便旨在推廣標準3A Type-C型充電器，實現兼容又相對可靠的快充。
現在Quick Charge 4的到來顯示高通已經做好了接招的準備：集成對USB Type-C和USB-PD的支持。這可能意味著，未來搭載Quick Charge 4的不同手機之間，混用充電器同樣可以實現快充了。
當然還有更快的充電速度，高通表示Quick Charge 4充電速度提升高達20%，僅五分鐘的充電，手機使用時間延長五小時甚至更久。在大約15分鐘或更短時間內，可充入高達 50%的電池電量。
△15分鐘充電50%，Quick Charge 4的充電效率提升達30%
Quick Charge 4的升級也包括對發熱的控制，采用高通第三版INOV電源管理算法（最佳電壓智能協商），據說加入了行業首創的實時散熱管理技術，讓你的手機在充電時溫度更低，較上一代最多可以降低5攝氏度。畢竟因為三星Note7事件，大家越來越重視充電過熱的問題。
這主要是基于配置驍龍835的手機擁有電流電壓的三重防護，以及防止過熱的四重防護，而驍龍835也能管理電池使用壽命，讓用戶使用更長時間。也就是說，驍龍835將首先搭載Quick Charge 4。
滿足你對手機性能的期待
雖然目前高通還沒有透露關于驍龍835的具體信息，不過目前曝出的一些信息：升級版64位自主架構Kyro 200，四大、四小的八核設計，GPU核心升級為Adreno 540，LTE X16基帶以及更快的LPDDR4x運存等，基本是可靠的。這自然意味著明年我們手上的旗艦機性能將比現在有新的突破，跑分創新高，不過你也別想得就這么簡單，如今SoC很大程度還影響著手機產品的設計走向以及用戶體驗。
按照高通的說法，驍龍835將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。要知道蘋果iPhone7／7Plus去掉耳機孔的最大原因就是讓出機身內部空間，以加入相機模組、Taptic Engine和一部分電池容量。
那么我們可以預見，明年旗艦機的機身厚度進一步降低的基礎上，不僅有更高性能，還有更大容量的電池以及更長續航時間。隨著雙攝手機的普及，預計驍龍835會對雙攝有更好的ISP支持方案，新一代的Hexagon DSP也會帶來更好的待機表現。
伴隨著VR概念的火熱，高通也提出了會為這些運算做出單獨優化，用以達到更好的效果。VR對手機圖形處理能力的要求比以往高得多，驍龍835上的新一代Adreno GPU無疑會更加強悍。另外，今年的熱點是人工智能，驍龍820就已內置Zeroth神經處理引擎，能夠自動根據用戶拍攝的照片進行分類，相信驍龍835會更進一步，帶來更加實用的機器學習功能，以后你的手機大概會更懂你。
△推測將首發搭載驍龍835的三星S8具有人工智能和深度學習能力
買不到、不想等怎么辦？
能率先使用到一部搭載了最新旗艦芯片的手機，對于很多用戶來說的確很有吸引力。不過就跟去年高通發布驍龍820之后很長一段時間內都供貨緊張一樣，明年初這一問題可能依然會持續。
至于哪家廠商將拿到驍龍835首發的懸念并不大，即三星明年上半年發布的Galaxy S8系列。在驍龍835芯片量產初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他廠商未必能拿到很多貨。
等到驍龍835在國產手機中大范圍應用時應該是明年年中，因此對于近期有換機需求的用戶來說，若實在沒那個耐心等個小半年才換新機，那么作為Android旗艦新標配的驍龍821機型和近期性價比步步攀升的驍龍820機型仍然是不錯的選擇。