中國臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器封測廠力成受惠于韓國廠商以外四大廠（東芝、西數(shù)、美光、英特爾）的3D NAND封測訂單，法人看好明年?duì)I收有機(jī)會(huì)逐季創(chuàng)高，全年?duì)I收及獲利亦將改寫歷史新高。

NAND Flash制程持續(xù)往1y／1z納米進(jìn)行微縮，但因芯片線寬線距已達(dá)物理極限，技術(shù)推進(jìn)上已出現(xiàn)發(fā)展瓶頸，用1y／1z納米生產(chǎn)的2D NAND并未出現(xiàn)成本效益，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產(chǎn)能出現(xiàn)排擠，NAND Flash產(chǎn)出量明顯減少，導(dǎo)致下半年價(jià)格強(qiáng)勁上漲。

為了擴(kuò)大產(chǎn)能因應(yīng)市場強(qiáng)勁需求，全球六大NAND Flash廠今、明兩年的投資計(jì)劃，全數(shù)集中在3D NAND的制程推進(jìn)及擴(kuò)產(chǎn)上。但考量到興建一座新的3D NAND廠所費(fèi)不眥，六大廠都調(diào)撥現(xiàn)在2D NAND產(chǎn)能移轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND。以目前的進(jìn)度來看，三星的大陸西安廠及韓國Fab 16已開始量產(chǎn)，其它業(yè)者則仍在進(jìn)行產(chǎn)能調(diào)配，但量產(chǎn)計(jì)劃將自明年第一季陸續(xù)展開。

三星除了現(xiàn)在的西安廠及Fab 16廠外，F(xiàn)ab 17及Fab 18將在明年上半年開始量產(chǎn)3D NAND。東芝及合作伙伴西數(shù)（WD）除了Fab 5開始提高3D NAND投片外，F(xiàn)ab 2將在明年第一季轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)64層3D NAND，F(xiàn)ab 6新廠將動(dòng)土興建并預(yù)估2018年下半年量產(chǎn)。

SK海力士M12廠已量產(chǎn)3D NAND，M14廠預(yù)計(jì)明年上半年導(dǎo)入量產(chǎn)，且將用來生產(chǎn)72層3D NAND芯片。美光及英特爾的部份，除了合作的IM Flash已開始量產(chǎn)3D NAND，美光F10廠將在明年第一季量產(chǎn)64層3D NAND，英特爾大連廠則已量產(chǎn)3D NAND，并將在明年開始量產(chǎn)新一代XPoint存儲(chǔ)器。

對(duì)力成來說，3D NAND封測認(rèn)證在第三季已經(jīng)完成，第四季開始量產(chǎn)出貨，包括東芝、西數(shù)、美光、英特爾等韓國業(yè)者以外的四大廠，都將3D NAND封測交由力成代工。由于3D NAND封裝難度高，且需要較長的測試時(shí)間，對(duì)力成來說十分有利。