三星和臺積電目前已量產10nm工藝，它們正計劃在明年初量產7nm工藝，在這兩家競爭的如火如荼的時候，中國最大的半導體制造廠中芯國際宣布它也將投入研發7nm工藝。

作為中國最大的半導體制造廠，中芯國際承擔著推動中國制造升級轉型的重任，獲得了國家集成電路產業基金的支持。這幾年中芯國際走上了穩步發展的道路，營收和凈利潤連續高速增長，這讓它有了加大研發投入的底氣，縮短工藝研發周期。

2015年、2016年中芯國際營收增速分別為13.1%、30.3%，呈現加速增長的勢頭；同期聯電的營收增速分別為-1.3%、2.1%。2016年中芯國際的資本支出增加至27億美元，創下歷史新高，同期聯電的資本支出為22億美元，這是中芯國際首次在該項投入方面超過聯電。

中芯國際已經制定了在2020年趕超中國臺灣的第二大半導體代工廠聯電的目標，聯電也是全球第四大半導體代工廠，不過由于它在工藝研發方面落后于臺積電和三星，眼下又因為14nmFinFET工藝進展不如預期，去年其在廈門的半導體工廠投產后未能引入28nm工藝而只能采用40nm工藝。

去年初中芯國際成功投產28nmHKMG工藝，之后選擇跳過20nm工藝直接開發14nmFinFET工藝，以快速追趕三星和臺積電，縮短與它們的工藝差距，預計14nmFinFET工藝將在明年上半年投產，這比原來的預計到2020年投產的時間提前了兩年時間。

中芯國際的工藝研發進展速度獲得加快的另一個原因是它獲得了高通、華為海思、比利時微電子中心的支持。這幾年全球最大的半導體代工廠臺積電一直都優先照顧蘋果，這讓高通、華為海思等芯片企業感到擔憂，希望支持中芯國際的發展來分散風險，確保自己獲得先進的工藝產能。

正是在這樣的情況下，中芯國際在當前仍然需要投入資源研發14nmFinFET工藝的情況下依然可以分出部分資源研發7nm工藝，這也意味著它決心再次跨越10nm工藝以研發更先進的工藝來追趕三星和臺積電。

除了中芯國際外，華虹宏力也成功投產了28nm工藝，紫光去年收購了中芯國際建立的武漢新芯半導體工廠近期它宣布將投資300億美元建立南京半導體工廠，中國制造在位居上游的半導體制造業上大力投入體現了它們在制造方面升級轉型的愿望，而中芯國際在半導體制造工藝研發上所取得的領先優勢代表著中國制造實力的上升。