大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。

據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還未趕上韓國，成立大陸工作小組只為提前應對未來可能發(fā)生的專利訴訟，故采取非正式編制的形式。

海力士半導體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導體產(chǎn)品。2012年2月，韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠。目前在韓國有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸生產(chǎn)線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產(chǎn)線。市調(diào)機構IHS資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM市場占有率為25.2%，僅次于三星電子48.0%位居第二，但在NAND Flash市場卻僅有10.1%位居第五，遠落后于三星(35.4%)與東芝(19.6%)。

回看歷年SK海力士半導體專利訴訟，均是與美國或者日本半導體同業(yè)者有關的。

自2000年起，SK海力士與美國半導體專利授權業(yè)者Rambus展開13年專利訴訟，最終在2013年，SK海力士和Rambus簽訂了一個為期5年的專利授權協(xié)議，SK海力士向Rambus支付2.4億美元的專利授權費，按照每季度1200萬美元的方式支付，而Rambus則向SK海力士開放相應的內(nèi)存專利授權。

2004年，SK海力士與東芝展開3年在日本、美國的NAND Flash專利侵權訴訟，直到2007年3月，雙方才以專利交叉授權方式和解。

2014年，因NAND Flash技術外流，東芝向SK海力士提出1.1萬億韓元（約9.1億美元）規(guī)模的民事賠償，雙方關系一度破裂，最后SK海力士以支付2.8億美元，相當訴訟規(guī)模27%的和解金與東芝達成協(xié)議，撤銷訴松。此外，SK海力士半導體部門與東芝間的專利交叉授權合約，與產(chǎn)品供應契約均獲得了延長。

2015年，美國內(nèi)存大廠SanDisk曾控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機密泄漏給SK海力士，但在雙方達成和解后，SanDisk同意撤回官司。之后，SK海力士與SanDisk還進一步就專利授權取得新協(xié)議，海力士將支付SanDisk專利授權費，并供應DRAM給SanDisk，時間將持續(xù)至2023年。

但是近幾年，在大陸政策的支持下，大陸半導體行業(yè)正在飛速發(fā)展。

國務院先后于2014年6月、2015年5月發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》與《中國制造2025》，給予大陸IC產(chǎn)業(yè)政策支持。其中，前者最重要的政策支持則在于半導體產(chǎn)業(yè)投資基金的設立；而后者則明確訂定2020年大陸IC內(nèi)需市場自制率將達40%，2025年將更進一步提高至70%的政策目標。

目前，全球僅有三星、東芝、美光、SK海力士四家企業(yè)在生產(chǎn)主流存儲器。為了彌補這塊空白，2016年，總投資240億美元的國家存儲器基地項目于武漢宣布正式開工，紫光集團入股長江存儲，并執(zhí)掌項目建設亦引人注目。

據(jù)悉，長江存儲準備進軍存儲芯片的起點不低，投產(chǎn)后將直接生產(chǎn)3D NAND閃存。在今年一月的半導體峰會上，長江存儲科技執(zhí)行長楊士寧表示，目前長江存儲在32層3D NAND Flash發(fā)展順利，產(chǎn)品指標良好，預計在2019年可實現(xiàn)產(chǎn)能滿載。他甚至預測2019年與國際存儲器大廠的技術差距可拉近至半代，最晚于2020年趕上世界領先技術。

雖然暫時大陸半導體技術并未趕上韓國，但為防患于未然，SK海力士才會決定盡早防范未來可能的專利紛爭。韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。