存儲芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應用于內存、消費電子、智能終端和固態存儲硬盤等領域，其銷售額占整個芯片產業的比重超過25%，反映了一個國家或地區的半導體發展水平。

目前，我國存儲芯片產業發展迎來三大利好。一方面，存量市場加速轉移，增量市場就在大陸。對于移動終端存量市場，大陸是全球最大的生產基地和消費市場，相配套的存儲芯片從美日臺韓向大陸轉移加速進行；其次，云存儲和物聯網是最大增量市場，大視頻時代流量爆發，而大陸是全球最大的數據生產國和消費國，云存儲芯片需求量快速爆發；此外，大陸擁有全球最優秀的互聯網公司、終端品牌和電子產業鏈,有望引領物聯網應用端創新。

另一方面，壟斷競爭，三星做大，合作伙伴或可期。DRAM和NAND Flash兩種最主要存儲芯片CR4分別高達96%和82%，三星一家獨占46%和33%，在市場、技術和資本上逐漸獲得領先優勢，其競爭對手如美光、海力士、閃迪等拓展新興市場意愿強烈，大陸存儲芯片產業可用市場和資金換技術，通過引進消化再創新掌握自己的核心技術。

與此同時，國內存儲芯片產業發展還受到國家戰略、資本市場雙重支持。紫光和武漢新芯作為存儲芯片領域兩只重量級國家隊，2016年以來在國家和地方政府的支持下分別宣布將投資300億美元和240億美元，項目落地后有望開啟大陸存儲芯片行業的黃金發展期。

近期，長江存儲和中科院微電子研究所聯合承擔的3D NAND Flash存儲器研發項目取得新進展，向產業化道路邁出關鍵一步。業內人士表示，國內廠商積極開展存儲芯片相關研發和產業化工作，并取得了階段性進展。政策支持之下，隨著技術等逐漸成熟，行業發展將迎來拐點。

3月24日，從中國半導體協會主辦、賽迪顧問承辦的“2017中國半導體市場年會暨第六屆中國集成電路產業創新大會”獲悉，2017年有望成為國產存儲器大規模主流化發展元年。此外，3D NAND Flash、DRAM是智能手機存儲芯片，中國企業一直缺席這兩個主要市場。從2017中國半導體市場年會獲悉，這一狀況有望改變。

據悉，目前國內存儲器芯片主要參與者有三個，分別是湖北武漢的長江存儲、福建泉州的晉華存儲以及紫光集團。其中，長江存儲初期定位Flash 產品，后期將擴展DRAM產品，晉華存儲項目定位DRAM產品。紫光集團除直接入股長江存儲外，還將在不同地點布局Flash、DRAM產品。

賽迪顧問人士透露，在兩年的準備期之后，2017年上述項目將進入實質性項目建設階段。長江存儲目前是進展最快的一方，其本身在Flash領域已經有較豐富的經驗，有望率先量產。晉華項目已經開工建設，項目運營由經驗豐富的臺灣臺積電負責，技術則委托聯電進行開發。紫光集團目前在南京開工新建Flash產線。

面對國產存儲芯片的現狀，不少公司開始發力。以兆易創新為例，公司擬以發行股份及支付現金的方式收購北京矽成100%股權。北京矽成100%股權的交易價格暫定為65億元。公司表示，上市公司與標的公司均主要從事集成電路存儲芯片及其衍生產品的研發、技術支持和銷售，交易完成后可以形成良好的規模效應。本次交易將為上市公司引進存儲芯片研發設計領域的優秀研發人員以及國際化管理團隊，為上市公司國際化縱深發展注入動力。