余承東日前爆料稱(chēng)，P10系列手機(jī)混用UFS和EMMC兩種閃存方案的核心原因，就是供應(yīng)鏈Flash嚴(yán)重缺貨，華為的存儲(chǔ)至今還處于缺貨之中。那么，NAND Flash制造商如今產(chǎn)能狀況如何？缺貨問(wèn)題何時(shí)能夠得到緩解？

據(jù)DIGITIMES報(bào)道，全球存儲(chǔ)器主要的幾家大型原廠開(kāi)始針對(duì)3D NAND Flash提高產(chǎn)能，包括三星電子、SK海力士、東芝、美光、英特爾等，3D NAND產(chǎn)能將有望在今年下半年放量。有后段封測(cè)廠表示，供給緊缺局面得到稍微緩解、價(jià)格回穩(wěn)，至少要等到2017年第三季度。

主要是因?yàn)?017年存儲(chǔ)器大廠將工藝從2D NAND轉(zhuǎn)換到3D NAND的過(guò)程中，良率一直不穩(wěn)定，2D NAND需求旺盛產(chǎn)能滿(mǎn)載，總體閃存產(chǎn)能供給減少，造成NAND Flash價(jià)格上漲、供需緊張局面。半導(dǎo)體相關(guān)廠商表示，韓廠2017年下半年將陸續(xù)量產(chǎn)，三星的64層3D NAND、SK海力士的72層3D NAND領(lǐng)先業(yè)界。

三星兩年前斥資144億美元建設(shè)的平澤工廠基本完工了，三星稱(chēng)其為世界最大的半導(dǎo)體工廠，預(yù)計(jì)7月份正式投產(chǎn)，主要生產(chǎn)64層堆棧的新一代3D NAND閃存。

平澤工廠預(yù)計(jì)會(huì)在7月份正式投產(chǎn)，雖然號(hào)稱(chēng)是全球最大的半導(dǎo)體工廠，不過(guò)產(chǎn)能提升也是有個(gè)過(guò)程的，今年內(nèi)產(chǎn)能可能只有7-8萬(wàn)片晶圓/月，一兩年之后才能全速運(yùn)轉(zhuǎn)。三星平面及3D閃存工廠加起來(lái)每月產(chǎn)能大約是45萬(wàn)片晶圓，平澤工廠將占據(jù)10-20%的份額。

三星平澤工廠在未來(lái)兩三年內(nèi)可能還是最大的半導(dǎo)體工廠，不過(guò)這個(gè)最大工廠的名頭很有可能被中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技取代——該公司在武漢、南京建設(shè)的晶圓廠規(guī)模更大，2020年時(shí)每個(gè)晶圓廠月產(chǎn)能可達(dá)30萬(wàn)片晶圓（還是12英寸的），真要投產(chǎn)了這兩個(gè)工廠的產(chǎn)能就足以比肩三星全部NAND工廠產(chǎn)能，而武漢基地規(guī)劃的產(chǎn)能最終是在2030年達(dá)到每月100萬(wàn)片晶圓。目前，紫光集團(tuán)正在通過(guò)旗下上市平臺(tái)紫光國(guó)芯并購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司。

與臺(tái)灣存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)關(guān)系密切的美光科技，預(yù)計(jì)2017年第二季度實(shí)現(xiàn)64層3D NAND的量產(chǎn)工作，2017年下半年開(kāi)始有望放量生產(chǎn)。日本廠商?hào)|芝半導(dǎo)體業(yè)率先鎖定了64層3D NAND Flash產(chǎn)品，擴(kuò)大持續(xù)擴(kuò)大3D NAND產(chǎn)能。

英特爾大連工廠已于2016年底量產(chǎn)3D NAND，2017年下半年更會(huì)生產(chǎn)新一代3D XPoint存儲(chǔ)器——NVM非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，效能大勝于NAND Flash。目前，英特爾僅推出第一款采用3D Xpoint之固態(tài)硬盤(pán)。后段封測(cè)代工廠力成表示，美光的3D NAND和英特爾3D XPoint訂單增長(zhǎng)，第二季度將優(yōu)于第一季度。由于具有相當(dāng)難度，交期恐怕延長(zhǎng)。

有存儲(chǔ)業(yè)者表示，預(yù)估2017年上半年DRAM、NAND Flash缺貨漲價(jià)行情會(huì)持續(xù)，市場(chǎng)進(jìn)入第三季度，隨著國(guó)際大廠陸續(xù)放量生產(chǎn)3D NAND，整體NAND Flash漲價(jià)態(tài)勢(shì)稍微趨緩，產(chǎn)業(yè)供需緊張可望稍微調(diào)整腳步。