現(xiàn)階段虛擬現(xiàn)實(shí)(Virtual Reality；VR)裝置用顯示器以TFT OLED、硅晶OLED(OLED on Silicon；OLEDoS)及Micro LED為主要發(fā)展技術(shù)，DIGITIMES Research依精細(xì)度、材料成本、量產(chǎn)性等項(xiàng)目比較此三種技術(shù)，硅晶OLED因改采微縮程度較佳的半導(dǎo)體硅晶圓作為背板(Backplane)， 可達(dá)較高精細(xì)度，且其在量產(chǎn)性表現(xiàn)優(yōu)于Micro LED，但在材料成本等方面尚待改進(jìn)。

為減少VR裝置近距離觀看時(shí)產(chǎn)生的暈眩感，其所搭載顯示器需具備更高的精細(xì)度及畫面更新頻率，比較一般OLED(即TFT OLED)、硅晶OLED、Micro LED等三種VR用顯示技術(shù)的精細(xì)度，硅晶OLED表現(xiàn)較佳。

一般OLED顯示器采用在玻璃基板上制作薄膜晶體管(Thin-Film Transistor；TFT)作為背板，因TFT制程微縮能力有限，難達(dá)VR所需高精細(xì)度，相較之下，硅晶OLED可透過半導(dǎo)體制程微縮，有利達(dá)成VR所需高精細(xì)度。

另一方面，Micro LED可達(dá)成微米級(jí)畫素間距，其精細(xì)度(以ppi衡量)雖可因應(yīng)VR等近距離觀看所需精細(xì)度，但受制于將LED自藍(lán)寶石基板移轉(zhuǎn)至玻璃、硅晶等基板的相關(guān)技術(shù)尚存良率等瓶頸，量產(chǎn)性有待提升。

DIGITIMES Research觀察，硅晶OLED漸成OLED顯示技術(shù)符合VR所需高精細(xì)度的解決方案，然其存在材料成本增加等課題，VR要步入普及階段，降低VR裝置售價(jià)的重要性將與日俱增，往后硅晶OLED能否透過半導(dǎo)體制程改良進(jìn)一步降低成本，值得觀察。