聯發科在去年將其高端芯片helio X30和中端芯片helio P30/P35押寶臺積電的10nm工藝，但是卻因為后者的10nm工藝量產延遲和良率問題導致X30錯失上市時機，P30傳聞也將被放棄，受此影響聯發科有意將部分訂單交給GF，避免完全受制于臺積電重蹈覆轍。

多家芯片企業臺積電的先進工藝量產影響

高通為臺積電的長期大客戶，不過2014年臺積電從三星手里搶到了蘋果的A8處理器訂單，臺積電采取了優先照顧蘋果的策略，將其最先進的20nm工藝優先用于生產蘋果的A8處理器，這導致采用該工藝的高通的驍龍810量產時間過晚優化時間不足，再加上當時該芯片所采用的ARM高性能公版核心A57功耗過高，驍龍810出現發熱問題導致高通在高端市場遭遇重大挫折，高端芯片出貨量同比下滑六成。

高通由此出走，將其高端芯片轉交三星半導體代工，當然這也有它希望籍此獲得三星手機采用它更多的芯片。2015年底高通采用三星的14nm FinFET工藝生產的驍龍820性能和功耗優良，大獲市場歡迎，去年其中端芯片驍龍625也轉用三星的14nm FinFET，近期其中高端芯片驍龍660同樣轉用三星的14nm FinFET，至此可以說高通已將芯片訂單大量轉單三星離開臺積電。

華為海思受臺積電的16nm FinFET工藝影響。在高通離開后，臺積電轉而與華為海思合作開發16nm工藝，2014年臺積電量產16nm工藝不過由于能耗不佳只是用于生產華為海思的網通處理器芯片，沒有手機芯片企業采用該工藝；雙方繼續合作于2015年三季度量產16nmFinFET，不過臺積電同樣選擇優先照顧蘋果的策略用該工藝生產A9處理器導致華為海思的麒麟950量產時間延遲。受此影響去年華為海思選擇采用16nm FinFET工藝生產其新一代高端芯片麒麟960，而不是等待臺積電的最先進工藝10nm工藝。

聯發科在連續沖擊高端市場而不可得的情況下，去年其計劃在中端helio P35和高端芯片helio X30上全面采用臺積電的最先進工藝10nm工藝，不過臺積電的10nm工藝直到今年初才量產隨后又遇上了良率問題，這導致高端芯片helio X30上市后被大多數國產手機企業放棄，據說三季度臺積電用10nm工藝全力生產蘋果的A11處理器而不會再有空余產能供給其他芯片企業，這也就導致聯發科放棄helio P35，轉而采用臺積電產能充足的16nm FinFET的改良版12nm FinFET生產新款中端芯片helio P30。

聯發科將選擇同時由GF和臺積電代工

受helio X30上市不受國產手機品牌歡迎以及目前除X30外沒有芯片可以支持中國移動要求支持的LTE Cat7技術所影響，聯發科今年一季度的芯片出貨量大減，季度出貨量跌穿1億片，營收環比大跌17%，據IC Insights發布的最新數據顯示今年一季度德國芯片企業英飛凌成功超越聯發科擠入全球半導體企業第十名，受此打擊后它開始考慮轉變自己的策略，以擺脫當下在代工方面完全依賴臺積電的局面。

臺媒指聯發科內部開始評估采用極受關注的格羅方德（簡稱GF）22nm FD-SOI制程，該工藝有低功耗優勢，相較臺積電和Intel全力開發的FinFET工藝又有成本優勢，在低端手機芯片、物聯網等領域有廣闊的空間。

格羅方德在大陸建設的半導體制造工廠就引入了22nm FD-SOI制程，希望在這個市場搶奪正高度受關注的物聯網市場，與臺積電南京廠的16nm FinFET、中芯國際和聯電廈門工廠的28nm實現差異化競爭。

聯發科采用格羅方德的22nm FD-SOI，估計是用于生產其低端的手機芯片，憑借低功耗和低成本優勢應對大陸芯片企業展訊的競爭，同時它也有意用該工藝生產物聯網芯片。聯發科的物聯網芯片去年以來就在大陸火熱的共享單車市場奪得大量訂單，近期其有意并購無線通信芯片廠絡達也是意在物聯網市場。

對于聯發科來說，引入一個新的半導體代工企業也有助于它平衡與臺積電的關系，高通出走后臺積電其實也是相當緊張的，去年就傳聞它希望吸引高通回歸采用它的10nm工藝，結果卻是高通進一步將更多的芯片訂單轉往三星。聯發科貴為全球第二大手機芯片企業，在失去高通更多的芯片訂單后如果聯發科也將部分訂單轉往格羅方德無疑將讓臺積電更為緊張，將迫使臺積電思考當前它優先照顧蘋果這種策略的影響。

從這個方面來說，聯發科未來將部分訂單轉往格羅方德是必然的，而眼下正是一個適當的時機。聯發科的做法也值得大陸芯片企業思考，它們顯然已采取行動，華為海思已與中芯國際合作開發14nm FinFET工藝，展訊則選擇與Intel合作采用其相當于臺積電的10nm工藝的14nm FinFET工藝生產芯片。