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半導體制程推向3nm 三星臺積電先后布局

2017-08-24

極紫外光(EUV)微影設備無疑是半導體制程推向3nm的重大利器。這項每臺要價高達逾近億美元的尖端設備,由荷商ASML獨家生產(chǎn)供應,目前主要買家全球僅臺積電三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。

EUV設備賣價極高,原因是開發(fā)成本高,因此早期ASML為了分攤開發(fā)風險,還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠入股,但隨著開發(fā)完成,臺積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票,也獲利豐碩。

有別于過去半導體采用浸潤式曝光機,是在光源與晶圓中間加入水的原理,使波長縮短到193/132nm的微影技術(shù),EUV微影設備是利用波長極短的紫外線,在硅晶圓上刻出更微細的電路圖案。

ASML目前EUV年產(chǎn)能為12臺,預定明年擴增至24臺。該公司宣布2017年的訂單已全數(shù)到手,且連同先前一、二臺產(chǎn)品,已出貨超過20臺;2018年的訂單也陸續(xù)到手,推升ASML第2季營收達到21億歐元單季新高,季增21%,每股純益1.08歐元,股價也寫下歷史新高。

因設備昂貴,且多應用在7nm以下制程,因此目前有能力采購者,以三星、臺積電、英特爾和格羅方德為主要買家。三星目前也是最大買主,估計采購逾十臺,將裝設于南韓華城的18號生產(chǎn)線(Line18)全力搶占晶圓代工版圖。

由于極紫外光可大幅降低晶圓制造的光罩數(shù),縮短芯片制程流程,是晶圓制造邁入更先進的利器。

在三星決定7nm率先導入EUV后,讓EUV輸出率獲得快速提升,臺積電決定在7nm強化版提供客戶設計定案,5nm才決定全數(shù)導入。


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