格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。

正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數據的能力，同時能使數據在125°C環境下保留10年以上。這項行業領先的技術優勢使其能夠被用于通用、工業和汽車領域的微控制器單元（MCU）。FDXTM和eMRAM的能效連同射頻連接功能和毫米波IP，使得22FDX成為電池驅動的物聯網和自動駕駛汽車雷達片上系統（SoCs）的理想平臺。

“隨著越來越多的應用需要高性能、非易失性的內存解決方案，客戶都在設法擴展產品的能力。”格芯eMRAM事業部副總裁Dave Eggleston表示，“我們很高興能發布22FDX eMRAM。作為一種具有卓越可靠性的嵌入式內存技術，它能夠為系統設計者在微控制器（MCUs）和片上系統（SoCs）中提供更多功能，同時提高其性能和能效。”

格芯eMRAM的高可靠性和可擴展性使其在多個市場的先進工藝節點上都是一個成本優化的選擇。此外，格芯eMRAM的多功能性讓其能同時兼備快寫性能與高持久性，這也使得它能同時被用于代碼存儲和工作存儲。這一22FDX eMRAM的推出是格芯與Everspin科技公司多年合作的成果。目前，1Gb容量的雙倍速率MRAM芯片已進行了演示并提供樣片，256Mb容量的雙倍速率MRAM芯片已量產，并由Everspin獨家供貨。

22FDXeMRAM和射頻解決方案的工藝設計工具包現已發布。面向22FDX eMRAM客戶樣片的多項目晶圓（MPWs）正在如期進行中，并將在2018年第一季度交付，且計劃于2018年底進行風險量產。格芯及其設計合作伙伴已推出eMRAM定制設計服務，包括從2Mb到32Mb容量的eMRAM，并提供設計便捷的嵌入式閃存（eFlash）和靜態隨機存儲器（SRAM）接口選項。