中國上海，2017年11月24日電—— 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡稱“中微”）迎來了階段性的關(guān)鍵勝利：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委（以下簡稱“專利復(fù)審委”）于今天作出審查決定書，否決了維易科精密儀器國際貿(mào)易（上海）有限公司（以下簡稱“Veeco上海”）關(guān)于中微專利無效的申請，確認(rèn)中微起訴Veeco上海專利侵權(quán)的涉案專利為有效專利。
中微于今年7月向福建高院正式起訴 “Veeco上海”，指控其TurboDisk EPIK 700型號(hào)的MOCVD設(shè)備侵犯了中微的基片托盤同步鎖定的中國專利，要求其停止侵權(quán)并主張上億元侵權(quán)損害賠償。
在中微起訴后，Veeco上海對該涉案的中微專利向?qū)＠麖?fù)審委提起無效宣告請求；與此同時(shí)，還有一位自然人也對該涉案專利提起無效宣告請求。針對涉案專利的兩個(gè)無效宣告請求，專利復(fù)審委先后分別開庭審理，雙方代理人進(jìn)行充分答辯，專利復(fù)審委于今日對兩個(gè)無效宣告案分別作出了審查決定，均確認(rèn)中微專利為有效專利。
中微專利經(jīng)受兩次專利無效宣告的挑戰(zhàn)后，仍被專利復(fù)審委確認(rèn)為有效專利，這充分證明了中微專利的技術(shù)創(chuàng)新性和專利權(quán)穩(wěn)定性。中微為此關(guān)鍵技術(shù)投入了大量的研發(fā)費(fèi)用和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)。在中微開發(fā)相關(guān)技術(shù)、并有一系列相關(guān)專利申請布局后數(shù)年，Veeco美國公司才隨之應(yīng)用相同技術(shù)解決方案，在中微申請?jiān)撋姘笇＠螅琕eeco美國公司針對該關(guān)鍵技術(shù)也提交了相近的專利申請，并使用于其EPIK 700產(chǎn)品上，由此侵犯了中微的專利權(quán)。
“我非常高興地看到專利復(fù)審委確認(rèn)中微專利的有效性，這是對中微研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的肯定。”中微董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯博士說：“作為一家向國際一流芯片和LED及功率器件生產(chǎn)廠商提供高端制造設(shè)備的供應(yīng)商，中微自2004年成立以來，一直高度重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)，一向獨(dú)立自主開發(fā)技術(shù)和確立知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位，同時(shí)也極其尊重客戶和競爭對手的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。因此，十多年來，中微在幾次國內(nèi)外知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟糾紛中，經(jīng)受住了考驗(yàn)，一直處于不敗之地。我們認(rèn)為中微的知識(shí)產(chǎn)權(quán)也應(yīng)當(dāng)獲得同樣的尊重。我們不能容忍對中微專利的侵權(quán)。中微為此將積極捍衛(wèi)自己的權(quán)利。任何侵權(quán)行為都應(yīng)當(dāng)?shù)玫较鄳?yīng)的懲罰。”
Veeco美國公司在美國紐約東區(qū)地方法院對中微的基片托盤供應(yīng)商提起專利侵權(quán)訴訟，而法院法官在未能有機(jī)會(huì)全面了解專利無效證據(jù)、未對Veeco美國的專利有效性和基片托盤是否真正侵權(quán)作出明確判斷的情況下，極其罕見地發(fā)出了禁止基片托盤供應(yīng)商給中微提供托盤的臨時(shí)禁運(yùn)令。中微正在采取多項(xiàng)有效措施全力減少禁令的影響。
事實(shí)上，涉案的Veeco美國專利技術(shù)早在60年代開始就被大量前置專利公開，距今已有五十年的歷史，因而，中微認(rèn)為Veeco美國的涉案專利不符合專利法要求，應(yīng)屬無效專利。中微已經(jīng)對該涉案專利的中國同族專利、韓國同族專利提交了專利宣告無效請求。
中微資深副總裁、首席運(yùn)營官兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理杜志游博士說：“我們對美國紐約東區(qū)地方法院作出臨時(shí)禁令表示非常遺憾。我們相信我們的供應(yīng)商最終會(huì)贏得這場專利訴訟；我們還相信中微也會(huì)贏得對Veeco上海的專利訴訟，Veeco上海要為其侵權(quán)行為付出代價(jià)。”
關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
中微公司致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微通過創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)自主研發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和硅通孔刻蝕設(shè)備已在國際主要芯片制造和封測廠商的生產(chǎn)線上廣泛應(yīng)用于45納米到7納米及更先進(jìn)的加工工藝和最先進(jìn)的封裝工藝。目前，正在亞洲地區(qū)30多條國際領(lǐng)先的生產(chǎn)線上運(yùn)行的中微反應(yīng)臺(tái)（包括介質(zhì)刻蝕、TSV和MOCVD）已超過600個(gè)。中微開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備也已在客戶生產(chǎn)線投入量產(chǎn)。