閃存是一種非易失性存儲器，即斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。閃存卡(Flash Card)是利用閃存(Flash Memory)技術(shù)達(dá)到存儲電子信息的存儲器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)。
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2月26日，美光發(fā)布了專為安卓旗艦機(jī)打造的UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)閃存，容量設(shè)計為64GB、128GB和256GB。
顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強(qiáng)調(diào)基于人工智能技術(shù)進(jìn)行了APP打開、運(yùn)行有關(guān)的性能優(yōu)化。
由于是第二代3D閃存，美光稱性能提升了50%。
單Die面積59.341mm2，32GB，號稱業(yè)內(nèi)最小。因此，在同樣芯片面積下的總?cè)萘糠?/p>
新閃存將于今春發(fā)貨，2018年下半年開始出現(xiàn)在智能機(jī)中。
由于此前，UFS2.1能穩(wěn)定供貨的只有三星和東芝，導(dǎo)致價格較高，美光的強(qiáng)勢加入將有助于廠商增加議價的籌碼，給消費(fèi)者創(chuàng)造實惠。
閃存正朝大容量、低功耗、低成本的方向發(fā)展。隨著制造工藝的提高、成本的降低，閃存將更多地出現(xiàn)在日常生活之中。
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