相比三星、東芝、美光等公司，中國現(xiàn)在DRAM內存、NAND閃存技術上要落后多年，不過中國的科研人員也一直在追趕最新一代技術，前不久有報道稱中國投資130億元開建PCM相變內存，性能是普通存儲芯片的1000倍，現(xiàn)在更厲害的來了——復旦大學微電子學院教授張衛(wèi)、周鵬帶領的團隊研發(fā)了一種新的二維非易失性存儲芯片，他們使用了半導體結構，研發(fā)的存儲芯片性能優(yōu)秀，是傳統(tǒng)二維存儲芯片的100萬倍，而且性能更長，刷新時間是內存的156倍，也就是說具備更強的耐用性。

DIY玩家應該知道內存、閃存各自的優(yōu)缺點——內存速度極快，但是斷電就會損失數(shù)據，而且成本昂貴，閃存的延遲比內存高一個量級，但好處就是能保存數(shù)據，同時成本更低，所以業(yè)界一直在尋找能同時具備內存、閃存優(yōu)點的存儲芯片，也就是能保存數(shù)據的同時具備極快的速度。

英特爾研發(fā)的3D XPoint閃存就有類似的特性， 號稱性能是閃存的1000倍，耐用性是閃存的1000倍，前面新聞提到的PCM相變存儲也是類似的技術，能夠在斷電時保存數(shù)據同時性能類似內存，只不過這些新型存儲芯片現(xiàn)在還沒有達到內存、閃存這樣成熟的地步。

中國學者研發(fā)的存儲芯片也是這個方向的，根據他們發(fā)表在《自然·納米技術》雜志上的論文來看，他們研發(fā)的存儲芯片使用的不是傳統(tǒng)芯片的場效應管原理，因為后者在物理尺寸逐漸縮小的情況下會遇到量子效應干擾，所以張衛(wèi)、周鵬團隊使用的是半浮柵極（semi－floating gate）晶體管技術，他們據此展示一種具有范德·瓦爾斯異質結構的近非易失性半浮柵極結構，這種新型的存儲芯片具備優(yōu)異的性能及耐用性。

具體來說，與DRAM內存相比，它的數(shù)據刷新時間是前者的156倍，也就是能保存更長時間的數(shù)據，同時具備納秒（ns）級的寫入速度（NAND閃存的延遲一般在毫秒級），與傳統(tǒng)二維材料相比其速度快了100萬倍。，所以這種新型內存有望縮小傳統(tǒng)內存與閃存之間的差距。

當然，這個技術進展還是很不錯的，只是別指望技術很快量產，更不可能在未來兩三年內進入市場，但凡同時具備DRAM、NAND優(yōu)點的新型存儲芯片都有這個問題，并沒有成熟到量產上市的地步，傳統(tǒng)內存、閃存還有很長的壽命。