今年下半年，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)造成影響。

　　而隨著中美貿(mào)易局勢(shì)的緊張，以及中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對(duì)三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。

　　目前，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)。

　　近期傳出合肥長(zhǎng)鑫投產(chǎn)8Gb LPDDR4規(guī)格的DRAM芯片，被視為我國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的里程碑。盡管相關(guān)訊息尚未獲得官方確認(rèn)，但在今年四月的一次公開活動(dòng)上，合肥長(zhǎng)鑫CEO王寧國(guó)表示，計(jì)劃將于今年年底前推出8GB DDR4工程樣品，2019年Q3正式推出8GB LPDDR4，當(dāng)年年底達(dá)到2萬片的月產(chǎn)能。

　　從目前三家廠商的進(jìn)度看，其試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在2018年下半年，量產(chǎn)時(shí)間可能會(huì)集中在2019年上半年。有臺(tái)灣媒體分析稱，2019年量產(chǎn)進(jìn)度能否順利推動(dòng)，將成為我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)能否站上世界舞臺(tái)的重要標(biāo)志。

　　業(yè)界認(rèn)為，我國(guó)發(fā)展DRAM技術(shù)的挑戰(zhàn)性較高，隨著量產(chǎn)時(shí)點(diǎn)的臨近，專利糾紛或國(guó)際訴訟甚至競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的干擾也將伴隨而來。此前，美光已經(jīng)通過采取限制供應(yīng)商供貨的行為對(duì)晉華進(jìn)行打壓，雙方互訴也在進(jìn)行之中。

　　來自臺(tái)灣的分析人士指出，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展情勢(shì)較為樂觀，已獲得首筆超過1萬顆的晶片訂單，但32層3D NAND Flash量產(chǎn)規(guī)模仍有限，單月僅約5,000片，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的研發(fā)重點(diǎn)將集中于64層3D NAND Flash，目標(biāo)2018年底前推出第一個(gè)產(chǎn)品樣本。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)在64層3D NAND制程開發(fā)完成后，可望展開大規(guī)模投片計(jì)劃，預(yù)計(jì)2020年產(chǎn)能快速推進(jìn)至單月10萬片，未來長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下3座廠房將可達(dá)到單月35萬~40萬片產(chǎn)能，屆時(shí)市占率有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)10%。

　　另有分析人士指出，合肥長(zhǎng)鑫宣稱目標(biāo)在于19納米的DRAM內(nèi)存，初期產(chǎn)品良率目標(biāo)為不低于10%，這意味著從初期試產(chǎn)進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)還有漫漫長(zhǎng)路，加上合肥長(zhǎng)鑫發(fā)展的DDR4移動(dòng)式內(nèi)存為市場(chǎng)主流，未來恐難逃大廠專利的鉗制。

　　該人士表示，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商量產(chǎn)初期的規(guī)模雖難撼動(dòng)三大龍頭廠商的地位，但短期內(nèi)將對(duì)市場(chǎng)價(jià)格造成沖擊，如果發(fā)展順利，預(yù)計(jì)2020~2021年起，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將開始取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)。