未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF（射頻）技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。
未來(lái)幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來(lái)9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至2022年的25億美元。
我們現(xiàn)在正處于4G網(wǎng)絡(luò)成熟，并向5G網(wǎng)絡(luò)過(guò)渡的臨界點(diǎn)，還有很多有待解決的地方，但是可以確定的是：新的無(wú)線(xiàn)電網(wǎng)絡(luò)將需要更多的器件和更高的頻率。因此將會(huì)為芯片供應(yīng)商帶來(lái)巨大的商機(jī)，尤其是RF功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售商。我們預(yù)計(jì)包括基站和無(wú)線(xiàn)回程在內(nèi)的電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，將占據(jù)整體市場(chǎng)的半壁江山。2016~2022年期間，基站市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以12.5%的復(fù)合年增長(zhǎng)率持續(xù)快速增長(zhǎng)，而電信回程市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將為5.3%。
基站市場(chǎng)和總體RF基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的增長(zhǎng)伴隨著重要的技術(shù)轉(zhuǎn)變。3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體），同時(shí)，GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò)的需求增長(zhǎng)中受益。在未來(lái)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中，將采用載波聚合和大規(guī)模輸入輸出（MIMO）等新技術(shù)，GaN將憑借其高效率和高寬帶性能，相比現(xiàn)有的LDMOS處于更有利的位置。2022年，GaN RF器件的市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到11億美元，約占整個(gè)RF 功率市場(chǎng)的45%。
從LDMOS和GaAs向GaN和GaAs的技術(shù)轉(zhuǎn)變，正在影響產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。目前領(lǐng)先的RF功率廠(chǎng)商也是LDMOS領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，不過(guò)， GaN器件的市場(chǎng)滲透，正快速改變這一現(xiàn)狀。大部分領(lǐng)先的GaN廠(chǎng)商都是來(lái)自GaAs產(chǎn)業(yè)。市場(chǎng)上僅興起了一家純GaN廠(chǎng)商，那便是Wolfspeed。同時(shí)，LDMOS廠(chǎng)商正通過(guò)利用外部代工廠(chǎng)進(jìn)入GaN市場(chǎng)，不過(guò)，這需要一定的時(shí)間和努力。Infineon（英飛凌）意圖對(duì)Wolfspeed的收購(gòu)是極具遠(yuǎn)見(jiàn)的一步好棋，本來(lái)或能確保英飛凌在未來(lái)的RF功率市場(chǎng)以及GaN功率電子市場(chǎng)獲得有利的競(jìng)爭(zhēng)地位。不過(guò)，這筆交易最終因?yàn)槊绹?guó)政府的阻撓而被迫終止。
隨著市場(chǎng)的快速發(fā)展，專(zhuān)利訴訟也逐漸開(kāi)始。M/A-COM就硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）技術(shù)針對(duì)Infineon發(fā)起了專(zhuān)利訴訟，這在去年引起了產(chǎn)業(yè)轟動(dòng)，也預(yù)示著GaN技術(shù)的戰(zhàn)略重要性。
除了電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，國(guó)防市場(chǎng)也正在穩(wěn)定增長(zhǎng)，GaN和 GaAs固態(tài)器件正逐步取代老舊的真空管技術(shù)。新設(shè)計(jì)大多采用GaN技術(shù)。大部分其它應(yīng)用和相關(guān)市場(chǎng)則相對(duì)較小，除了“RF能量”市場(chǎng)，它包括無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)，其巨大的市場(chǎng)潛力或能挽救LDMOS技術(shù)。Yole預(yù)計(jì)到2022年，RF能量應(yīng)用市場(chǎng)將達(dá)到1.7億美元，帶來(lái)驚人的93%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。并且這還僅僅是開(kāi)始，因?yàn)闀?huì)有越來(lái)越多的電動(dòng)汽車(chē)采用無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)，使無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)在未來(lái)10~15年獲得大規(guī)模應(yīng)用。該市場(chǎng)將主要采用LDMOS技術(shù)，這將幫助大部分現(xiàn)有LDMOS應(yīng)用硅基RF器件制造商向GaN技術(shù)轉(zhuǎn)變。
未來(lái)五年，市場(chǎng)的重大轉(zhuǎn)變伴隨著更重要的技術(shù)轉(zhuǎn)變，讓我們一起期待RF功率市場(chǎng)的新動(dòng)向！