電子技術自發明以來，廣泛應用于生活中的方方面面，如今已經成為我們不可或缺的一部分。從1947年，威廉·邵克雷、約翰·巴頓和沃特·布拉頓成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管；到1961年，第一個集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯；再到1971年：英特爾發布了其第一個微處理器4004……電子產業發展至今也有七十多年的歷史，其中電子芯片作為電子技術的核心，也有四十多年的產業積累。

借助硅光芯片實現彎道超車

隨著我國將芯片列為國家重點規劃產業，“中國芯”三個字一直是我們的夢想，由于產業與技術的局限，這個夢想并沒有那么容易實現。有激情、夢想是好事，但認清現實更有助于我國的芯片產業發展，想在電子芯片上短時間超越歐美日韓等世界頂尖國家無異于癡人說夢。

盡管如此，但我們并非全無機會，借助硅光芯片實現彎道超車，這不失為一個捷徑。

硅光芯片是光子芯片中最常見的一種，這種芯片利用的是半導體發光技術。2016 年，科學家們提出了一種使用光子代替電子為理論基礎的計算芯片架構，由于光和透鏡的交互作用過程本身就是一種復雜的計算，并使用多光束干涉技術，就可讓相關系尋反應所需要的計算結果，這種芯片架構也叫可程序設計納米光子處理器。

近日，有媒體報道，我國自行研制成功的“100G硅光收發芯片”正式投產使用。這款硅光芯片面積不到30平方毫米，但是上面集成了光發送、調制、接收等六十多個有源和無源光元件，是目前國際上已報道的集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。

能取得這樣的成績并不驚訝，因為我國對硅光芯片產業非常重視。一方面是由于我國是通訊大國，通訊技術是衡量大國的關鍵指標之一，而光通信最關鍵的技術就是光子芯片；另一方面是我國電子芯片產業相對薄弱，全球光子芯片產業剛剛起步，對于我們并肩歐美甚至趕超，這是一個很好的超車機遇。

我們要想真正在硅光芯片上成為全球的領導者，不是砸點資金和人力就可以實現。因為目前美國、日本在這個產業上也投入了重金和精力，中國的優勢并不明顯，甚至有點落后。目前，國內僅有光迅科技、海信、華為、烽火等少數廠商可以生產中高端芯片，但總體供貨有限，高端芯片嚴重依賴于博通、三菱等美日公司。

好消息是，我國的硅光芯片產業布局越來也完善，我國被稱為“光芯”的城市約有六座，目前，已經形成武漢、大連、上海、南通等全球知名的光子芯片產業鏈。

硅光芯片發展的四大技術難題

一、硅光子芯片技術的設計痛點

硅光芯片的設計方面面臨著架構不完善、體積和性能平衡等難題。硅光芯片的設計方案有三大主流：前端集成、混合集成和后端集成。前端集成的缺點是面積利用率不高、SOI襯底光/電不兼容、靈活性低和波導掩埋等，在工藝上的成本超高；后端集成在制造方面難度很大，尤其是波導制備目前而言很有挑戰；至于混合集成，雖然工藝靈活，但成本較高，設計難度大。

二、硅光子芯片技術的制造難題

硅光芯片的制造工藝面臨著自動化程度低、產業標準不統一、設備緊缺等技術難關。由于光波長難以壓縮，過長的波長限制芯片體積微縮的可能。同時光學裝置須要更精確的做工，因為光束傳輸的些微偏差會造成巨大的問題，相對需要高技術及高成本。光子芯片相關的制程技術尚有待完善，良品率和成本將是考驗產業的一大難題。

三、硅光子芯片面臨的封裝困擾

芯片封裝是任何芯片的必經流程，關于硅光子的芯片封裝問題，這是目前行業的一大痛點。硅光芯片的封裝主要分為兩個部分，一部分是光學部分的封裝，一部分是電學部分的封裝。從光學封裝角度來說，因為硅光芯片所采用的光的波長非常的小，跟光纖存在著不匹配的問題，與激光器也存在著同樣的問題；不匹配的問題就會導致耦合損耗比較大，這是硅光芯片封裝與傳統封裝相比最大的區別。用硅光做高速的器件，隨著性能的不斷提升，pin的密度將會大幅度增加，這也會為封裝帶來很大的挑戰。

四、產業相關的器件難題

硅光芯片需要的器件很多，而目前仍有很多相關技術難題未解決。如硅基光波導主要面臨的產品化問題：硅基光電子需要小尺寸、大帶寬、低功耗的調制器。有源光芯片、器件與光模塊產品是重點器件，如陶瓷套管/插芯、光收發接口等組件技術目前尚未完全掌握。

綜述：在摩爾定律的推動下，經過幾十年的發展，電子芯片逐漸遇到性能瓶頸，尤其是速度與大數據帶來的巨大壓力。光子芯片具有明顯的速度優勢，可使芯片運算速度得到巨大提升。伴隨著人工智能、物聯網發展，光子芯片在智能終端、大數據、超算等領域將發揮巨大作用。

正是有著如此多的優勢和特點，在大數據、生命科學、激光武器等高端領域其作用不可替代。未來，光子芯片的前景廣闊，其應用未必比電子芯片少。可以預見的是， 將來是一個光子芯片、電子芯片平分天下的局面。