時間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計去年上半年NAND閃存價格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年還會降低30％，直到下一輪漲價。
2018年的NAND市場由漲轉跌，這個趨勢還會在今年得到延續(xù)，不過2019年閃存市場上的變數(shù)不只是降價這么簡單，新技術、新產(chǎn)品以及中國廠商的加入都會對這個市場帶來很大的變化。
需求不足跌價成必然
2018年NAND閃存之所以大降價，一個關鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分，相比之前2DNAND閃存的成本高達每GB21美分，成本的降低才讓NAND降價成為可能。
NAND Flash市場在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)調(diào)整，在供過于求的壓力下，2015到2016年市場開始下滑，2017年再度風生水起、漲勢不斷，然而好景象并沒有如期延續(xù)，各家大廠競相強化投資規(guī)模，3DNAND Flash新增產(chǎn)能支持，市場需求卻成長平緩，這也加速了2018年全球NAND Flash價格一路走跌。
受到技術與良率瓶頸，2018年3DNAND良率提升速度并不如預期順利，因而導致次級品在外流通銷售，進而干擾市場價格，對應至終端應用，消費型SSD市場首當其沖。
巨頭為曾經(jīng)的美好還債
苦日子還沒到頭，預計今年NAND閃存的價格還要再跌50％，NAND及SSD廠商這兩年要為前兩年的漲價還債了。
近期發(fā)布財報的西數(shù)就已經(jīng)表露出NAND閃存降價對他們的巨大影響了，當季度西數(shù)營收、盈利同比下滑，雖然NAND閃存位容量出貨增長了28％，但是NAND閃存的加價跌了16％，導致西數(shù)毛利率大幅下滑，增收不增利，而HDD硬盤業(yè)務那部分就不用說了，同比下滑了810萬部，出貨量只剩下3410萬部。
NAND閃存的降價同樣也會影響美光、SKHynix、三星、東芝等公司的財報數(shù)據(jù)，只不過三星、美光、SKHynix這些公司有DRAM內(nèi)存的高價支撐，財報數(shù)據(jù)不會像西數(shù)這么慘。為了減緩NAND價格下跌對公司的影響，從西數(shù)到美光都在減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應，緩解市場對降價的預期。
64層和96層堆棧閃存命運各不同
今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40％。工作電壓從1．8V降至1．2V，同時寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代閃存提升了30％。
另外，第五代V－NAND閃存在制造工藝上也做了優(yōu)化，制造生產(chǎn)效率提升了30％，先進的工藝使得每個閃存單元的高度降低了20％，減少了單位之間的竄擾，提高了數(shù)據(jù)處理的效率。
各個陣營皆可說是磨刀霍霍，美光、英特爾、東芝、西數(shù)及SKHynix也陸續(xù)宣布了自家的96層堆棧3DNAND閃存方案，其中西數(shù)、東芝的96層3D閃存使用的是新一代BiCS4技術，QLC類型的核心容量高達1．33Tb，比業(yè)界標準水平提升了33％，東芝已經(jīng)開發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2．66TB。
國內(nèi)崛起撬動全球市場
2018年全球半導體市場規(guī)模達到1，500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而中國市場消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國已成為全球主要的市場，為了擺脫長期對外采購的依賴，國內(nèi)存儲器芯片自主發(fā)展成為當務之急。
2019年NAND市場上還有一個變數(shù)，雖然它還是初生牛犢，但它是最有可能重塑存儲芯片市場格局的，那就是中國的長江存儲公司2019年會大規(guī)模量產(chǎn)3DNAND閃存，跟三星、東芝、美光等國際NAND廠商形成競爭關系。
長江存儲的32層3DNAND已順利問世，并進入小量生產(chǎn)，但32層堆疊工藝缺乏競爭力，日前長江存儲采取Xtacking架構的64層NAND樣品，已送交給相關供應鏈進行測試。
若進度符合預期，預計最快2019年第3季將可望投產(chǎn)，屆時將有機會轉虧為盈，而長江存儲也規(guī)劃2020年將跳過96層3DNAND，截道超車跨向128層3DNAND。隨著量產(chǎn)技術提升及規(guī)劃產(chǎn)能30萬～45萬片全數(shù)開出，未來將有機會搶進全球約10％市占率。
清華紫光集團同時在其它據(jù)點推展建設進度，包括南京廠與成都廠先后于年底前進入動工階段，合計三大生產(chǎn)基地將投入人民幣1，800億元生產(chǎn)3DNAND芯片，另一方面，紫光集團也頻頻招手英特爾合作，欲傾集團資源之力全速發(fā)展NANDFlash工藝。
國內(nèi)崛起進入NAND Flash市場只是時間問題，雖然2019年仍處于試車階段，但在逐漸增加產(chǎn)出貢獻后，在進行技術轉變的過程中，仍需要解決量產(chǎn)良率的問題，而良率不合格問題產(chǎn)品是否將影響市場秩序，將值得觀察。
今年的產(chǎn)業(yè)變數(shù)巨大
有報道預測，2019年第1季NAND Flash會降10％到15％價格。對此，外資花旗銀行的分析師在最新的報告中，維持了對美商存儲器大廠美光股票的中性頻等，但下調(diào)了美光在2019年的營收及獲利預期，理由就是2019年的整體存儲器市場將面臨大降價的狀況。
在當前市場因為產(chǎn)能過剩、庫存增加的情況下，預計2019的NAND Flash及DRAM都會有一波大降價的情況。其中，NAND Flash的價格會跌45％，DRAM價格會下跌30％。而且，這樣的價價幅度在2019年第2季之前是看不到價格底線的，這也說明了2019年降價的時間至少會維持兩個季度以上。
供應端上，每家64層堆棧的3D－NAND Flash良率已達到成熟階段，再加上陸續(xù)有新產(chǎn)能的投入，即便是96層堆棧的3D－NAND Flash量產(chǎn)時間延后，依舊無法抵擋不斷增長的產(chǎn)出量，不同于內(nèi)存產(chǎn)品可以應用在緩存上，作為各種電子產(chǎn)品主要存儲裝置的閃存，價格下跌的過程往往伴隨著搭載量的提升。
需求端成長趕不上產(chǎn)出增加的速度，因此2019年整年度整個行業(yè)將依舊維持供過于求的格局至年底。