如今，業(yè)界不斷刷新著納米芯片的記錄，這無(wú)疑將在未來(lái)計(jì)算上帶給我們更多的可能性。為此，各國(guó)科研人員不斷進(jìn)行著努力。近日，一個(gè)國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)在報(bào)告中表示，自己在制造納米芯片方面取得了突破性進(jìn)展，或?qū)榧{米芯片的生產(chǎn)以及全球所有納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室，帶來(lái)重大影響。

據(jù)悉，該個(gè)研究團(tuán)隊(duì)由美國(guó)紐約大學(xué)坦頓工程學(xué)院化學(xué)和生物分子工程教授Riedo帶隊(duì)，他們證明了使用加熱到攝氏100度以上的探頭的光刻技術(shù)，要優(yōu)于在二維半導(dǎo)體（例如二硫化鉬（MoS2））上制造金屬點(diǎn)擊的方法，成本更低，有望成為當(dāng)今電子束光刻的替代品。

該團(tuán)隊(duì)將這種新制造方法稱為熱掃描探針光刻（t-SPL），其與當(dāng)今的電子束光刻（EBL）相比具有更多的優(yōu)勢(shì)：首先，熱光刻顯改善了二維晶體管的質(zhì)量，抵消了肖特基勢(shì)壘，阻礙了金屬與二維襯底交界處的電子流動(dòng)；與電子束光刻（EBL）不同，熱光刻技術(shù)使芯片設(shè)計(jì)人員能夠輕松地對(duì)二維半導(dǎo)體進(jìn)行成像，之后在需要的地方對(duì)電極進(jìn)行圖案化； 此外，熱掃描探針光刻（t-SPL）制造系統(tǒng)有望在初期節(jié)省成本；最后，通過(guò)使用平行熱探針，能夠輕松地將該熱制造方法推廣到批量的工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中。

上圖是Elisa Riedo教授和博士生劉翔宇，在紐約大學(xué)Tandon工程學(xué)院PicoForce實(shí)驗(yàn)室，使用他們發(fā)明的熱掃描探針光刻工藝和SwissLitho的NanoFrazor設(shè)備制造高質(zhì)量的2D芯片。

Riedo博士希望t-SPL最終可以從實(shí)驗(yàn)室走向工廠批量制造，為實(shí)現(xiàn)這個(gè)愿景仍需要研究人員繼續(xù)努力，快速推進(jìn)材料科學(xué)與芯片設(shè)計(jì)。有一天，這些t-SPL工具的分辨率將低于10納米，在標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境條件下以120伏電源運(yùn)行。

其實(shí)，Riedo在熱探測(cè)方面的經(jīng)驗(yàn)可以追溯到十多年前，先是在IBM Research-Zurich，后來(lái)才到紐約城市大學(xué)（CUNY）研究生中心高級(jí)科學(xué)研究中心（ASRC）探索金屬納米制造的熱光刻，與該論文的共同第一作者，Xiao rui Zheng和Annalisa Calò一起工作，并擁有瑪麗居里獎(jiǎng)學(xué)金。