2019年4月30日，意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合AEC－Q101 Rev． D標準的汽車級產(chǎn)品。
新HB2系列屬于STPOWER 產(chǎn)品家族，更低（1．55V）的 VCEsat 飽和電壓確保導通性能極其出色；更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關(guān)，提高動態(tài)開關(guān)性能；出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，同時新系列還是市場上極具競爭力的產(chǎn)品。
HB2系列IGBT提供三個內(nèi)部二極管選項：全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護二極管，從而為開發(fā)者提供更多的自由設(shè)計權(quán)，根據(jù)特定應(yīng)用需求優(yōu)化動態(tài)性能。
新650V器件的首款產(chǎn)品40A STGWA40HP65FB2現(xiàn)已上市，采用TO－247長引腳封裝。
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