《電子技術(shù)應(yīng)用》
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近況一覽

2019-05-20

國常會(huì):延續(xù)集成電路軟件企業(yè)所得稅優(yōu)惠政策。5月8日,國務(wù)院總理李克強(qiáng)主持召開國務(wù)院常務(wù)會(huì)議,決定延續(xù)集成電路和軟件企業(yè)所得稅優(yōu)惠政策,吸引國內(nèi)外投資更多參與和促進(jìn)信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展。會(huì)議指出,集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。通過對在華設(shè)立的各類所有制企業(yè)包括外資企業(yè)一視同仁、實(shí)施普惠性減稅降費(fèi),吸引各類投資共同參與和促進(jìn)集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

產(chǎn)新君觀點(diǎn):該政策是對集成電路產(chǎn)業(yè)的明確利好。目前全球半導(dǎo)體行業(yè)處于周期性的低谷期時(shí),5月7日,IHS Markit預(yù)測稱2019年全球半導(dǎo)體芯片行業(yè)的營收將下降7.5%,特別是在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域。在這樣的行業(yè)走低的背景下,稅收優(yōu)惠政策延續(xù)性顯得更為重要。值得強(qiáng)調(diào)的是,優(yōu)惠政策對于國企、民企或是外企企業(yè)是普惠的,有利于促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,激活市場活力。

◆市場聚焦

深圳發(fā)布兩大“芯”政,2023年集成電路產(chǎn)業(yè)收入目標(biāo)突破2000億元。日前,深圳市人民政府辦公廳印發(fā)《深圳市進(jìn)一步推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2019-2023年)》、《關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。根據(jù)《行動(dòng)計(jì)劃》,深圳市規(guī)劃到2023年,建成具有國際競爭力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群,提高設(shè)計(jì)水平和制造工藝水平,提升自主創(chuàng)新能力,突破一批關(guān)鍵核心技術(shù),形成一批骨干企業(yè)和創(chuàng)新平臺,在重點(diǎn)產(chǎn)品和技術(shù)上形成突出的比較優(yōu)勢,支撐和引領(lǐng)深圳市戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。根據(jù)《若干措施》,深圳將從健全完善產(chǎn)業(yè)鏈、核心技術(shù)攻關(guān)、新技術(shù)新產(chǎn)品研發(fā)應(yīng)用、加大投融資力度、完善人才體系等多方面制定具體措施,為該市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力支持。

◆企業(yè)動(dòng)態(tài)

英特爾芯片工藝路線圖曝光。在5月8日召開的投資者會(huì)議上,英特爾宣布,7nm產(chǎn)品將在2021年問世,首發(fā)產(chǎn)品為基于Xe架構(gòu)、面向數(shù)據(jù)中心AI和高性能計(jì)算的GPU通用計(jì)算加速卡。專為高階PC打造的10nm芯片將在今年稍晚時(shí)候推出,服務(wù)器用10納米芯片則預(yù)計(jì)會(huì)在明年初出爐。另外,英特爾公布的線路圖顯示,明后年英特爾將接連出現(xiàn)10nm+、10nm++,7nm在2021年登場后,2022年、2023年英特爾將連續(xù)推出7nm+、7nm++。

三星開始自研GPU計(jì)劃,預(yù)計(jì)未來在Galaxy S系列手機(jī)上搭載。GPU的重要性是除了在智能型手機(jī)上不可或缺的重要零組件之外,還是發(fā)展人工智能(AI)的關(guān)鍵設(shè)備。此前,三星在美國奧斯汀研發(fā)中心新的征才內(nèi)容也表明,該中心正在招聘具備GPU開發(fā)專業(yè)知識的員工。目前正使用 ARM 架構(gòu)GPU的三星,搭配自家 Exynos 處理器時(shí),因架構(gòu)的GPU占據(jù)太多 Exynos處理器空間。與高通或蘋果處理器相較,三星 Exynos處理器性能相對落后。為改善這情況,三星期望在2020年與 ARM 合約到期之后,開始使用自家研發(fā)的GPU,并在Galaxy S系列智能手機(jī)搭載測試。除了藉由自行研發(fā)的GPU來改善自家的 Exynos 處理器效能之外,三星自行研發(fā)的GPU還有一個(gè)重要目的,那就是搶攻人工智能及自駕車的芯片市場。

中芯國際12nm工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。5月8日,晶圓代工廠中芯國際發(fā)布其2019年第一季度業(yè)績報(bào)告。一季度中芯國際營收、凈利均有所下滑,但宣布12nm工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。數(shù)據(jù)顯示,中芯國際一季度實(shí)現(xiàn)銷售額6.69億美元,環(huán)比下降15.1%、同比下降19.5%,中芯國際表示主要由于一季度晶圓付運(yùn)量減少及產(chǎn)品組合改變所致;實(shí)現(xiàn)公司擁有人應(yīng)占利潤1227.2萬美元,環(huán)比下降53.7%,同比下降58.2%。中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官梁孟松透露,中芯國際FinFET研發(fā)進(jìn)展順利,12nm工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,下一代FinFET研發(fā)在過去積累的基礎(chǔ)上進(jìn)度喜人,上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成,開始進(jìn)入產(chǎn)能布建。

10億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅,Cree宣布迄今最大的生產(chǎn)投資。隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場對碳化硅(SiC)的需求持續(xù)增長,國內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。5月7日,Cree發(fā)布新聞稿中表示,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,在美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級工廠。這是Cree有史以來最大的生產(chǎn)投資,將為Wolfspeed碳化硅和碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)業(yè)務(wù)提供動(dòng)能。這次產(chǎn)能擴(kuò)大在2024年全部完工后,將帶來碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和碳化硅材料生產(chǎn)的30倍增長,以滿足2024年之前的預(yù)期市場增長。

至純科技擬募資3.56億元投建半導(dǎo)體濕法設(shè)備及晶圓再生基地。5月7日,至純科技發(fā)布《公開發(fā)行A股可轉(zhuǎn)換公司債券預(yù)案》,擬公開發(fā)行總額不超過人民幣3.56億元的可轉(zhuǎn)換公司債券,募集資金投資建設(shè)半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造項(xiàng)目和晶圓再生基地項(xiàng)目。根據(jù)可行性分析報(bào)告,半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造項(xiàng)目計(jì)劃投資總額1.8億元,擬投入募集資金金額1.2億元。該項(xiàng)目主要開展批次式半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備和單片式半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備的生產(chǎn)制造,建設(shè)周期為2年,達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)批次式半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備30臺,單片式半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備10臺的生產(chǎn)能力。晶圓再生基地項(xiàng)目計(jì)劃投資總額為3.2億元,擬投入募集資金金額2.36億元,建設(shè)內(nèi)容主要包括生產(chǎn)車間建設(shè)及設(shè)備購置。該項(xiàng)目主要開展再生晶圓的加工服務(wù),建設(shè)周期為2年,達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12英寸硅再生晶圓168萬片的產(chǎn)出能力。

Cadence與臺積電合作加速5納米FinFET創(chuàng)新設(shè)計(jì)。Cadence客制/類比工具獲得臺積電領(lǐng)先業(yè)界的5納米制程技術(shù)認(rèn)證,這些工具包括Spectre加速平行模擬器(APS)、Spectre eXtensive分割模擬器(XPS)、Spectre RF選項(xiàng)、Spectre電路模擬器、Voltus-Fi客制電源完整性解決方案、Pegasus驗(yàn)證系統(tǒng)以及VirtuosoR客制IC設(shè)計(jì)平臺,其中包括Virtuoso布局套裝EXL、Virtuoso原理圖編輯器及Virtuoso ADE產(chǎn)品套裝。

◆區(qū)域合作

漳州高新區(qū)“牽手”6億元集成電路項(xiàng)目。近日,第二屆數(shù)字中國建設(shè)峰會(huì)在福州海峽國際會(huì)展中心召開,據(jù)悉,福建省漳州高新區(qū)與福建一輪善淳科技發(fā)展有限公司牽手成功,雙方將共同打造一個(gè)國家集成電路級單晶硅拉棒量產(chǎn)示范廠。據(jù)了解,該項(xiàng)目總投資約6億元,規(guī)劃總建筑面積約為3.7萬平方米,生產(chǎn)8-12英寸集成電路用單晶硅,年產(chǎn)單晶硅約900噸,達(dá)產(chǎn)后估算年銷售收入達(dá)12億元以上。

衢州將打造省級集成電路產(chǎn)業(yè)基地,實(shí)現(xiàn)12英寸生產(chǎn)線零突破。日前,浙江省衢州市政府印發(fā)《衢州市工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型三年行動(dòng)計(jì)劃(2019-2021年)》,計(jì)劃到2021年全市數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心產(chǎn)業(yè)制造業(yè)營業(yè)收入超230億元。《行動(dòng)計(jì)劃》中提及,通過3年努力,打造“一區(qū)一基地”,其中“一區(qū)”指全省產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型示范區(qū),“一基地”指省級集成電路產(chǎn)業(yè)基地。省級集成電路產(chǎn)業(yè)基地將重點(diǎn)發(fā)展集成電路材料和高純電子化學(xué)材料,完善集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃,出臺專項(xiàng)政策,加大支持力度。《行動(dòng)計(jì)劃》將集成電路材料、電子化學(xué)材料、新型元器件及材料、網(wǎng)絡(luò)安全、軟件和信息服務(wù)等列為基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)領(lǐng)域。其中,集成電路材料領(lǐng)域?qū)?shí)現(xiàn)12英寸生產(chǎn)線零突破,帶動(dòng)封裝測試、關(guān)鍵裝備和材料配套發(fā)展,推進(jìn)省級集成電路產(chǎn)業(yè)基地建設(shè);電子化學(xué)材料領(lǐng)域?qū)l(fā)展電子級氫氟酸等各類濕化學(xué)品及電子級硅烷等各類電子特氣,以及液晶顯示材料。

總投資3.65億元,宜昌一集成電路材料項(xiàng)目開工。5月6日,電子化學(xué)品企業(yè)興發(fā)集團(tuán)旗下興力電子3萬噸/年電子級氫氟酸項(xiàng)目在興發(fā)集團(tuán)宜昌新材料產(chǎn)業(yè)園舉行開工奠基儀式。該項(xiàng)目由湖北興力電子材料有限公司投資興建。興力電子成立于2018年,是湖北興發(fā)化工集團(tuán)股份有限公司和Forerunner Vision Holding Limited出資設(shè)立的中外合資企業(yè),主要從事電子級氫氟酸、氟化銨、無水氟化氫、緩沖氫氟酸蝕刻液的生產(chǎn)、研發(fā)、銷售。合作方Forerunner成立于2017年,自成立以來尚未開展實(shí)質(zhì)性業(yè)務(wù),其關(guān)聯(lián)企業(yè)僑力化工股份有限公司1972年成立于臺灣,專注于氟化學(xué)品的貿(mào)易、研究、開發(fā)和生產(chǎn),是少數(shù)100%自主擁有純化10ppt(G5)氫氟酸技術(shù)的企業(yè)。該項(xiàng)目位于興發(fā)集團(tuán)宜昌新材料產(chǎn)業(yè)園,占地面積5.498hm2,總投資3.65億元,建成后總生產(chǎn)規(guī)模為電子級氫氟酸3萬噸/年,電子級氟化銨1.2萬噸/年,BHF1.2萬噸/年。項(xiàng)目分兩期建設(shè),一期投資2億元,具備年產(chǎn)1.5萬噸電子級氫氟酸、6千噸電子級氟化銨、6千噸BHF、6千噸工業(yè)級氫氟酸生產(chǎn)能力。

◆投資并購

廈門發(fā)布招商地圖,圈出半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域六大發(fā)展重點(diǎn)。近年來,廈門聚焦發(fā)展電子信息、裝備制造等五大產(chǎn)業(yè)集群,重點(diǎn)打造平板顯示、半導(dǎo)體和集成電路等12條千億產(chǎn)業(yè)鏈,日前廈門發(fā)改委發(fā)布其招商地圖及投資機(jī)會(huì)清單,對半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域作出招商引資規(guī)劃。根據(jù)招商地圖,廈門在半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)包括以下六個(gè)方面:1.集成電路設(shè)計(jì)、封裝、測試,先進(jìn)封裝載板制造;2.面向物聯(lián)網(wǎng)、智能終端、汽車電子、智能電網(wǎng)、工業(yè)控制等應(yīng)用領(lǐng)域的特色工藝制造(或代工);3.8英寸及以上IGBT、MOSFET等功率器件、MEMS器件制造,第三代化合物半導(dǎo)體研發(fā)制造;4.刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、多線切割機(jī)、自動(dòng)封裝系統(tǒng)、全自動(dòng)晶圓檢測機(jī)等制造;5.硅單晶、硅外延片、靶材、光刻膠、高純化學(xué)試劑、鍵合絲、塑封料等制造;6.LED照明設(shè)計(jì)、智慧照明、健康照明及其外延、芯片、封裝等高端研發(fā)制造。


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