近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司成功過(guò)會(huì)，獲得發(fā)行上市資格。中微公司成立于2004年，聚焦集成電路領(lǐng)域的等離子體刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備和LED芯片領(lǐng)域用薄膜沉積（MOCVD）設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是我國(guó)集成電路設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。
成長(zhǎng)之路的艱辛與曲折
中微能有今天的成就，離不開尹志堯十多年的探索和付出。本科畢業(yè)于中科大的尹志堯，在拿下北京大學(xué)化學(xué)系碩士學(xué)位之后赴美留學(xué)，在加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校拿到了物理化學(xué)博士學(xué)位后，尹志堯進(jìn)入了美國(guó)硅谷工作，先后在因特爾公司、泛林半導(dǎo)體公司、應(yīng)用材料公司等工作了16余年。
2004年，尹志堯回國(guó)創(chuàng)業(yè)，創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體。隨后，尹志堯此前就職過(guò)的應(yīng)用材料公司認(rèn)為其有竊密之嫌，就將中微半導(dǎo)體告上了美國(guó)法庭，但應(yīng)用材料公司沒有找到相應(yīng)的證據(jù)，這場(chǎng)官司最終得到和解。
2009年，泛林半導(dǎo)體又狀告中微半導(dǎo)體專利侵權(quán)，糾纏了四年之久，事件出現(xiàn)了大反轉(zhuǎn)，中微半導(dǎo)體拿出了泛林半導(dǎo)體竊取機(jī)密的證據(jù)，反告泛林半導(dǎo)體，并取得了勝利。
經(jīng)歷兩次失敗之后，美國(guó)并沒有就此罷手，又企圖從供應(yīng)鏈上來(lái)遏制中微半導(dǎo)體的發(fā)展。2017年，美國(guó)一家LED設(shè)備廠商Veeco狀告中微半導(dǎo)體的MOVCD石墨托盤供應(yīng)商侵犯了其專利，要求其停止對(duì)中微半導(dǎo)體供貨，在這一次的博弈當(dāng)中，也以Veeco妥協(xié)而告終。
面對(duì)美國(guó)三番兩次的打擊，中微公司并沒有因此而停滯發(fā)展的腳步，相反，中微公司在刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，并且一發(fā)不可收拾。
打破國(guó)外壟斷，躋身世界半導(dǎo)體廠商前列
刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造十分重要的設(shè)備，此前一直被西方發(fā)達(dá)國(guó)家所壟斷，有一段時(shí)間還被作為出口管制產(chǎn)品。中微公司打破了這種受制于人的情況，研制出國(guó)內(nèi)第一臺(tái)電介質(zhì)刻蝕機(jī)，是我國(guó)集成電路設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。
中微公司十多年來(lái)一直深耕芯片制造刻蝕領(lǐng)域，其生產(chǎn)的刻蝕設(shè)備和MOCVD（有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法）設(shè)備代表我國(guó)刻蝕和薄膜沉積設(shè)備最高技術(shù)水平：
2007年推出雙反應(yīng)臺(tái)Primo D－RIE，適用于65－16納米工藝節(jié)點(diǎn)；
2010年成功開發(fā)電感等離子體深硅刻蝕設(shè)備Primo TSV，采用雙腔設(shè)計(jì)，支持12英寸和8英寸無(wú)縫切換；
2011年推出雙反應(yīng)臺(tái)Primo AD－RIE，適用于45－7納米工藝節(jié)點(diǎn)；
2013年推出單反應(yīng)臺(tái)Primo SSC AD－RIE，適用于45－7納米工藝節(jié)點(diǎn)；并滿足16 納米以下 2D 閃存芯片制造；
2016年首臺(tái)ICP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品Primo nanova研制成功；
2017年推出Primo AD－RIE－e，適用于7納米工藝節(jié)點(diǎn)。
去年12月，中微公司自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)正式通過(guò)臺(tái)積電驗(yàn)證，將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)將在2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
如今，中微與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起，成為全球最先進(jìn)芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機(jī)企業(yè)。
薄膜沉積設(shè)備（MOCVD）是一種高端薄膜沉積設(shè)備，主要用于藍(lán)綠光LED和功率器件等生產(chǎn)加工，是LED器件加工中最關(guān)鍵的設(shè)備。
中微公司于2010 年開始開發(fā)MOCVD設(shè)備，2012年首臺(tái)MOCVD設(shè)備Prismo D－Blue研制成功、2017年推出第二代設(shè)備Prismo A7，目前正在開發(fā)第三代更大尺寸設(shè)備。
此前，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)一直被美國(guó)維科（Veeco）和德國(guó)愛思強(qiáng)（Aixtron）兩家供應(yīng)商長(zhǎng)期壟斷，花了短短9年的時(shí)間，中微從幾乎為零的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率到實(shí)現(xiàn)超過(guò)70％的市場(chǎng)占有率，一舉打破長(zhǎng)期以來(lái)受制于人的局面。
不斷突破自我，實(shí)力更加強(qiáng)大
縱觀中微的發(fā)展歷程，可以說(shuō)是充滿了曲折與艱辛，但是這些磨難沒有阻止中微飛速前進(jìn)的步伐，反而激勵(lì)中微不斷進(jìn)行突破，變得更加強(qiáng)大。
到目前，中微憑借自身的實(shí)力，擁有一大批客戶，刻蝕設(shè)備的主要客戶有臺(tái)積電、中芯國(guó)際、聯(lián)電、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、意法半導(dǎo)體等，薄膜沉積設(shè)備主要客戶包括三安光電、璨揚(yáng)光電、華燦光電、乾照光電。
目前，全球集成電路產(chǎn)業(yè)正在向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中國(guó)也越來(lái)越重視集成電路的發(fā)展，將其視作國(guó)家戰(zhàn)略并出臺(tái)了一系列的優(yōu)惠政策，如今科創(chuàng)板過(guò)會(huì)，中微公司將獲得等多資金來(lái)投入研發(fā)，在此大好機(jī)遇下，中微有望成為一個(gè)國(guó)際一流的半導(dǎo)體裝備制造企業(yè)。