今日，華虹半導體官方宣布，其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現量產。
據介紹，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，創下了全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸紀錄。Flash IP更具面積優勢，光罩層數進一步減少。同時，可靠性指標方面，可達到10萬次擦寫及25年數據保持能。
華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：華虹半導體未來將繼續聚焦200mm差異化技術的研發創新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場，同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優化，將200mm現有的技術優勢向300mm延伸，更好地服務國內外半導體芯片設計公司，滿足市場需求。
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