美國《財富》雜志評選出了15家將改變世界的公司，這些公司的共同特點就是改變了各自領域的游戲規則，可能將會顛覆現有的產業，并帶來新的機遇，半導體行業的入榜的是一家叫科銳（CREE）的美國企業。
科銳成立于1987年，是美國上市公司，為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業領先者。
不允許被收購的公司“你們已經取得了驚人的成就，正在引領一場清潔能源的革命。”這是2011年美國總統奧巴馬在科銳公司演講時重點提到的一句話。作為碳化硅（SiC）半導體全球研發的領先者，科銳的產品在電力電子、光電子等領域都已經廣泛應用，不論是新能源汽車還是智能電網，這個國家最尖端的關鍵設備上都有碳化硅的影子。身為美國總統的奧巴馬曾經三年到訪科銳公司兩次，足見美國政府對科銳的重視。
2016年7月15日，英飛凌宣布將以8．5億美元的現金收購Cree科銳旗下的Wolfspeed公司，消息放出之后，業界驚呼英飛凌的商業帝國越來越大，今后碳化硅（SiC）也是其一家獨大，關鍵時刻特朗普拒絕了英飛凌的收購才穩定了軍心，特朗普給出的原因很簡單也很耳熟，Cree射頻關乎國家安全，不能賣給德國的英飛凌，美國政府的反對讓這次收購沒能進行下去。
到了2018年3月，科銳反過來收購了英飛凌的射頻半導體部門，這一次美國政府沒有阻攔。在這起收購消息發出的前幾天，科銳和英飛凌簽署一份碳化硅（SiC）晶圓長期供貨戰略協議，協議的內容就是科銳將向英飛凌長期供應150mm碳化硅晶圓（即6英寸晶圓）。
對于英飛凌來說，通過這個協議的簽訂，英飛凌由此能夠拓展其碳化硅（SiC）產品范疇，滿足諸如光伏逆變器和電動汽車等快速增長市場的需求。有了科銳保證供應功率半導體所必須的原材料，為了省事兒就可以毫無壓力的賣掉自己的原材料業務，將精力轉移到終端器件的開發上。對于科銳來說，這次收購強化了自己在射頻GaN on－SiC技術領域的領導地位，并提供了進入更多市場、客戶和包裝技術的機會。
絕對的領導地位回顧科銳的成長歷程，就是一部SiC的商用史。1991年發布了第一片商用的SiC襯底材料；1998年推出了首個工業用的GaN－on－SiC射頻器件；2002年發布全球首個商用的SiC功率器件；2011年，Cree推出了業界首款商用碳化硅功率MOSFET；2014年推出首款商用50 A SiC整流器系列；2015年，推出業界首款900V MOSFET平臺，2018年，科銳旗下Wolfspeed推出了E－系列碳化硅半導體器件，是首個實現商業化量產且通過AEC－Q101認證和符合PPAP要求的SiC MOSFET與二極管產品家族。
2018財年科銳的總收入為15億美元，毛利為4．08億美元，毛利率27．3％，研發費用增加至1．643億美元，值得注意的是艾睿電子長期以來都占了科銳綜合收入的10％以上，2018年艾睿電子占其合并總收入的13％。
截至2018年6月24日，科銳擁有2249項美國專利和3261項外國專利的獨家授權方，這些專利的有效期可延長至2041年。強大的技術的背后自然贏得市場的關注，同時也會有巨大的需求，科銳將多數半導體巨頭都變成了其客戶。 科銳的大牛客戶們科銳的客戶們都非等閑之輩，不僅有像英飛凌，意法半導體這樣的半導體巨頭，還有大眾集團這種汽車領域大牛。在過去的一年半里，科銳陸續簽署了四份碳化硅（SiC）材料的長期供貨協議。
2019年1月，科銳與意法半導體簽署長期供貨協議，科銳將向意法半導體供應價值2．5億美元Cree先進的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。ST是目前唯一一家量產汽車及碳化硅器件的半導體公司，科銳此舉牢牢的將SiC業務與汽車半導體鎖在一起，并取得首先進入市場的先機，對推動SiC在汽車和工業領域的應用普及大有裨益。
2019年5月，科銳（Cree）成為大眾集團FAST項目碳化硅（SiC）獨家合作伙伴，大眾汽車集團計劃在未來10年發布近70款新電動車型，而此前只是計劃50款。預計在未來10年，基于大眾汽車集團電動汽車平臺生產的汽車數量將從1500萬輛增加至2200萬輛。大眾汽車集團和科銳將構建一級緊密合作，通過功率模塊供應，為未來的大眾汽車集團汽車提供SiC碳化硅基解決方案。科銳成為大眾的一級供應商有助于加速碳化硅基IGBT模塊／單管在新能源汽車中的加速普及。
2019年8月，科銳再與安森美簽署多年期協議，科銳將為安森美半導體生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片，科銳此舉再次加強自己在汽車半導體的話語權。
在強大的需求的推動下，2019年5月7日，美國科銳（Cree）宣布了一項公司迄今為止最大的投資項目——將在5年內投資10億美元用于擴大碳化硅晶圓產能。該項目包括在美國總部的達勒姆市建造一個自動化的200mm碳化硅晶圓（即8英寸晶圓）工廠（投資4．5億美元）和一個材料超級工廠（投資4．5億美元），其余1億美元用于伴隨業務增長所需要的其他投入。
廣闊的市場前景95％以上的半導體器件和99％以上的集成電路都是由硅（Si）材料制作。但近百年的洗禮，曾經的工業“中流砥柱”硅材料逐漸無法滿足高溫、高壓、抗輻射等方面要求，而碳化硅半導體材料便是繼硅（Si）、砷化鎵（GaAs）之后最為成熟的第三代半導體材料。碳化硅單晶材料在多領域的應用可以實現50％以上的節能效果，可以使裝備體積減小75％。 根據Yole的統計，2017年全球SiC模組市場為2．8億美元，GaN模組的市場規模約為4000萬美元左右；預計至2020年，全球SiC模組市場將達7．8億美元，GaN的模組市場規模也將擴大到1．1億美元左右。
半導體軍備競賽在戰略性新興產業發展方興未艾的時代，全球都在期待碳化硅半導體帶來的奇跡。日本認為未來50％的節能要通過它來實現，創造清潔能源的新時代，在2013年就將碳化硅納入“首相戰略”，政府通過資助富士電機、三菱電機、同和電子、東京大學等機構，研發低成本的SiC電力電子器件和功率模組，應用于電動車、鐵路列車等。
美國為了在第三代半導體取得先機，提升美國在該新興產業方面的國際競爭力，對以碳化硅半導體為代表的第三代寬禁帶半導體產業進行著強力的支持，聯邦和地方政府投入了總計一億四千萬美元的資金支持。美國能源部提出SWITCHES計劃，目的是研制新型寬禁帶半導體材料、器件結構以及制造工藝，提高能量密度，加快開關頻率，增強溫度控制，使電力電子技術的成本更低，效率更高，降低電機驅動和電網電能轉換等應用的能量損耗，使得控制和轉換電能的方式發生重大變革。
歐盟委員會制定了SPEED計劃，聯合德國、法國、意大利、瑞典和英國圍繞材料、外延、器件、應用等SiC全產業鏈突破SiC器件技術，發展下一代SiC基電力電子器件，用于風能發電和新一代固態變壓器。器件耐壓目標是1．7kV和10kV以上。
我國也高度重視和推動產業發展，相繼發布國家計劃，將先進半導體材料的攻克作為戰略重點。目標是2025年實現在高效能源管理中國產化率達到50％；在新能源汽車、消費類電子領域實現規模應用。
與國際大廠相比，中國大陸的碳化硅功率半導體器件研發起步晚，于20世紀末才開始重視SiC的開發，在技術上仍有很大差距，不過截至2018年，中國大陸的SiC已經形成了相對完整的產業鏈。
天科合達天科合達在國內首次建立了完整的碳化硅晶片生產線、實現碳化硅晶體的產業化，打破了國外長期的技術封鎖和壟斷，公司是國內唯一能夠批量、穩定、持續供應工業級碳化硅襯底的供應商，向國內60余家科研機構批量供應晶片2～6英寸碳化硅單晶襯底。
中國電科中電科旗下2所、13所、55所等均在碳化硅產業有布局。其中，中電科2所已實現高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產，其產品有N型4H－SiC襯底材料、高純4H－SiC襯底材料。中電科55所是國內少數從4－6寸碳化硅外延生長、芯片設計與制造、模塊封裝領域實現全產業鏈的企業單位，其6英寸碳化硅中試線已投入運行。中電科48所成功研制出適用于4－6英寸碳化硅材料及器件制造的高溫高能離子注入機、單晶生長爐、外延生長爐等關鍵裝備并實現應用，已通過科技部驗收。
揚杰科技揚杰科技專注于功率半導體領域，現已形成涵蓋功率半導體主要環節的完整產業鏈，盈利能力在國內分立器件行業位于領先地位。已與西安電子科技大學簽約開展第三代半導體材料與器件的產業化應用研究工作。揚杰科技目前已投碳化硅芯片、器件研發及產業化建設項目，提前布局碳化硅產業，把握行業發展先機。公司積極進行碳化硅材料器件開發，有望受益于行業發展紅利，在未來市場競爭中取得先機。
三安光電三安光電是國內運用碳化硅材料生產器件的開創性企業之一。芯片外延工藝積淀加速布局化合物半導體產線。已完成6寸的砷化鎵和氮化鎵部分產線。公司目前在全球擁有五大化合物半導體研發中心，擁有數千件從芯片外延制造到全產業的主流專利積累。產業化項目主要包括高端氮化鎵及其LED芯片、大功率氮化鎵激光器、射頻、濾波器的研發與制造等。
三安光電子公司三安集成宣布已完成了商業版本的6英寸碳化硅晶圓制造技術的全部工藝鑒定試驗，并將其加入到代工服務組合中。公司新發布的碳化硅工藝技術可以生產肖特基二極管，未來將推出MOSFET產品。