隨著半導體技術的發(fā)展，SRAM已不再是可靠的PUF安全解決方案。

　　5G時代的到來，促使每年有數(shù)十億設備連接到網絡，可能的安全漏洞也隨之增加，安全性成為重要議題，是故安全防護能力是不可輕忽的。硬件安全是抵御攻擊時重要的根本方法，換言之，必須有可靠的信任根來保護系統(tǒng)免受黑客攻擊。

　　市場上存在許多尋找或建立信任根的解決方案。 其中，芯片上的PUF（又名物理不可復制的功能）由于其獨特的特征和特性（如隨機性）而受到了最多的關注。  但是，要作為一個完整產品生命周期里安全性之信任和種子的根源，其表現(xiàn)需要相當?shù)目煽啃詠韺共僮鳝h(huán)境因子的變化，例如電壓，溫度，噪聲，干擾等。

　　SRAM PUF特性的缺陷

　　SRAM PUF 主要是通過SRAM中一對MOSFET臨界電壓的局部不匹配特性(local mismatch)實現(xiàn)的，它們會產生一個正反饋環(huán)路，這樣，由于不匹配特性引起的微小差異就會被放大并區(qū)分為0或1，并儲存在SRAM中。0或1的隨機性取決于SRAM中此對MOSFET臨界電壓的微小差異性。

　　由于這種機制，SRAM PUF的萃取隨機值的穩(wěn)定性將受到以下因素的嚴重影響：

　　1） 不匹配程度：隨著晶圓制程技術的不斷精進，一對MOSFET中的不匹配程度將變得微小，這會導致在電源關閉后重新啟動時，SRAM中的儲存數(shù)據(jù)有可能會跟前一次SRAM中儲存的數(shù)據(jù)不同。

　　2） 環(huán)境條件的變化：環(huán)境條件的變化（例如溫度，噪聲，電壓和干擾）將導致SRAM 萃取隨機值發(fā)生變化。

　　如上所述，SRAM這些固有的缺點，用于PUF會導致其初始狀態(tài)不穩(wěn)定，使其成為不良的PUF解決方案。

　　修正SRAM PUF問題所帶來的額外成本

　　為了防止在電源重置期間SRAM初始狀態(tài)發(fā)生變化，需要使用錯誤校正碼（ECC）。 為了恢復原始數(shù)據(jù)，需要存儲和保護輔助數(shù)據(jù)，以便ECC可以使用它們來提取原始數(shù)據(jù)。 此過程非常耗時，因為恢復數(shù)據(jù)將花費更長的時間。保護輔助數(shù)據(jù)也是一個繁瑣的過程，破壞了PUF的目的，PUF的目的應該是簡單而安全的。 此外，如果由于SRAM操作的老化效應而出現(xiàn)更多錯誤位，則SRAM PUF將不可避免地發(fā)生故障。 盡管有多種方法可以提高SRAM PUF的可靠性，但其所需的復雜后處理使其在產品使用周期中仍然存在相當大的使用風險和無效率。

　　市場有任何新的PUF？

　　擁有可靠的PUF對AIoT的安全至關重要。 力旺電子最近提出了NeoPUF，它利用氧化層質量差異造成不同的穿隧電流作為隨機性的來源。該特性非常穩(wěn)定，因為它是材料本質的固有特性，不會受環(huán)境變化的影響。