隨著半導體技術的發(fā)展，SRAM已不再是可靠的PUF安全解決方案。

　　5G時代的到來，促使每年有數(shù)十億設備連接到網(wǎng)絡，可能的安全漏洞也隨之增加，安全性成為重要議題，是故安全防護能力是不可輕忽的。硬件安全是抵御攻擊時重要的根本方法，換言之，必須有可靠的信任根來保護系統(tǒng)免受黑客攻擊。

　　市場上存在許多尋找或建立信任根的解決方案。 其中，芯片上的PUF（又名物理不可復制的功能）由于其獨特的特征和特性（如隨機性）而受到了最多的關注。  但是，要作為一個完整產(chǎn)品生命周期里安全性之信任和種子的根源，其表現(xiàn)需要相當?shù)目煽啃詠韺共僮鳝h(huán)境因子的變化，例如電壓，溫度，噪聲，干擾等。

　　SRAM PUF特性的缺陷

　　SRAM PUF 主要是通過SRAM中一對MOSFET臨界電壓的局部不匹配特性(local mismatch)實現(xiàn)的，它們會產(chǎn)生一個正反饋環(huán)路，這樣，由于不匹配特性引起的微小差異就會被放大并區(qū)分為0或1，并儲存在SRAM中。0或1的隨機性取決于SRAM中此對MOSFET臨界電壓的微小差異性。

　　由于這種機制，SRAM PUF的萃取隨機值的穩(wěn)定性將受到以下因素的嚴重影響：

　　1） 不匹配程度：隨著晶圓制程技術的不斷精進，一對MOSFET中的不匹配程度將變得微小，這會導致在電源關閉后重新啟動時，SRAM中的儲存數(shù)據(jù)有可能會跟前一次SRAM中儲存的數(shù)據(jù)不同。

　　2） 環(huán)境條件的變化：環(huán)境條件的變化（例如溫度，噪聲，電壓和干擾）將導致SRAM 萃取隨機值發(fā)生變化。

　　如上所述，SRAM這些固有的缺點，用于PUF會導致其初始狀態(tài)不穩(wěn)定，使其成為不良的PUF解決方案。

　　修正SRAM PUF問題所帶來的額外成本

　　為了防止在電源重置期間SRAM初始狀態(tài)發(fā)生變化，需要使用錯誤校正碼（ECC）。 為了恢復原始數(shù)據(jù)，需要存儲和保護輔助數(shù)據(jù)，以便ECC可以使用它們來提取原始數(shù)據(jù)。 此過程非常耗時，因為恢復數(shù)據(jù)將花費更長的時間。保護輔助數(shù)據(jù)也是一個繁瑣的過程，破壞了PUF的目的，PUF的目的應該是簡單而安全的。 此外，如果由于SRAM操作的老化效應而出現(xiàn)更多錯誤位，則SRAM PUF將不可避免地發(fā)生故障。 盡管有多種方法可以提高SRAM PUF的可靠性，但其所需的復雜后處理使其在產(chǎn)品使用周期中仍然存在相當大的使用風險和無效率。

　　市場有任何新的PUF？

　　擁有可靠的PUF對AIoT的安全至關重要。 力旺電子最近提出了NeoPUF，它利用氧化層質量差異造成不同的穿隧電流作為隨機性的來源。該特性非常穩(wěn)定，因為它是材料本質的固有特性，不會受環(huán)境變化的影響。