2 月 28 日訊，回想一下，2017~2018 年，什么理財(cái)產(chǎn)品最火爆？

　　答案是內(nèi)存條，一年時(shí)間，小小的內(nèi)存條價(jià)格翻了 3 倍，還經(jīng)常買不到。

　　內(nèi)存（DRAM）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是半導(dǎo)體行業(yè)中體量最大的一塊，無論是手機(jī)、PC 還是服務(wù)器，都需要 DRAM 作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ馈?/p>

　　如果說處理器等領(lǐng)域，中國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)還有些存在感，那么存儲(chǔ)市場(chǎng)就幾乎為零了。現(xiàn)在，一家中國(guó)廠商，發(fā)布了第一顆 DDR4 規(guī)格的內(nèi)存條。

　　“砸“出來的突破

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫與福建晉華，是中國(guó)較為突出的三家存儲(chǔ)芯片企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)主攻 NAND 也就是閃存，長(zhǎng)鑫與晉華則是 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）也就是我們平時(shí)所說的內(nèi)存條。

　　2 月 26 日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式發(fā)布了其 DDR4、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，以及 DDR4 內(nèi)存條、幾款產(chǎn)品均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

　　長(zhǎng)鑫 DDR4 內(nèi)存芯片可匹配主流市場(chǎng)需求，支持多領(lǐng)域應(yīng)用、多產(chǎn)品組合，并有充分的可靠性保障，規(guī)格方面單顆容量 8Gb(1GB)，頻率 2666MHz，電壓 1.2V，工作溫度 0℃至 95℃，78ball、96ball FBGA 兩種封裝樣式。

　　根據(jù)此前消息，這些芯片都采用國(guó)產(chǎn)第一代 1Xnm 級(jí)工藝制造，預(yù)計(jì)到 2020 年底月產(chǎn)能可達(dá) 4 萬片晶圓。LPDDR4X 內(nèi)存芯片號(hào)稱匹配主流需求，兼?zhèn)涓咚俣扰c低功耗，可提供超高續(xù)航能力、超低功耗設(shè)計(jì)、穩(wěn)定流暢體驗(yàn)，規(guī)格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃至 85℃，200ball FBGA 封裝。

　　LPDDR4X 內(nèi)存芯片在規(guī)格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃至 85℃，200ballFBGA 封裝。

　　除了芯片以外，長(zhǎng)鑫還推出了成品內(nèi)存條，采用自家的原廠內(nèi)存顆粒，容量為 8GB，DDR4，頻率為 2666Hz。

　　當(dāng)然，這還不意味著你馬上就能買到國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存條，目前產(chǎn)品還未上架，長(zhǎng)鑫已開始接受上述產(chǎn)品的技術(shù)和銷售咨詢，預(yù)計(jì)近期上市。

　　盡管在行業(yè)研發(fā)上 DDR4 不算是最先進(jìn)的技術(shù)，但是在消費(fèi)市場(chǎng)，DDR4 內(nèi)存還是主流，頻率上也處在平均水準(zhǔn)。

　　合肥長(zhǎng)鑫于 2016 年由兆易創(chuàng)新、中芯國(guó)際前 CEO 王寧國(guó)與合肥產(chǎn)投簽訂協(xié)議成立，主要股東為合肥市政府與北京兆易創(chuàng)新，目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)員工總數(shù)超過 2700 人，技術(shù)人員超過 500 人。CEO 朱一明也是兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人，后者是全球最大的 NORFlash 供應(yīng)商。

　　長(zhǎng)鑫的建立和規(guī)劃，是半導(dǎo)體行業(yè)典型的“舉國(guó)體制”。

　　2017 年 9 月，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期宣布入股國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商兆易創(chuàng)新，取得約 11%股權(quán)，成為了其第二大股東。

　　次月，兆易創(chuàng)新發(fā)布公告，宣布與合肥產(chǎn)投簽署合作協(xié)議，研發(fā) 19nm 制程的 12 英寸晶圓 DRAM，預(yù)算為人民幣 180 億元，兆易創(chuàng)新出資 20%，預(yù)計(jì)在 2018 年底前研發(fā)成功，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于 10%。

　　最終 19nm 姍姍來遲。2019 年，在安徽合肥召開的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約 1500 億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，整個(gè)制造基地項(xiàng)目總投資超過 2200 億元，長(zhǎng)鑫也正式宣布自主研發(fā)的基于 19nm 工藝制造的 8GbDDR4 芯片正式量產(chǎn)。

　　2019 年 12 月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司公布其最新的 DRAM 技術(shù)路線圖，將采用 19nm 工藝生產(chǎn) 4Gb 和 8GbDDR4，目標(biāo)在 2020 年一季度實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。目前長(zhǎng)鑫月產(chǎn)能約為 2 萬片。另外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。

　　韓國(guó)半導(dǎo)體在各種超大規(guī)模的投資和收購(gòu)中逐漸成長(zhǎng)，我國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)也走在這樣的路上。

　　靠“買買買”追趕技術(shù)的長(zhǎng)鑫

　　目前，全球 DRAM 市場(chǎng)基本上被美韓瓜分，三星、SK 海力士、美光的全球市場(chǎng)份額合計(jì)在 95%左右，而中國(guó)龐大的需求，只能依賴進(jìn)口解決。

　　數(shù)據(jù)顯示，從 2008 年開始，我國(guó)集成電路進(jìn)口額超過原油，連續(xù) 11 年成為我國(guó)第一大宗的進(jìn)口商品；2019 年 1~9 月存儲(chǔ)芯片進(jìn)口量為 2.5 億臺(tái)，累計(jì)增長(zhǎng) 9.5%，進(jìn)口金額為 1139 億元，累計(jì)增長(zhǎng) 4%。

　　2018 年內(nèi)存條成為理財(cái)產(chǎn)品的情景還歷歷在目，要想穩(wěn)定市場(chǎng)價(jià)格，打破壟斷，就需要國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商們提升技術(shù)實(shí)力。

　　但是，半導(dǎo)體行業(yè)后來者入局難，除了需要投入高額的研發(fā)費(fèi)用以外，專利也是關(guān)鍵的門檻。行業(yè)巨頭完全可以通過專利來打擊那些新入局的玩家，畢竟大量的專利掌握在大公司手里。

　　福建晉華就因?yàn)閷＠麊栴}吃了大虧，不僅被禁售，DRAM 的研發(fā)計(jì)劃也被叫停。

　　而長(zhǎng)鑫最關(guān)鍵的一波操作，是 2019 年，吃下了已經(jīng)破產(chǎn)的原歐洲存儲(chǔ)芯片巨頭奇夢(mèng)達(dá)的大量專利。

　　2019 年 5 月，長(zhǎng)鑫 CEO 朱一明在演講中第一次披露了公司的專利情況，他表示長(zhǎng)鑫從已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)處獲得了大量專利，并且在這個(gè)基礎(chǔ)上進(jìn)行了創(chuàng)新，專利申請(qǐng)數(shù)量達(dá)到了 16000 個(gè)，還有 1000 多萬份、約 2.8TB 有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件。

　　2019 年底，長(zhǎng)鑫又宣布其與 WiLANInc. 合資子公司 PolarisInnovationsLimited 有關(guān)達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。

　　依據(jù)專利許可協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從 Polaris 獲得奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）大量 DRAM 技術(shù)專利的實(shí)施許可，包括與 DRAM、FLASH 存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體工藝、半導(dǎo)體制造、光刻（lithography）、封裝、半導(dǎo)體電路和存儲(chǔ)器接口（MemoryInterfaces）相關(guān)的技術(shù)，其中包括約 5000 種美國(guó)專利和申請(qǐng)。

　　專利不僅僅是為了提升技術(shù)實(shí)力，更是為了繞過專利的封鎖圍堵。

　　當(dāng)然，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)依然是處在追趕階段。目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)把將奇夢(mèng)達(dá)的 46nm 工藝改進(jìn)到了 10nm 級(jí)別，但制程也有高低之分。

　　如果用制程節(jié)點(diǎn)表示，1xnm 制程相當(dāng)于 16~19nm，1ynm 制程相當(dāng)于 14~16nm，1znm 制程相當(dāng)于 12~14nm，此外行業(yè)還規(guī)劃了 1α、1β和 1γ節(jié)點(diǎn)。

　　其中，長(zhǎng)鑫的 10nm 存儲(chǔ)芯片屬于第一代的 1xnm，而美光與 SK 海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代 1ynm 制程。今年初的 CES 上，美光就展示了基于 1ynm 的 12GLPDDR5 內(nèi)存，由小米 10 首發(fā)，同時(shí)美光也表示今年晚些時(shí)候會(huì)推出 1znm 級(jí)的產(chǎn)品。

　　而三星電子則是正式宣布已開始量產(chǎn)用于旗艦級(jí)手機(jī)的 16GBLPDDR5 內(nèi)存，還計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)基于 10nm 級(jí)（1z）處理技術(shù)的 16GBLPDDR5 內(nèi)存。

　　除了制程以外，產(chǎn)能也需要提升。

　　長(zhǎng)鑫第一期投資約為 72 億美元，預(yù)計(jì)產(chǎn)能就有 12.5 萬片晶圓 / 月。當(dāng)然這是理想結(jié)果，長(zhǎng)鑫預(yù)計(jì) 2019 年底能達(dá)到 4 萬片晶圓 / 月，達(dá)到全球產(chǎn)能的 3%。作為對(duì)比，三星等巨頭單月產(chǎn)量能達(dá)到 130 萬片，還有較大差距。

　　2020 年，回暖的存儲(chǔ)市場(chǎng)

　　DRAM 是計(jì)算設(shè)備的核心組件之一，由于龐大的需求量，DRAM 一直是半導(dǎo)體行業(yè)出貨的主力軍。

　　ICInsights《2020~2024 年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》顯示，DRAM 在 2019 年預(yù)期銷售金額將下降 38%，但仍將成為所有半導(dǎo)體產(chǎn)品中銷售金額最大的產(chǎn)品，占總半導(dǎo)體銷售總金額 17%，市場(chǎng)將達(dá) 620 億美元規(guī)模。

　　銷售額下降主要是因?yàn)?2018 年價(jià)格的飛漲，這一年也是自 1990 年以來，DRAM 銷售額首次超過微處理器（MPU）的總銷售額。

　　2018 年前后熱炒內(nèi)存，是由于上游閃存顆粒嚴(yán)重缺貨，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片難產(chǎn)，價(jià)格因此瘋漲。而廠商們嗅到了商機(jī)，因此開始擴(kuò)充產(chǎn)能，以填補(bǔ)市場(chǎng)空缺。

　　但隨后市場(chǎng)開始低迷，產(chǎn)能過剩，存儲(chǔ)芯片價(jià)格又開始走跌。

　　目前，市場(chǎng)開始穩(wěn)定下來，一些機(jī)構(gòu)預(yù)熱今年市場(chǎng)將回溫。ICInsights 的報(bào)告就指出，部分存儲(chǔ)芯片廠重啟產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，預(yù)計(jì) 2020 年及 2021 年全球新增晶圓產(chǎn)能將大幅增加，進(jìn)入高速擴(kuò)張期。

　　任天堂、索尼、華為、蘋果存儲(chǔ)芯片的主要供應(yīng)商臺(tái)灣旺宏電子（Macronix）也預(yù)測(cè)，2020 年存儲(chǔ)芯片價(jià)格將反彈，市場(chǎng)需求也將穩(wěn)定復(fù)蘇。

　　除了價(jià)格周期以外，技術(shù)的更新?lián)Q代也將到來。

　　回顧歷史，2000 年推出了 DDR，2003 年 DDR2，2007 年 DDR3，2014 年 DDR4。按照規(guī)劃，2020 年開始 DDR5 會(huì)逐漸走入消費(fèi)市場(chǎng)，首先是移動(dòng)設(shè)備，然后是 PC。

　　此外，5G 和云的持續(xù)發(fā)展，也是存儲(chǔ)市場(chǎng)回暖的一個(gè)推手。

　　5G 網(wǎng)絡(luò)的推進(jìn)，也會(huì)促進(jìn) LPDDR5 的應(yīng)用與普及，高速的網(wǎng)絡(luò)需要高速的存儲(chǔ)性能與之配套。美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁 ChristopherMoore 就表示，5G 網(wǎng)絡(luò)的部署將大大促進(jìn) LPDDR5 的應(yīng)用與普及。

　　此外，服務(wù)器端、云存儲(chǔ)、汽車等領(lǐng)域，都將逐漸采用 DDR5 規(guī)格，用來滿足日益增長(zhǎng)的性能需求。到 2022 年前后，DDR5/LPDDR5 有望超越 DDR4 成為市場(chǎng)主流。

　　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的規(guī)劃圖顯示，公司下一代將推出第二代 10nm（17nm）技術(shù)，DDR5 也在下一期規(guī)劃當(dāng)中。

　　總之，今年是存儲(chǔ)市場(chǎng)開始回暖的一年，對(duì)于中國(guó)存儲(chǔ)來說，長(zhǎng)鑫的 DDR4 是一個(gè)節(jié)點(diǎn)，標(biāo)志著中國(guó)的 DRAM 在應(yīng)用市場(chǎng)追上了主流水平。不過，技術(shù)上的差距仍然肉眼可見。

　　未來幾年，隨著 PC 市場(chǎng)也開始過渡到 DDR5。以后的國(guó)產(chǎn)手機(jī)上，說不定就會(huì)裝著我們國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存，這對(duì)于進(jìn)一步國(guó)產(chǎn)化來說，是不小的里成本。相信在未來，我國(guó)的科技企業(yè)也會(huì)不斷進(jìn)步，獲得更大的成功。