中國(guó)北京（2020年5月12日） - 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，與領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。同時(shí)，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥睿科微（Reliance Memory）簽署了授權(quán)協(xié)議 。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和睿科微獲得180多項(xiàng)RRAM技術(shù)相關(guān)專利和應(yīng)用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲(chǔ)器RRAM 領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲(chǔ)解決方案。 

RRAM作為一種非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)方式，能夠在改變電壓的前提下，通過(guò)改變電介質(zhì)的電阻進(jìn)行存儲(chǔ)。 RRAM擁有獨(dú)特物理與器件特性，可在工藝后端線(BEOL) 以列陣結(jié)構(gòu)制造，其列陣結(jié)構(gòu)的低電壓特性能夠有效降低MCU產(chǎn)品中嵌入式非易失性存儲(chǔ)解決方案的功耗，非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用; 此外，根據(jù)學(xué)術(shù)界與行業(yè)發(fā)表的相關(guān)文獻(xiàn)，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）。                                            

兆易創(chuàng)新是一家扎根中國(guó)，服務(wù)全球的國(guó)際化公司，兆易創(chuàng)新一直密切關(guān)注存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，積極進(jìn)行戰(zhàn)略布局，開(kāi)拓具有差異化的細(xì)分市場(chǎng)。早在2018年5月，兆易創(chuàng)新就攜手Rambus以及其他全球知名半導(dǎo)體投資機(jī)構(gòu)創(chuàng)辦了以RRAM技術(shù)為核心業(yè)務(wù)的合資公司合肥睿科微。 

兆易創(chuàng)新董事長(zhǎng)朱一明先生表示：“兆易創(chuàng)新一直以創(chuàng)新為己任，多年來(lái)致力新技術(shù)革新，強(qiáng)化產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，重視核心專利， 此次獲得Rambus和睿科微針對(duì)RRAM技術(shù)的授權(quán)，有助于我們?yōu)榭蛻籼峁└邉?chuàng)新特色的存儲(chǔ)解決方案。”

Rambus技術(shù)合作和企業(yè)發(fā)展高級(jí)副總裁Kit Rodgers表示：“兆易創(chuàng)新在全球閃存領(lǐng)域已取得顯著的成績(jī)，我們很高興能夠?qū)RAM專利方案授權(quán)給兆易創(chuàng)新，此次授權(quán)能夠幫助其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域開(kāi)發(fā)創(chuàng)新型的解決方案，并加速其商用的進(jìn)程。

關(guān)于兆易創(chuàng)新(GigaDevice)

北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司(股票代碼603986)是SPI NOR Flash領(lǐng)域全球領(lǐng)先的Fabless供應(yīng)商，公司成立于2005年4月，總部設(shè)于中國(guó)北京，在全球多個(gè)國(guó)家和地區(qū)設(shè)有分支機(jī)構(gòu)，營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)遍布全球，提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務(wù)。公司致力于各種高速和低功耗存儲(chǔ)器、微控制器系列產(chǎn)品的設(shè)計(jì)研發(fā)，已通過(guò)DQS ISO9001及ISO14001等管理體系的認(rèn)證，并與多家世界知名晶圓廠、封裝測(cè)試廠結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同推進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。