就像人腦中有專門負責記憶功能的記憶區，智能設備也都必須要有具備“記憶功能”的存儲器。
所以理所當然的，存儲器成為半導體產業的重要分支。全球半導體協會數據顯示，存儲芯片產業 2019 年全球銷售額約1200億美元，約占全球半導體市場營收4121億美元的30％。
但是過去中國在核心技術上長期受制于人，存儲器這個領域，中國市場對美日韓企業的依賴尤其嚴重。
存儲器市場被瓜分殆盡
中國是全球最大的半導體市場，同樣也是最大的存儲器市場。中國半導體行業協會數據顯示，2019 年半導體存儲器國內市場規模為 415．8 億美元，占據近 35％的全球銷售額。也就是說，我國的存儲器市場規模在全球占比超過1／3。
然而，在龐大的市場規模下，芯片嚴重依賴進口，仍然是國內存儲器產業多來年的真實處境。
長期以來，我國都不具備存儲芯片自產能力。國內相關市場被美光、西部數據、鎧俠（東芝）、三星、 SK 海力士這些美日韓企業完全把持。
這就導致了很嚴重的兩個后果：其一，中國智能終端市場的大額利潤被國際巨頭攝取，很多終端廠商做硬件都不賺錢；其二，一旦發生貿易摩擦，國內存儲芯片被長期斷供，幾乎所有國產終端設備廠商都將面臨滅頂之災。
舉一個大家熟悉的例子，同款智能手機的低配或者高配，由RAM（隨機存取存儲器）和ROM（只讀存儲器）是4GB＋64GB還是8GB＋512GB的不同組合決定，差價會有數千元。但是因為國內企業并不具備存儲芯片自產能力，所以只能任憑中間的利潤大頭被美光、三星這些國際存儲器巨頭拿走。
而一旦美光、鎧俠（東芝）、三星這些國際巨頭決定對華為或者其他國產廠商斷供存儲器芯片。長期斷供之后，因為在國內找不到替代方案，國產廠商一臺手機都生產不出來，這就是實實在在的“卡脖子”威脅。
近幾年，國際貿易市場的不確定性不斷提高，國內存儲器市場對全球巨頭的依賴，成為了中國IT產業發展的致命軟肋。
因此，必須盡快扭轉存儲器市場受制于人的現狀。
長江存儲逆勢突圍
在現狀與困境之下，背負著打破國內存儲產業發展困局使命的國內三大存儲企業（武漢長江存儲、合肥長鑫、福建晉華）相繼發力。其中，NAND閃存作為存儲芯片的重要產品之一，是長江存儲要重點攻克的領域所在。
相關項目從2014年10月開始啟動，到2016年7月長江存儲有限責任公司成立，其32層3D NAND閃存測試芯片設計已經完成。到2017年11月，32層3D NAND閃存實現首次流片，并于2018年第三季度實現量產。
這個進度比起全球最大存儲器巨頭三星晚了4年多，所以在市場中并沒有引起太大的反響。但這只是長江存儲發力沖擊市場格局的蓄力期，在此之后長江存儲不斷加速。
2018年8月，搭載長江存儲自研Xtacking技術架構的64層3D NAND閃存實現流片，2019年9月實現量產，把和三星的差距縮短到了2年內。
得益于 Xtacking架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優化，長江存儲64 層 TLC 產品在存儲密度、I／O 性能及可靠性上廣受好評，真正意義上走通了一條高端存儲芯片設計制造的創新之路。
到2020年4月，長江存儲官宣128層3D NAND閃存研發成功并在多家客戶通過驗證，直接從64層跨過主流的72／96層直接進入128層。預計將于2020年年底至2021年年初實現量產。和三星的差距，也縮短到了1年內。
（NAND廠商技術發展趨勢，圖片來自于天風證券）
這意味著，今年底到明年初，在市場中我們就可以見到搭載國產128層3D NAND閃存芯片的產品，并且相關產品的表現將會不遜于三星、美光這些國際大廠的同類產品。
短短6年時間，在千百工作人員夜以繼日的奮力拼搏下，長江存儲不負重任，終于完成對國內空白的填補，并有望打破三星、美光這些國際巨頭對中國市場的壟斷。
產業生態互惠共贏
立項以來短短6年時間，長江存儲不斷取得突破，成功打破了國內3D NAND閃存芯片“零自主”的困局。
然而長江存儲取得如此成就并不是靠單打獨斗，它取得的成功，也不只是一家存儲器芯片IDM廠商的成功。
為了實現存儲器芯片的生產，長江存儲需要搭建自己的生產線和工廠。需要用到硅片、化學液體、特種氣體等半導體材料；PVD、刻蝕、熱處理設備、介質刻蝕設備、清洗設備等半導體設備。
長江存儲盡量選擇和國產半導體材料廠商、設備廠商合作，給晶瑞股份、華特氣體、北方華創、中微公司這些上游國產廠商帶來大量的訂單。
為了進行客戶驗證，長江存儲需要和群聯、威剛、慧榮這些下游渠道商建立緊密的合作關系。同時他們也可以幫助長江存儲更快、更好地適應市場。
所以長江存儲不斷取得成功，也帶動了國內存儲器產業上下游實現生態共贏，讓中國有望全面擺脫存儲器這個半導體產業核心領域被“卡脖子”的威脅。這對中國整個半導體產業的持續健康發展，都會產生巨大的推動作用。
反守為攻的曙光
年初疫情爆發以來，全球在線教育、在線辦公、在線娛樂、電子商務需求陡增。客觀來看，這其實大大加速了全球數字化社會建設的進程。
與之相伴的是，全球云計算、服務器市場的高速增長。在中國，這種趨勢更加明顯。同時在新基建加速落實的熱潮中，5G、人工智能、物聯網技術加速落地，中國存儲器市場需求強勁增長。
這時長江存儲帶領國內存儲器產業取得重大突破，實現128層3D NAND閃存芯片成功自研，可謂是恰逢其會。
只要長江存儲實現128層3D NAND閃存芯片量產之后，芯片的可靠性、可用性能夠再次讓國內市場滿意。那么以中國市場的巨大規模所能提供的強勁助力，可以讓長江存儲在短短幾年內就躋身于國際巨頭行列，參與國際競爭。
到那時，長江存儲就會踏出中國核心技術反守為攻的第一步。