繼WIFI6（802.11ax）推出之后，802.11be（Extremely High Throughput）新的標準被提出，以此類推，WIFI聯盟將會把802.11be標準命名為WIFI7。
信息技術日新月異，造福了人類，苦了電子和芯片行業打工人。但也正是這樣的苦，我們這些產業打工人才有機會。
WIFI技術始于1999年，從802.11b到802.11a/g經歷了4年。到2009年，正式開始802.11n WIFI標準并被命名為WIFI4。從WIFI4到WIFI5，又花了4年，開啟802.11ac標準。從WIFI5到WIFI6/6E為6年時間，開始新標準802.11ax。2020年時WIFI6的元年，盡管802.11be標準已經被推出，但真正實現WIFI7商用，預計在4-5年以后。
來源：是德科技
從最初的1Mbps到目前802.11ax（Wi-Fi6）的9.6Mbps峰值速率。技術標準迭代主要是通過帶寬拓展、信道編碼效率提升、MIMO技術、數據鏈路層改進等機制來提升WIFI數據傳輸的吞吐量和性能。
OFDMA多址接入技術，可以改善密集用戶接入產生的延時問題，減少由于信道競爭機制導致的網絡擁塞。OFDMA多址接入系統將傳輸帶寬劃分成正交的互不重疊的一系列子載波集，將不同的子載波集分配給不同的用戶實現多址。OFDMA系統可動態地把可用帶寬資源分配給需要的用戶，很容易實現系統資源的優化利用。由于不同用戶占用互不重疊的子載波集，在理想同步情況下，系統無多戶間干擾，即無多址干擾（MAI）。
IEEE組織已經計劃在Wi-Fi 6的OFDMA多址接入機制及其他相關技術的基礎上，為了繼續提升性能，在頻率、帶寬、頻帶或信道聚合等物理層上深入研究，提出新的WIFI標準IEEE 802.11be標準。
來源：是德科技
越往WIFI6、WIFI7走，對射頻前端的要求就越高，對工藝的要求也越高。
WIFI4，802.11n：
2.4G路由器走入千家萬戶，射頻前端的機會就是2.4G FEM，主要是對高功率的需求，中低功率已經被集成，Skyworks和Qorvo已經不再更新這個標準的產品，早期產品采用砷化鎵工藝。
WIFI5，802.11ac：
這個標準引入了5.8GHz頻段，開啟2.4G和5.8G雙頻路由器。射頻前端機會有2.4G FEM和5.8G FEM。
2.4G FEM，剛開始每個路由器都會加，后來路由器平臺集成的射頻前端輸出功率也能到19~20dBm，基本上就不外加了。Skyworks提供過砷化鎵的2.4G FEM，也提供過鍺硅（SiGe）工藝的2.4G FEM。Qorvo堅持砷化鎵工藝。
5.8G FEM，7年前Skyworks第一次推出砷化鎵工藝的5.8G FEM，輸出功率20dBm@EVM-35dB。后來做了一顆2*2封裝的鍺硅（SiGe）工藝5.8G FEM，看下來是不成功的，成本還不錯，性能要差一些。Qovor堅持做砷化鎵工藝5.8G FEM。后來MTK平臺采用DPD功能，把集成5.8G FEM輸出功率也做到了19dBm，外加5.8G FEM的機會就少了。
WIFI6，802.11ax：
2.4G FEM，Skyworks和Qorvo都一致地轉向了鍺硅（SiGe）工藝，性能測試下來還不錯。鍺硅（SiGe）工藝最好的還是GF，也是國外廠家選擇的代工廠。鍺硅（SiGe）工藝研發成本高，設計難度大，國內熟悉這個工藝的研發人才稀缺，好處是設計階段的仿真比較準，生產一致性高，但成本對比下來跟砷化鎵差不多。鍺硅（SiGe）工藝開發的FEM電流好那么一點，三伍微研發的砷化鎵WIFI6 FEM與SKY最新的FEM對比，三伍微FEM工作電流150mA@3.3V@DVM-43dB，而SKY FEM工作電流為135mA@3.3V@DVM-43dB，差15mA。
5.8G FEM，Skyworks和Qorvo都采用砷化鎵工藝，國外做過這兩種工藝的研發體會是，兩種工藝都能做，但鍺硅（SiGe）工藝相比砷化鎵工藝總是差那么一點點。隨著對設計和性能的要求越高，鍺硅（SiGe）工藝越力不從心，不得不采用砷化鎵工藝。
在WIFI6主芯片技術上，尤其是底層的軟件協議，MTK與高通和博通還是有差距的，國內芯片廠家差距更大，國內能在2年后量產WIFI6主芯片就已經很不錯了。MTK的優勢也很明顯，技術均衡，在基帶芯片、軟件協議、射頻收發、射頻前端等技術上都很不錯，尤其是在射頻前端技術上世界領先。
因此，MTK WIFI6低端方案可以不采用2.4G WIFI6 FEM和5.8G WIFI6 FEM，射頻前端全部集成實現功率輸出。高通和博通做不到，國內其他廠家更做不到。
當然，隨著WIFI6的到來，不同國家的頻段發生了改變，中國維持不變，估計以后也不會改變。但美國和巴西已經把WIFI頻段拓展到了7.2GHz，日本可能會跟進。歐洲把頻段上升到6GHz。由于頻段的改變，WIFI FEM前端芯片也需要改變，頻率越高，帶寬越寬，對設計和工藝的要求越高，工藝選擇依然是砷化鎵。同時，射頻前端被集成的難度越來越大。
WIFI7，802.11.be：
2.4G FEM，鍺硅（SiGe）工藝和砷化鎵工藝都會存在。
5.8G FEM，個人認為只能是砷化鎵工藝，主芯片集成射頻前端的難度更大了，FEM外掛將是主流。
頻率越高、帶寬越寬、速率越快，芯片研發的難度越大，砷化鎵工藝相對還是有優勢的，所以砷化鎵將是WIFI FEM的主流工藝和未來方向。
盡管MTK很厲害，持續地挑戰集成射頻前端，但事實是WIFI FEM的市場需求規模不是越來越小，反而是越來越大。對路由器市場來講，集成不會是主流，隨著WIFI技術不斷向前發展，市場應用越來越廣，對射頻前端的要求越來越高，射頻前端FEM機會多多。