11月10日，存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)宣布，全球首款176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器已正式出貨，藉此將實(shí)現(xiàn)前所未有、領(lǐng)先業(yè)界的儲(chǔ)存容量和效能。預(yù)計(jì)透過(guò)美光新推出的176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)及先進(jìn)架構(gòu)，可大幅提高資料中心、智慧邊緣運(yùn)算以及手機(jī)裝置等儲(chǔ)存使用案例的應(yīng)用效能。

美光指出，176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器是美光第五代3D NAND產(chǎn)品，以及第二代替換閘（Replacement Gate）架構(gòu)，是市場(chǎng)上技術(shù)最先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn)。

與上一代的高容量3D NAND相比，美光176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器的讀取延遲和寫(xiě)入延遲改善超過(guò)35%，可大幅提高應(yīng)用的效能。此外，美光的176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)精巧，是小尺寸解決方案的理想選擇。

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer表示，美光的176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器為業(yè)界樹(shù)立了新標(biāo)竿。而且結(jié)合美光的CuA（CMOS-under-array）架構(gòu)，該技術(shù)使美光得以維持在產(chǎn)業(yè)中的成本領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

美光進(jìn)一步指出，新推出的176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器提供更好的服務(wù)品質(zhì)（QoS)，此為資料中心SSD的關(guān)鍵設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，可以加速資料密集環(huán)境和工作負(fù)載，例如資料庫(kù)、人工智能引擎、以及大數(shù)據(jù)分析等。對(duì)5G智能手機(jī)而言，強(qiáng)化的服務(wù)品質(zhì)（QoS）使其能更快地在多個(gè)應(yīng)用程式之間進(jìn)行載入和轉(zhuǎn)換，創(chuàng)造更流暢且快速的手機(jī)使用體驗(yàn)。

美光強(qiáng)調(diào)，隨著摩爾定律的放緩，美光在3D NAND產(chǎn)品上的創(chuàng)新對(duì)確保業(yè)界跟上不斷增加的資料需求至關(guān)重要。為了實(shí)現(xiàn)此里程碑，美光獨(dú)家結(jié)合其堆疊式替換閘架構(gòu)、嶄新的電荷捕捉儲(chǔ)存方式以及CuA（CMOS-under-array）技術(shù)。美光3D NAND專家團(tuán)隊(duì)亦利用公司的CuA專利技術(shù)取得飛快的進(jìn)展，在芯片邏輯上建造多層次堆疊，使更多存儲(chǔ)器能夠裝入更緊密的空間，并大幅度地縮小了176層NAND快閃存儲(chǔ)器的晶粒尺寸，進(jìn)而使每個(gè)晶圓達(dá)到更高的GB。

美光176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器目前已于美光新加坡晶圓廠量產(chǎn)，并透過(guò)Crucial消費(fèi)型SSD產(chǎn)品系列向客戶出貨。美光預(yù)計(jì)于2021年度推出采用此技術(shù)的其他新產(chǎn)品。