中國存儲器制造大廠長江存儲，傳出今年產出將倍增，并計劃投產先進芯片，杠上三星電子、美光等行業巨頭。
日經亞洲評論12 日引述未具名消息人士報導，長江存儲計劃在2021下半年，將存儲器芯片的月產量倍增至10 萬片硅晶圓，約占全球產出7%。相較之下，全球最大NAND 型快閃存儲器制造商三星的月產出為48 萬片硅晶圓，美國最大存儲器廠商美光（Micron Technology, Inc.）則月產18 萬片硅晶圓。
除了擴產現有芯片，長江存儲也打算加快科技發展進程，消息透露，長江存儲最快2021年中就會試產第一批192 層3D NAND 快閃存儲器，目前生產的是64 層與128 層芯片。
雖然計劃可能拖延至2021 下半年，也需要時間確保量產品質，但這項時間表對于中國本土芯片業者而言仍是一大進步。三星、美光仍在努力開發176 層3D NAND，能量產的最先進版則是128 層芯片。如果順利的化這將是中國公司在存儲器領域首次領先三星、美光等國際巨存儲頭。
長江存儲計劃中的192 層芯片，定義上確實比三星、美光先進，但市場觀察人士依舊抱持謹慎態度，認為應看看長江存儲產品的效能、品質能否超越領導業者。長江存儲是在2020 年4 月宣布開發完成，并于同年底量產128 層NAND。消息顯示，目前良率約70%，依舊有改善空間。長江存儲的客戶包括聯想集團及華為。
科技市調機構IC Insights 6 日發表研究報告指出，即使長江存儲（YMTC）、長鑫儲存（CXMT）努力打造新IC 生產線，到了2025 年，中國還是會有高于50% 的IC 是由外國廠商（如SKHynix、三星、臺積電、聯電）晶圓代工廠生產。
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