哈工大在國家急需時刻從不缺席，現(xiàn)在國家急需光刻機。哈工大的DPP-EUV光源出來，真的是史詩級成果，一流大學就應(yīng)該有世界頂尖水平，這是哈工大在超精密加工，超精密測量領(lǐng)域幾十年積累的結(jié)果！

　　中科院長春光機所在光刻機所需的透鏡及曝光系統(tǒng)上早已有突破，而最新的消息也顯示，長春光機所在實驗室已經(jīng)搭建出了一套EUV光源設(shè)備。

　　而長春光機所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光機，預計兩年內(nèi)可推出。光刻機的兩大核心部件為雙工件臺和曝光系統(tǒng)。

　　EUV光刻的全稱為極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），其光源主要有2種：

　　1、一種是DPP-EUV極紫外光源。放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源

　　荷蘭ASML光刻機公司，哈工大研究的都是這一種。

　　DPP EUV光源利用放電使負載（Xe或Sn）形成等離子體，輻射出紫外線，利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜，獲得1EUV光。

　　DPP EUV光源的優(yōu)點是產(chǎn)生EUV的能量轉(zhuǎn)換效率高，造價低；缺點是電極熱負載高，產(chǎn)生碎片多，機制復雜，光學器件易于受損，光收集角小。

　　2、激光等離子體光源（LPP）

　　LPP EUV系統(tǒng)主要包括激光器、匯聚透鏡、負載、光收集器、掩膜、投影光學系統(tǒng)和芯片。

　　其原理是利用高功率激光加熱負載（Xe或Sn）形成等離子體，等離子體輻射出紫外線，利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜，獲得1EUV光。

　　LPP EUV光源的優(yōu)點是光源尺寸小，產(chǎn)生碎片或粒子的種類少，光收集效率高以及較容易放大EUV輸出功率。當然它也有缺點，主要是系統(tǒng)設(shè)計復雜，價格昂貴。

　　這2種光源。哈工大都在15年前就研究了！

　　中國研究EUV極紫外光源的2個主要單位：

　　1、哈工大氣體可調(diào)諧激光技術(shù)國家級重點實驗室 。

　　2、中國科學院上海光機所（哈工大畢業(yè)的研究員負責的項目、副所長。神光2的負責人之一）。

　　哈工大取的重大突破的是：

　　放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源。與荷蘭ASML光刻機公司的是同一種EUV極紫外光源。但是要把它做成為光刻機，還需要2年時間！

　　荷蘭光刻機，目前極紫外光源是美國產(chǎn)，還有一些主要部件是德國等國生產(chǎn)，清洗部件是藍英裝備生產(chǎn)。如果3-5納米光刻機兩年內(nèi)國產(chǎn)，則華為有救！哈工大功勞舉世無雙！

　　下面這個全球領(lǐng)先的成果。也來自哈工大這個實驗室。

　　哈工大在祖國需要的時候能沖上去，這就是軍工大學的擔當！

　　其實

　　中國在1977年就成功研究了光刻機。

　　那個時候，還沒有荷蘭ASML光刻機公司這個公司。

　　可惜中國80年代，都是造不如買去了。

　　以前日本人走的是激光等離子體光源。

　　荷蘭ASML光刻機公司走的是氣體放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源

　　（哈工大氣體可調(diào)諧激光技術(shù)國家級重點實驗室 研究的東西與他們一樣）。

　　荷蘭人成功了。