3月2日，嘉興斯達半導體股份有限公司（以下簡稱“斯達半導”）發布2021年度非公開發行A股股票預案，公司擬定增不超35億元，投建SiC芯片/功率半導體模塊等項目。

　　公告顯示，斯達半導本次非公開發行股票募集資金總額不超過35億元（含本數），募集資金扣除相關發行費用后將用于投資高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目、功率半導體模塊生產線自動化改造項目、以及補充流動資金。

　　政策助力，中國功率半導體迎發展良機

　　第三代半導體具備高頻、高效、高功率、耐高溫高壓等特點，契合節能減排、智能制造等國家重大戰略需求，已成為全球半導體技術和產業新的競爭焦點。

　　近年來，國家政策的大力支持給第三代半導體和功率半導體行業的發展帶來了良好的機遇。

　　為推動支持SiC等第三代半導體材料的制造及應用技術突破，國家引發了多項鼓勵性和支持性政策，將SiC、GaN和AlN等第三代半導體材料納入重點新材料目錄。

　　國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃也已明確第三代半導體是重要發展方向國家科技部、工信部、北京市科委牽頭成立了第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA），推動我國第三代半導體材料及器件研發和相關產業發展。

　　科技部在國家科技支撐計劃重點項目《電力電子關鍵器件及重大裝備研制》中，重點支持IGBT芯片和模塊的研發。

　　此外，工信部也在電子發展基金中也對IGBT器件及模塊進行了資助。

　　目前，中國是全球最大的功率半導體市場，在新基建的產業環境下，5G、新能源汽車、數據中心、工業控制等諸多產業對功率半導體產生了巨大的需求，隨著功率半導體市場的持續發展與國產替代進程的加速，功率半導體具有廣闊的市場前景。

　　斯達半導加碼碳化硅功率芯片

　　高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目由斯達半導全資子公司嘉興斯達微電子有限公司負責實施，總投資金額20億元。

　　項目擬通過新建廠房及倉庫等配套設施，購置光刻機、顯影機、刻蝕機、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設備，實現高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化。項目達產后，預計將形成年產36萬片功率半導體芯片的生產能力。

　　斯達半導體表示，本項目的實施，有助于加快我國第三代半導體功率器件的技術突破，實現新能源汽車核心器件的國產化，改善智能電網、軌道交通等基礎設施關鍵零部件嚴重依賴進口的局面，推動高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片國產化進程。

　　功率半導體模塊生產線自動化改造項目由嘉興斯達半導體股份有限公司負責實施，總投資金額為7億元。

　　該項目擬利用現有廠房實施生產線自動化改造項目，購置全自動劃片機、在線式全自動印刷機、在線式全自動貼片機、在線式全自動真空回流爐、在線式全自動清洗機等設備，實施功率半導體模塊生產線自動化改造項目。項目達產后，預計將形成新增年產400萬片的功率半導體模塊的生產能力。

　　斯達半導表示，實施以IGBT、SiC模塊為主的功率半導體模塊生產線自動化改造項目，將進一步擴大公司產能，有助于提高市場占有率。