中國上海，2021年3月16日電——中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）在SEMICON China 2021期間正式發(fā)布了新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備Primo Twin-Star?，用于IC器件前道和后道制程導電/電介質(zhì)膜的刻蝕應用。

中微公司雙反應臺電感耦合等離子體刻蝕設備Primo Twin-Star^?

基于中微公司業(yè)已成熟的單臺反應器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺，Primo Twin-Star?為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。它的創(chuàng)新設計包括：Primo Twin-Star?使用了雙反應臺腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創(chuàng)新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過采用多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性和重復性的控制。

憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性，與其他同類設備相比，Primo Twin-Star? 以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質(zhì)和導體的各種刻蝕應用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。由于Primo Twin-Star?反應器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova?相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star?顯示了和單臺反應器相同的刻蝕結果。這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。

中微公司的Primo Twin-Star?刻蝕設備已收到來自國內(nèi)領先客戶的訂單。目前，首臺Primo Twin-Star?設備已交付客戶投入生產(chǎn)，良率穩(wěn)定。公司還在進行用于不同刻蝕應用的多項評估。Primo Twin-Star?設備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備產(chǎn)品線。

“現(xiàn)在的制造商對于生產(chǎn)成本日益敏感，我們的目標是為客戶提供技術創(chuàng)新、高生產(chǎn)率和高性價比的ICP刻蝕解決方案。”中微公司集團副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品事業(yè)總部總經(jīng)理倪圖強博士說道，“Primo Twin-Star?設備已在各類前道/后道制程、用于功率器件和CIS應用的深溝槽隔離刻蝕（DTI）中表現(xiàn)出卓越的性能。通過提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價比的解決方案，我們不僅幫助客戶解決了技術難題，同時最大程度地提升了其投資效益。”