從2019年開(kāi)始，晶圓廠就開(kāi)始有限度地將極紫外（EUV）光刻技術(shù)用于芯片的大批量制造（HVM）。在當(dāng)時(shí)，ASML的Twinscan NXE系列光刻機(jī)能夠滿足客戶的基本生產(chǎn)需求，然而整個(gè)EUV生態(tài)系統(tǒng)卻還沒(méi)做好所有的準(zhǔn)備，其中影響EUV的因素之一就是缺少用于光掩模的防護(hù)膜（protective pellicles for photomasks），這限制了EUV工具的使用并影響了產(chǎn)量。
幸運(yùn)的是，由于最近推出了可用于生產(chǎn)的EUV防護(hù)膜，因此防護(hù)膜的狀況終于得到了改善，而且情況有望在未來(lái)幾年得到改善。
近年來(lái)，憑借其Twinscan NXE EUV光刻工具取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，ASML改善了EUV光刻機(jī)的光源性能，可用性時(shí)間和生產(chǎn)率。其業(yè)界同行也做了很多工作，以使使用EUV設(shè)備的大批量制造（HVM）成為可能。盡管如此，EUV生態(tài)系統(tǒng)仍需要進(jìn)一步發(fā)展。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈面臨EUV的最臭名昭著的挑戰(zhàn)之一就是防護(hù)膜（pellicles ）的開(kāi)發(fā)，在兩年前，這種防護(hù)木（pellicles ）還沒(méi)有面世，這也就是為什么TSMC和Samsung Foundry必須發(fā)明如何使用沒(méi)有保護(hù)膜的EUV掃描儀的方法。
A 16nm TSMC Pellicle With Reticle
薄膜（Pellicle）通過(guò)將其與可能落在其表面上的顆粒隔離開(kāi)，從而在芯片生產(chǎn)流程中保護(hù)6×6英寸光掩模（掩模版），否則在這個(gè)過(guò)程中可能會(huì)損壞它們或在生產(chǎn)中給晶圓造成缺陷。每個(gè)EUV工具的reticle要花費(fèi)30萬(wàn)美元，因此芯片制造商迫切希望能找到新的方法保護(hù)它們的晶圓免受微粒甚至EUV輻射本身的損害，因?yàn)檫@樣可以降低成本。同時(shí)，降低與收益率相關(guān)的風(fēng)險(xiǎn)也許更為重要。
與此同時(shí)，對(duì)薄膜（pellicles）的需求則根據(jù)制造商和所用光掩模的類型而有所不同。英特爾以其大的CPU裸片而聞名，它傾向于使用單裸片，這意味著粒子引入的僅一個(gè)掩模缺陷會(huì)自動(dòng)殺死整個(gè)裸片。同時(shí)，如果使用25個(gè)die的光掩模，粒子加法器將“僅”導(dǎo)致產(chǎn)率降低4％（一個(gè)死die），這就是為什么對(duì)于較小的芯片和多die的光掩模，無(wú)需使用防護(hù)膜（pellicles）即可擺脫困境的原因。
在得知沒(méi)有人能夠保證超復(fù)雜的EUV掃描儀100％不含有害顆粒后，該行業(yè)開(kāi)始為EUV工具開(kāi)發(fā)保護(hù)膜，這是相對(duì)較晚的時(shí)間，這就是為什么它們?cè)?019年尚未準(zhǔn)備就緒的原因。
與深紫外線（DUV）光刻設(shè)備一起使用的光掩模膜盒是常見(jiàn)且便宜的。相比之下，由于EUV的光掩模與DUV的光掩模不同（EUV掩模本質(zhì)上是250到350 nm厚的堆疊，在基板上具有40到50個(gè)交替的硅和鉬交替層），因此這種標(biāo)線的防護(hù)膜也大不相同。特別是，極紫外光的波長(zhǎng)非常短，這意味著其防護(hù)膜有許多要求，使其不易生產(chǎn)且價(jià)格昂貴。EUV防護(hù)膜必須非常薄，不應(yīng)影響掩模版的反射特性，應(yīng)具有較高的透射率（透射率越高，掃描儀的生產(chǎn)率越高），應(yīng)維持較高的EUV功率水平并承受極端溫度（從600?C至1,000?C的未來(lái)）。
IMEC的Emily Gallagher說(shuō)：“大多數(shù)材料在13.5nm EUV波長(zhǎng)上都具有非常強(qiáng)的吸收能力，即使選擇了大多數(shù)EUV透明材料，其膜也必須非常薄才能達(dá)到90％的透射率。”“這種薄膜通常不能保持足夠的強(qiáng)度，無(wú)法在所需的尺寸下獨(dú)立放置。此外，EUV掃描儀的環(huán)境與許多材料不兼容，會(huì)使防護(hù)膜經(jīng)受抽氣－排氣循環(huán)的作用。”
根據(jù)SemiEngineering的說(shuō)法，迄今為止，已經(jīng)出現(xiàn)了許多EUV防護(hù)膜選項(xiàng)包括：
ASML于2019年推出了首款EUV防護(hù)薄膜，并將該技術(shù)授權(quán)給三井化學(xué)，該公司計(jì)劃在2021年第二季度開(kāi)始批量銷售。此后，ASML改進(jìn)了防護(hù)薄膜；
Imec已公開(kāi)了其基于碳納米管的防護(hù)膜的測(cè)試結(jié)果；
Graphene Square, Freudenberg Sealing Technologies （FST）和一些大學(xué)正在開(kāi)發(fā)自己的防護(hù)膜；
到目前為止，只有ASML設(shè)法為實(shí)際可用的EUV工具創(chuàng)建了商業(yè)上可行的防護(hù)膜。ASML的防護(hù)膜基于厚度為50 nm的多晶硅。早在2016年，他們就展示了在模擬175W光源上的78％的傳輸率。目前，ASML可以出售透射率達(dá)88％的防護(hù)膜。不久之后，三井將開(kāi)始大量供應(yīng)此類防護(hù)膜。
ASML推出的，由金屬硅化物制成的最新原型展示了90.6％的透射率，0.2％的不均勻性以及在400W光源下反射率小于0.005％的情況。
ASML防護(hù)薄膜產(chǎn)品經(jīng)理Raymond Maas在接受Bits＆Chips.nl采訪時(shí)說(shuō)：“此次升級(jí)支持我們的路線圖，最終將使電源功率高達(dá)400瓦。” “在該功率水平下，薄膜被加熱到600?C，而多晶硅則無(wú)法承受。”
相比之下，Imec的原型防護(hù)膜的透射率為97.7％。實(shí)際上，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，當(dāng)可以使用更高級(jí)的光源時(shí)，將需要更復(fù)雜的防護(hù)膜，這就是Imec基于碳納米管的防護(hù)膜將發(fā)揮作用的地方。
“很少有材料具有超過(guò)90％的高EUV透射率的潛力，甚至更少的材料可以同時(shí)兼容超過(guò)600W的EUV功率。此外，防護(hù)膜必須堅(jiān)固，才能懸掛在大面積的光罩上（？ 110mm x 140mm），”來(lái)自Imec的研究人員Joost Bekaert說(shuō)。
不幸的是，目前尚不清楚Imec的基于碳納米管的防護(hù)膜何時(shí)準(zhǔn)備就緒。
現(xiàn)在，臺(tái)積電（TSMC）和三星（Samsung Foundry）發(fā)明了使用EUV光刻工具生產(chǎn)較小芯片的多die掩模，而不需要防護(hù)膜的方法，但是這種方法存在風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)槿魏晤w粒添加劑都可能成為導(dǎo)致產(chǎn)量下降的缺陷。此外，這樣的方法對(duì)于較大的芯片和單die光掩模來(lái)說(shuō)是有風(fēng)險(xiǎn)的，因此，防護(hù)膜對(duì)于使用EUV工具制造大型die至關(guān)重要。也就是說(shuō)，無(wú)論光掩模的尺寸大小如何，都需要使用防護(hù)膜來(lái)提高EUV產(chǎn)量并降低整個(gè)領(lǐng)域的風(fēng)險(xiǎn)。
總體而言，EUV防護(hù)膜的使用和改進(jìn)將是一個(gè)循序漸進(jìn)的過(guò)程。由ASML開(kāi)發(fā)和制造的初始防護(hù)膜，不久將由三井制造，足以滿足當(dāng)今的某些需求，但其透射水平仍有改進(jìn)的空間，這由ASML和Imec的下一代原型證明。由于這些機(jī)器將擁有更強(qiáng)大的光源，因此也需要更好的防護(hù)膜來(lái)應(yīng)對(duì)未來(lái)的掃描儀。但是，由于這樣的防護(hù)膜具有許多無(wú)可爭(zhēng)議的優(yōu)點(diǎn)，它們將被芯片制造商使用，因?yàn)榧词挂砸恍┥a(chǎn)率為代價(jià)，它們也可以幫助提高產(chǎn)量。