據彭博社報道，ASML 首席執行官Peter Wennink日前表示，對華出口管制不僅不能停止其技術進步，而且還會損害美國經濟。此前，華盛頓和北京之間的貿易緊張局勢導致該荷蘭公司的先進芯片設備在中國的銷售受到限制。

　　Wennink在周三的在線行業活動中說：“我相信，如果您確定存在經濟風險，那么出口管制將不是管理經濟風險的正確方法，他進一步指出，如果您讓中國無法獲得技術，這也將使非中國經濟體失去大量工作和大量收入。

　　Wennink說，由于缺乏外國技術，中國需要很長時間才能建造自己的半導體設備和技術，但這個決定帶來的結果是最終非中國公司將被排除在全球最大的芯片市場之一之外。

　　據美國商務部估計，如果美國與中國在半導體業務上的業務被完全切斷，則會影響美國粵800億至1,000億美元的銷售并造成125,000個工作崗位的丟失。

　　ASML是制造尖端芯片所需的先進的極紫外光刻設備的壟斷者，它是三星電子公司和臺灣半導體制造公司的重要供應商，按照他們的計劃，他們本來想大舉進軍中國，而北京方面希望建立一個世界一流的本土芯片產業，以擺脫國外進口的依賴。要達成這項成就，將需要ASML的一種EUV機器。然而，由于持續的貿易緊張局勢，該公司在讓荷蘭政府續簽向中國出口該系統的許可證方面面臨困難。

　　Wennink在一月份表示，ASML尚未將其最新的EUV機器運往中國，因為仍在尋求荷蘭政府的出口許可證申請，并補充說荷蘭，歐洲和美國政府之間一直在進行談判。

　　ASML分享光刻機最新路線圖，1.5nm指日可待

　　在2月舉行的SPIE高級光刻會議上，ASML（ASML.US）展示了有關其深紫外線（DUV）和極紫外線（EUV）曝光系統的最新信息。筆者最近采訪了ASML的Mike Lercel，就這些演示文稿進行了深入討論。

　　深紫外

　　盡管EUV得到了所有關注，但大多數層仍仍然使用DUV系統曝光，在可預見的將來，這可能仍然適用。

　　ASML已生產了兩個DUV平臺，即用于干式曝光工具的XT平臺和用于浸沒的NXT平臺。NXT是更快，更復雜的平臺。

　　對于領先的沉浸式技術，ASML推出了面向ArF浸入（ArFi）的第四代NXT平臺——NXT：2050i。新系統具有新的晶圓處理機（wafer handler），晶圓載物臺（wafer stage），標線片載物臺（reticle stage），投影透鏡（projection lens），激光脈沖展寬器（laser pulse stretcher）和浸沒罩（immersion hood）。這樣就可以更快地進行硅片對硅片的排序，更快的測量，防護膜偏斜校正（pellicle deflection ）以及具有改善覆蓋率的改善斑點。新系統的吞吐量為每小時295個晶圓（wph）。較長期的計劃是建立一個330 wph的系統（見圖1）。

　　ASML現在正在采用NXT平臺，并在第一臺面向ArF Dry的NXT：1470系統上移植干鏡，該系統提供300wph（比NXT：20250i快一點，因為它沒有沉浸開銷）。NXT：1470的300 wph吞吐量高于XT：1460K的約200 wph的吞吐量。將來，NXT：1470的吞吐能力將進一步提高到330 wph（見圖1）。還計劃以330 wph的速度將KrF干鏡移植到NXT平臺上（見圖1）。

　　EUV（0.33NA）

　　隨著三星和臺積電在7nm和5nm邏輯生產以及三星在1z DRAM生產中加大對標準0.33數值孔徑（NA）系統的使用，EUV曝光的晶圓數量正在迅速增長（見圖2）。

　　NXE：3400C系統自2019年底推出以來一直在發貨，而新的NXE：3600D應該在今年晚些時候開始發貨。每個新系統都提供了改進的吞吐量和覆蓋。

　　圖3給出了將在下一部分討論的0.33 NA和High-NA 0.55NA系統的摘要。

　　1.第一列列出了從NXE3400B系統（最初的生產系統）開始的過去，現在和將來的系統。

　　2.第二列提供每個系統的引入日期。值得注意的是，新的NXE：3600D應該在今年晚些時候以更高的性能交付，而第一批高NA系統應該在2022年晚些時候交付。

　　3.第三列給出了系統的數值孔徑，其中0.33NA代表當前系統，而0.55NA代表正在開發的高NA系統。

　　4.接下來的兩列顯示了ASML證明的20mJ / cm 2和30mJ / cm 2劑量的通量。這些吞吐量基于更典型的DRAM應用中每個硅片的96 field。

　　5.發貨的系統數量是IC Knowledge對2020年第4季度按類型發貨的NXE：3400B和NXE：3400C系統數量的估計，ASML不提供這個。

　　6.下一欄是NXE：3400B當前的可用性約85％，NXE：3400C當前的可用性約90％。3400C具有新的模塊化容器，可減少停機時間。長期ASML的長期目標是使其達到DUV系統典型的95％可用性。

　　7.最后一欄介紹了有關系統和用法的一些注釋。我們認為7nm邏輯生產主要在3400B上進行，而5nm在3400C上進行。我們預計即將在未來一到兩年內投入生產的3nm工藝將主要在3600D系統上生產。

　　密集圖案EUV的關鍵推動因素是Pellicles的可用性，現在有可用Pellicles可用。Pellicles的使用會降低生產量，是否使用Pellicles取決于你所打印的圖案密度。圖4顯示了EUV Pellicles透射的狀態。

　　當前在生產中使用了一些Pellicles。

　　High-NA EUV（0.55NA）

　　High-NA現在已經從PowerPoint幻燈片發展到工程設計，再到構建模塊和框架。預計首批High-NA工具（0.55NA）將于2022年下半年交付。這些EXE：5000系統可能與EXE：5200系統一起用于研發，原因是EXE：5200系統將于2025/2026年成為第一批High-NA生產系統。（見圖3）。

　　當前的0.33NA系統一次曝光即可打印到大約30nm的間距。現在正在進行工作以一次曝光來演示28nm以及最終26nm的線條和空間。臺積電目前正在生產的5nm工藝的M0間距為28nm，我們認為這一層在當前生產中可能是雙圖案的EUV，而其余使用EUV的層則是單圖案。對于將于今年晚些時候開始出現風險試產的的臺積電3nm工藝，我們預計將有幾個EUV雙圖案金屬層。目前估計0.55NA系統進入生產的時間大約在2025/2026時間范圍內，我們可能會看到2nm的代工廠和Intel的5nm工藝正在生產，然后再進行廣泛的EUV雙重打樣。055NA EUV可能會首先出現在晶圓廠的生產中。

　　圖5展示了高NA EUV的技術價值。

　　與0.33NA EUV相比，0.55NA EUV的另一個值是較高的對比度，這就讓他們可以以低得多的劑量打印出密集的特征，從而提高了通量（圖3是特定劑量的通量，不考慮降低劑量）。圖6展示了0.55NA的優勢。

　　還正在進行改進的EUV掩模吸收層的工作，以提高對比度和分辨率，請參見圖7，并要改進光刻膠，請參見圖8。

　　當前，他們正在制造用于高NA工具的模塊和框架。

　　ASML繼續在其整個DUV和EUV系統產品組合中提高吞吐量和分辨率。隨著高NA系統制造的進行，通往1.5nm邏輯及更高工藝的道路正在醞釀之中。