《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Power Integrations推出具有極低Qrr、適用于高效高開關(guān)速度設(shè)計的汽車級Qspeed硅二極管

2021-06-21
來源:互聯(lián)網(wǎng)
關(guān)鍵詞: SiC 散熱片 EMI 硅二極管

  深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)日前宣布推出600V 12A的Qspeed二極管,在硅二極管當(dāng)中具有業(yè)界最低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)特性。在25°C時,Qrr僅為14nC,該二極管可提高車載充電器PFC級的效率,可顯著降低PFC MOSFET的溫升。通過AEC-Q101認(rèn)證的QH12TZ600Q具有與碳化硅(SiC)器件相同的低開關(guān)損耗性能,可是并沒有因為采用昂貴的技術(shù)而帶來成本增加的缺點。

  Power Integrations高級產(chǎn)品營銷經(jīng)理Edward Ong表示:“這些新型Qspeed二極管的Qrr是次優(yōu)超快速硅二極管的一半,可實現(xiàn)非常高的系統(tǒng)效率。這對于需要更高的開關(guān)頻率以減小體積和重量的汽車車載充電器應(yīng)用尤為重要,并且能使Qspeed二極管取代SiC器件。”

  QH12TZ600Q采用混合PiN-Schottky二極管技術(shù)來實現(xiàn)高性能。其平滑的反向恢復(fù)電流轉(zhuǎn)換特性不僅提高了效率,還降低了EMI和峰值反向電壓應(yīng)力,在車載充電器中用作輸出整流管時無需使用緩沖電路。新器件采用緊湊的2.5kV隔離式TO-220封裝,可直接安裝到金屬散熱片上,有利于實現(xiàn)出色的溫升性能表現(xiàn)。

  供貨及相關(guān)資源

  新款600V 12A Qspeed二極管基于10,000顆的訂貨量每顆價格為1.17美元。

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