在宣布跳過96層，直接進入128層3DNAND之后，長江存儲的進展就備受關(guān)注。近日，我們也終于看到了他們的好消息。
據(jù)B站用戶“存儲極客”介紹，嘉合勁威旗下的國產(chǎn)高端固態(tài)硬盤品牌阿斯加特推出了其其第四代NVMe固態(tài)硬盤AN4。在這個Asgard AN4 1T NVMe產(chǎn)品中，使用了InnoGrit英韌IG5236主控，同時，還搭配了長江存儲Xtacking 架構(gòu)3D TLC閃存。
據(jù)存儲極客介紹，他拆解了阿斯加特的AN4，雙面PCB布局、共有四顆編號為YMN09TC1B1HC6C的閃存顆粒，這正是采用了長江存儲Xtacking架構(gòu)最新一代128層堆疊技術(shù)。
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今年四月，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
得益于Xtacking 架構(gòu)對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化，長江存儲64層TLC產(chǎn)品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn)，上市之后廣受好評。
在長江存儲128層系列產(chǎn)品中，Xtacking已全面升級至2.0，進一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進的制程，同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。
長江存儲通過對技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入，已成功研發(fā)128層兩款產(chǎn)品，并確立了在存儲行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長江存儲通過X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking架構(gòu)的前瞻性和成熟度，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實可行的路徑。
長江存儲表示，QLC是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點，適合于讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元 ，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲容量。如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
