2021年8月23日 - 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 （Mouser Electronics ） 即日起開始備貨Qorvo 高電子遷移率晶體管 （HEMT）。此碳化硅基氮化鎵 （GaN-on-SiC） 晶體管性能優異，可為5G大規模MIMO、LTE和WCDMA系統中的蜂窩 基站和射頻 應用提供支持。
貿澤電子備貨的Qorvo QPD0011 是一款非對稱雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至。6 GHz的工作電壓，以及高達13.3 dB的增益，并能在Doherty設計環境中實現高達90 W的超高效信號峰值功率。
為了便于開發，Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評估板 。此平臺包括一個示例應用電路，在與現有設計結合使用時可加快原型設計速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區和微小區基站、有源天線以及非對稱Doherty設計等應用。
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