第三代半導體發(fā)展如火如荼，在碳化硅的領域，已掌握基板技術(shù)的美日大廠已成三雄鼎立，國內(nèi)也豪擲巨資想要在半導體領域大翻身，中國臺灣在碳化硅各個制程都有所著墨和布局，尤其是在關(guān)鍵的長晶領域，需要高度關(guān)注。

　　長晶難度高，為關(guān)鍵瓶頸

　　目前全球碳化硅由美日廠商寡占，其中的關(guān)鍵因素之一為美日廠掌握基板料源，而基板的生產(chǎn)中，又以長晶難度最高，以傳統(tǒng)的硅材來說，通常費時約3-4天即可以長出約200-300cm的晶棒，但以目前碳化硅，可能要2個禮拜才能長出不到10公分長度，在產(chǎn)出上非常受限。

　　另外，除了慢之外，碳化硅的長晶過程非常高溫，以傳統(tǒng)的硅可能溫度在1,500度，但碳化硅的溫度可能會高達2,500度，所以在長晶的過程中難度更高，也無法即時觀察晶體的生長狀況，需要控制的因素也更復雜，也有可能在2周的長晶過程后，最后發(fā)現(xiàn)晶棒沒長好而報銷，造成良率不佳。

　　因此，碳化硅困難在于要可達商品化，也就是良率跟產(chǎn)量都要有穩(wěn)定性，這樣下游才有穩(wěn)定的料源，否則仍難以大量采用。

　　長晶進度持續(xù)進步

　　有關(guān)長晶，中國臺灣有不少有在著墨長晶制程者，包括硅晶圓大廠環(huán)球晶在長晶的部分，目前是4吋為自己可長晶，產(chǎn)品也有小量出貨，至于6吋產(chǎn)品，環(huán)球晶在2019年時跟美國長晶大廠GTAT簽訂長約購料協(xié)議，跟GTAT買晶棒來切片/磨片/拋光成基板，未來公司也是以可以自己長6吋晶棒為目標，預計2022年上半年可再延伸到磊晶領域。

　　另一家以長晶切入者為太極旗下子公司盛新材料，盛新也是主要以長晶為主，但也可以切片、磨片以及拋光，擁有16臺長晶爐，其中一臺就是和母公司廣運共同研發(fā)成功的長晶爐，未來也是朝自制為主，目前4吋基板已有小量產(chǎn)，驗證已到一階段，客戶已有給了小量的訂單。

　　另外也以碳化硅長晶和晶圓加工生產(chǎn)的中砂轉(zhuǎn)投資的穩(wěn)晟，目前已進入上柜輔導的程序但仍未IPO，也是切入4-6吋的碳化矽晶體，同時目標開發(fā)大尺吋的碳化矽長晶以及晶圓加工技術(shù)。

　　國際大廠發(fā)展速度有加快，我們需加緊腳步

　　但另一方面，碳化硅美日領導廠商技術(shù)突破快速，主要廠商包括CREE、ROHM以及II-VI，雖然有助于碳化硅更快普及，但恐怕也讓后進追兵更難趕上，再加上中國也砸下大錢投資，市場競爭也更火熱，環(huán)球晶董事長徐秀蘭即表示，碳化硅快速成長、技術(shù)也提升得很快，尤其8吋的進度比預期快，本來她估計6吋占據(jù)市場主流約10年，但目前看來未來10年6吋仍重要，但8吋比預期更快約2年，尤其CREE做得最好最大、技術(shù)也提升得很快，拉高進入障礙。

　　環(huán)球晶內(nèi)部也希望快點趕上進度，所以一直進行增產(chǎn)、送樣以及小量出貨，客戶也在等，所以目前雖然第三代半導體占總營收不到1%，但規(guī)劃的資本支出已是公司最大的單位之一。

　　徐秀蘭認為，臺灣在硅以及半導體產(chǎn)業(yè)相當強，現(xiàn)在在原本基礎上延伸至第三代半導體材料，客戶和分銷商重疊性高，臺灣目前也有很多研究單位在做化合物半導體，或者研究關(guān)鍵設備的開發(fā)，今年雖還不夠成熟但明年會更好，若臺灣加快腳步，讓整個產(chǎn)業(yè)鏈完整化，將會非常有利。