在過(guò)去的幾周里，包括 Efficient Power Conversion （EPC） Corporation、UnitedSiC 和 Intel 在內(nèi)的幾家行業(yè)領(lǐng)先的電子制造商都宣布發(fā)布新的 FET 解決方案。這些新的 FET 有望提供比傳統(tǒng)硅 MOSFET 更好的表現(xiàn)。

　　雖然 EPC 和 UnitedSiC 改進(jìn)了基于 GaN 和 SiC 的 FET 的功能，但英特爾通過(guò)引入其 RibbonFET 解決方案探索了一種不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)更快的晶體管開關(guān)速度。

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 通過(guò)其源極端子接收電流，調(diào)節(jié)其柵極端的電流并允許其通過(guò)其漏極端退出。這些器件在高功率開關(guān)應(yīng)用中很有用。本文是市場(chǎng)上一些新 FET 的綜述。

　　EPC 的 eGaN FET 滿足高計(jì)算需求

　　在最近，EPC 指出，工程師將其 EPC2069 eGaN FET 用于一系列應(yīng)用，包括網(wǎng)通、電信和計(jì)算。

　　該設(shè)備的一些其他功能包括：

　　功率密度：高達(dá) 4000 W/in 3

　　漏源電壓 （VGS） : 40 V

　　漏源導(dǎo)通電阻 （R DS（on） ）：1.6–2.5 mΩ

　　高頻操作：1 MHz

　　EPC 還表示，新的 eGaN FET 效率超過(guò) 98%，尺寸為 10.6 mm 2。該設(shè)備的尺寸使其成為高性能和空間受限應(yīng)用的候選者。

　　EPC2069 的高功率密度能力也證明適用于 48 V–54 V 輸入服務(wù)器設(shè)計(jì)。由于它確保最大限度地減少反向恢復(fù)損耗和較低的柵極電荷，工程師可以選擇最新的 EPC FET 解決方案進(jìn)行高達(dá) 1 MHz 的高頻操作。

　　EPC2069 與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器次級(jí)側(cè)的兼容性還可讓設(shè)計(jì)人員滿足高功率密度計(jì)算應(yīng)用的需求，包括重度游戲和人工智能。

　　UnitedSiC 用于硬開關(guān)的第 4 代 SiC FET

　　本月，UnitedSiC 宣布發(fā)布其第 4 代 SiC FET 系列。這些器件提供6 mΩ的低 R DS（on），提供 5ms 的短路耐受時(shí)間額定值。該系列包括 6、9、11、18、23、33、44 和 58 mΩ 額定 750 V SiC FET 器件，采用 TO-247-4L 封裝。

　　UnitedSiC 第 4 代 FET 系列的銀燒結(jié)芯片附著和晶圓減薄技術(shù)最大限度地減少了芯片到鑄造的熱阻，并最大限度地提高了各種應(yīng)用的功率輸出。

　　由于 Gen SiC FET 系列具有強(qiáng)大的壓降和恢復(fù)速度能力，工程師可以將這些 FET 集成到硬開關(guān)操作密集型應(yīng)用中。UnitedSiC 表示，這些器件在導(dǎo)通電阻和開關(guān)效率方面取得了顯著改善，使其非常適合 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換、功率因數(shù)校正、基于能量逆變器的單向和雙向功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用，以及電動(dòng)汽車充電。

　　英特爾的 RibbonFET 將取代 FinFET 技術(shù)

　　在今年的英特爾架構(gòu)日，該公司討論了其新的 RibbonFET 晶體管架構(gòu)，該架構(gòu)對(duì)英特爾現(xiàn)有的 FinFET 技術(shù)進(jìn)行了重大改進(jìn)。這種業(yè)界首創(chuàng)的環(huán)柵架構(gòu)實(shí)現(xiàn)使設(shè)計(jì)人員能夠在不考慮電壓的情況下最大限度地提高驅(qū)動(dòng)電流控制、開關(guān)效率和性能。

　　此外，設(shè)計(jì)人員可以改變 RibbonFET 高度靈活的帶狀通道的寬度，以適應(yīng)多種高性能應(yīng)用。

　　當(dāng)前 FET 技術(shù)的一個(gè)共同挑戰(zhàn)是它們無(wú)法滿足縮小到 5 nm 節(jié)點(diǎn)的日益增長(zhǎng)的需求。RibbonFET 通過(guò)提供用作通道的單層納米帶解決了這一障礙，顯著降低了空間受限設(shè)計(jì)的占用空間。

　　英特爾表示，通過(guò)集成 RibbonFET 和其他與電源相關(guān)的解決方案，工程師可以提高多種工作負(fù)載的計(jì)算性能。

　　RibbonFET 的單個(gè)納米帶堆棧可以實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有 FinFET 技術(shù)中的多個(gè)堆棧相同的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)提供更小的占用空間。由于設(shè)計(jì)人員可以改變靈活的帶狀通道的寬度，他們可以將 RibbonFET 技術(shù)融入各種開關(guān)、放大和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中。

　　硅 MOSFET 與新的 FET 技術(shù)

　　與傳統(tǒng)的硅 MOSFET 相比，最新的 FET 技術(shù)可提供更高的性能、功率密度和開關(guān)效率。與傳統(tǒng)的 SiC MOSFET 不同，UnitedSiC 最新的第 4 代 SiC FET 技術(shù)提供了更好的恢復(fù)速度和正向壓降，降低了熱阻，從而最大限度地提高了輸出功率。

　　EPC2069 FET 與硅同類產(chǎn)品相比，提供相對(duì)更高的開關(guān)頻率、更高的效率和更小的占位面積，從而實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗、零反向恢復(fù)損耗和更高的功率密度。

　　同樣，RibbonFET 提供高度靈活的通道，可適應(yīng)更多功率密集型應(yīng)用。全柵極 FET 架構(gòu)允許更高的驅(qū)動(dòng)電流控制，這是傳統(tǒng)硅 MOSFET 所不具備的。