近日，根據(jù)SEMI的年終半導體設備總量預測，預計2021 年原始設備制造商總銷售額將達到1030億美元，比 2020 年的行業(yè)紀錄（710億美元）猛增 44．7％。到 2022 年全球半導體設備市場將擴大到 1140 億美元。
SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：“半導體制造設備總銷售額突破 1000 億美元大關反映了全球半導體行業(yè)為擴大產(chǎn)能以滿足強勁需求的一致和非凡的動力。我們預計，對數(shù)字基礎設施建設和多個終端市場的長期趨勢的持續(xù)投資將推動 2022 年的健康增長。”
半導體設備市場歷史規(guī)模
2019年SEMI發(fā)布的年中設備預測報告中指出，原始設備制造商的半導體制造設備全球銷售額，將從2018年的645億美元下降18．4％至527億美元。
在SEMICON West 2019上發(fā)布的這份預測報告顯示，2020年設備銷售將恢復增長，增長率11．6％至588億美元。
然而隨后COVID－19打臉SEMI和全球市場，2020年半導體制造設備全球銷售額增長至710億美元，此后一路飆升至2022年預計的1140億美元。
設備市場規(guī)模暴增的原因
一． 因COVID－19帶來的調(diào)整半導體供應鏈的設備需求
COVID－19對全世界的制造業(yè)沖擊巨大，造成世界范圍的不同時間段的停工停產(chǎn)，這使得半導體制造有了訂單延期和累積，隨著停產(chǎn)時間加長，逐漸放大。
而市場對于半導體的需求卻沒有消失，一旦恢復生產(chǎn)供應，市場運轉(zhuǎn)起來，延期累積的訂單要生產(chǎn)，市場上一段時間的需求也疊在一起沖向廠商，同時還有實時需求。
歷史需求和實時需求加在一塊遠遠超出了代工生產(chǎn)端能夠滿足的極限，供應商根本生產(chǎn)不過來。而只有供應商擴產(chǎn)才能解決訂單堵塞的問題，這就指向了擴充產(chǎn)線即增加設備，客觀上促進了半導體設備銷售。
二．為滿足新興產(chǎn)業(yè)帶來的半導體市場增長的設備需求
由于5G、電動車、物聯(lián)網(wǎng)等應用市場需求持續(xù)成長，而供給端晶圓代工新增產(chǎn)能有限，明年晶圓代工產(chǎn)能仍將供不應求，代工價格也將進一步揚升。
據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）預估，全球半導體產(chǎn)業(yè)2021年高度成長25．6％，2022年總產(chǎn)值有望突破6000 億美元，續(xù)創(chuàng)歷史新高，年增8．8％。
因應客戶強勁成長，晶圓代工廠皆積極展開擴產(chǎn)，以臺積電為例，預計今年、明年及后年3 年將大舉投資1，000 億美元擴產(chǎn)，其中不包含日本設廠經(jīng)費。根據(jù)預計，臺積電將進一步調(diào)高未來3年資本支出金額。
臺積電還擴大海外投資布局，計劃擴增中國大陸南京廠28nm新產(chǎn)能，2022年下半年開始逐步開出，于2023 年中達到月產(chǎn)4 萬片規(guī)模。海外擴產(chǎn)部分，臺積電在美國亞利桑那州投資設立的5nm晶圓廠，預計2024 年量產(chǎn)；在日本熊本縣設立特殊技術晶圓廠，預計2024 年生產(chǎn)22nm及28nm制程。
聯(lián)電位于南科晶圓12A 廠的P5 廠區(qū)，預估明年第1 季將擴增1 萬片產(chǎn)能；P6 廠區(qū)預計2023 年導入量產(chǎn)，滿載產(chǎn)能將達2．75 萬片，投資金額約新臺幣1，000 億元（約合人民幣229．8億元）。
世界先進明年產(chǎn)能預計增加7％ 至9％，先前向面板廠友達收購的廠房，目前也積極布建無塵室及廠務設施，預計明年春天之前完成。
2021年處于嚴重缺芯階段，芯片短缺情況將會在2022年持續(xù)，芯片交貨期將拖延約10至20周，到2023年初情況才能得到緩解。在此種情況下，半導體總產(chǎn)值依舊將突破6000億美元，各大代工廠商紛紛擴產(chǎn)。
而根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的報告顯示，2019年半導體市場規(guī)模只有4065億美元，2020年為4260億美元，新興產(chǎn)業(yè)僅經(jīng)過2021年一年的發(fā)展，就帶來了2022年半導體總產(chǎn)值預計突破6000億美元的發(fā)展紅利。對半導體市場刺激作用明顯，從而在COVID－19的刺激基礎之上，再次促進半導體設備銷售。
三．半導體生產(chǎn)技術發(fā)展帶來的設備需求
（1）第三代半導體
半導體第三代一般指禁帶寬度大于2．2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，第一代半導體材料以硅為代表；第二代半導體材料砷化鎵也已經(jīng)廣泛應用；而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的第三代半導體材料，相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢顯著。
由于第三代半導體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，因此在短波發(fā)光、激光、探測等光電子器件和高溫、高壓、高頻大功率的電子電力器件領域擁有廣闊應用前景。
正是憑借著性能的優(yōu)勢和廣闊的應用場景，第三代半導體也被業(yè)內(nèi)譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。
第三代半導體因優(yōu)異的性能被廣闊市場認可，從而對第三代半導體需求不斷上升，這催生了第三代半導體供應鏈發(fā)展，對應的供應商需擴充滿足第三代半導體需求的產(chǎn)線，從而促進半導體設備銷售。
（2）先進制程
據(jù)DigiTimes援引的行業(yè)消息人士稱，臺積電計劃在2022年第四季度開始商業(yè)生產(chǎn)基于其3nm工藝的芯片。
而與其同一水平的三星電子，也邁入3nm建設實施階段，預計2022年將實現(xiàn)量產(chǎn)。
進而臺積電向2nm進發(fā)，要在臺中的中科園區(qū)建座 100 公頃的工廠，總投資額高達 8000 億－1 萬億新臺幣 （約 289 億～361 億美元）。這一投資包括未來 2nm 制程的工廠，后續(xù)演進的 1nm 制程的廠區(qū)也會落在該園區(qū)。
業(yè)界預計，臺積電 2nm 工藝將在在 2024 年試生產(chǎn)，并在 2025 年量產(chǎn)，1nm 工藝將在此之后。另外，1nm 之后，臺積電將進入更新世代的“埃米”制程 （埃米是納米的十分之一）。
半導體供應商布局建設先進制程，和原有7nm，14nm等制程不沖突，原有產(chǎn)線繼續(xù)生產(chǎn)，供應商采用的是采購設備、新建產(chǎn)線的方式，而這促進了先進半導體設備的銷售。
四．逆全球化導致的資本催生半導體設備
逆全球化的技術封鎖和制裁，客觀促使想要發(fā)展先進半導體技術的國家和地區(qū)要走上獨立自主的道路。從而對半導體設備大量的研發(fā)投入、實驗，進而自主生產(chǎn)一部分設備建立半導體工廠，這部分是從前沒有的，是隨著發(fā)展多出來的。
尾聲
這里面既有因COVID－19打亂訂單而導致的訂單“堵塞”，又有5G等技術發(fā)展的客觀需求，還有代工制造市場競爭帶來的不斷追求先進制程、產(chǎn)量而產(chǎn)生的設備需求。
導致半導體設備在價格上、在需求量上都看漲。
這才有了逆經(jīng)濟趨勢而增長的半導體設備市場的繁榮，進而規(guī)模擴大到史無前例的1140 億美元。
